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[发明专利]一种基于少层石墨烯的重防腐涂料及其制备方法和应用-CN202210246925.9在审
发明人：张斌;赵智峥 -专利权人：低维新材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯领域，公开了一种基于少层石墨烯的重防腐涂料及其制备方法和应用，所述少层石墨烯由石墨粉在机械剥离下制得，石墨烯防腐涂料由甲组分和乙组分构成，按质量百分比，甲组分包含1‰‑7％的少层石墨烯、10％‑35％环氧树脂，1％‑3％的铝浆，10％‑25％的溶剂，30％‑60％的填料，乙组分包含30％‑65％的溶剂，20％‑50％的酰胺类固化剂，和1‰‑3％的环氧固化促进剂组成。其制备方法包括纳米研磨和剪切搅拌。本发明所提供的少层石墨烯具有尺寸小(1‑5μm)封闭性能强的特点，石墨烯防腐涂料具有耐酸/碱腐蚀、耐硫化氢腐蚀、附着力高、耐盐雾/湿热性能强等特点，可满足各种金属基材的防腐。
一种基于石墨防腐涂料及其制备方法应用

[发明专利]用于生物突触模拟和神经形态计算的聚（硫族紫精-三苯胺）材料高分子忆阻器及其制备-CN202111080160.8在审
发明人：张斌;赵智峥;郑庭安;陈彧 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于有机/高分子信息存储器件领域，具体提供一种用于生物突触模拟和神经形态计算的聚(硫族紫精‑三苯胺)材料高分子忆阻器及其制备。该器件结构为经典的三明治结构，底电极为ITO，活性层为含有硫族元素(S,Se,Te)侨联的紫精和三苯胺氧化还原结构单元的PCVTPA薄膜(包括PSVTPA,PSeVTPA,PTeVTPA)，顶电极为Al。通过对该器件施加持续扫描的循环电压，其电流电压曲线表现出基于历史依赖的忆阻性能，可以用来模拟突触电位/抑制、人类的学习和记忆功能，从短期突触可塑性到长期可塑性的过渡，而且还可以进行十进制的算术功能。
用于生物突触模拟神经形态计算硫族紫精苯胺材料高分子忆阻器及其制备

[发明专利]一种基于电化学方法精确构造有机异质结阻变存储器件及其应用-CN201811394320.4有效
发明人：张斌;田项宇;赵智峥;陈彧 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于信息存储器件技术领域，具体提供一种基于电化学方法精确构造有机异质结阻变存储器件及其应用。该器件有底电极，具有给体性质的活性层，具有受体性质的活性层以及点状顶电极组成，其中给体和受体活性层的都是基于电聚合方法进行可控制备的。对该有机异质结存储器件施加不同的电压时，该器件表现出不同的电阻状态，具有信息存储功能。得益于电化学方法的优势，使得给体活性层与底电极之间以及给体活性层与受体活性层之间的连接更加紧密，接触电阻更小，改善了器件工作时载流子的注入和传输。因此，存储器件具有低的开启电压，优异的可重复读写性和稳定性。本发明提供的利用电聚合的方法制备异质结，简单高效，成本低，可大面积制备。
一种基于电化学方法精确构造有机异质结阻变存储器件及其应用

[发明专利]同时具有给体和受体基团的高分子共价修饰的石墨烯材料及其制法和应用-CN201910406974.2在审
发明人：张斌;李东奇;樊菲;赵智峥;陈彧 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种同时具有给体和受体基团的高分子共价修饰的石墨烯材料及其制法和应用。本发明还提供了基于石墨烯材料构造三态阻变存储器件的方法。本发明中器件由底电极，基于高分子修饰石墨烯材料的活性层以及顶点极构成，其中高分子具有给体和受体两种类型基团。对该存储器件施加不同的电压时，该器件表现出三种不同的电阻状态，具有存储功能。由于施加电压时存储器件表现为三种电阻态，相对于双稳态器件，该器件存储密度从2ⁿ提高到了3ⁿ，能够存储更多的信息。该器件具有良好的稳定性，制备过程简单，成本低，可大面积制备。
石墨烯材料给体存储器件共价修饰受体基团制法存储信息存储技术阻变存储器件高分子修饰双稳态器件存储功能电阻状态施加电压制备过程底电极电阻态活性层三态制备应用表现施加

[发明专利]同时具有给体和受体基团的高分子共价修饰的石墨烯材料及其制法和应用-CN201910402924.7在审
发明人：张斌;李东奇;樊菲;赵智峥;陈彧 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种同时具有给体和受体基团的高分子共价修饰的石墨烯材料及其制法和应用。本发明还提供了基于石墨烯材料构造三态阻变存储器件的方法。本发明中器件由底电极，基于高分子修饰石墨烯材料的活性层以及顶点极构成，其中高分子具有给体和受体两种类型基团。对该存储器件施加不同的电压时，该器件表现出三种不同的电阻状态，具有存储功能。由于施加电压时存储器件表现为三种电阻态，相对于双稳态器件，该器件存储密度从2ⁿ提高到了3ⁿ，能够存储更多的信息。该器件具有良好的稳定性，制备过程简单，成本低，可大面积制备。
石墨烯材料给体存储器件共价修饰受体基团制法存储信息存储技术阻变存储器件高分子修饰双稳态器件存储功能电阻状态施加电压制备过程底电极电阻态活性层三态制备应用表现施加