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- [发明专利]量测图形结构及其使用方法-CN202310085990.2在审
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张驰;赵弘文;郑春杰
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上海华力集成电路制造有限公司
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2023-02-01
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2023-06-30
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G03F7/20
- 本发明提供一种量测图形结构，包括量测图形，量测图形包括第一量测图形和第二量测图形，量测图形设置在切割道以及die中；其中，第一、二量测图形呈矩阵分布，量测图形中的X方向和Y方向均至少存在一个第一量测图形和第二量测图形；第一量测图形由多个条形图形组成，第一量测图形用于形成前层套刻标记；第二量测图形为矩形形状，第二量测图形用于形成当层套刻标记。本发明使用一个特殊设计的量测图形，可同时用于套刻精度和关键尺寸的量测，且该量测图形具有较小的尺寸，可以用于曝光区域内部高阶套刻精度和关键尺寸均一性补偿，从而在保证产品套刻精度和关键尺寸均一性表现的前提下可以节约芯片内有效面积。
- 图形结构及其使用方法
- [发明专利]光刻工艺方法和双大马士革工艺方法-CN201910940017.8有效
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赵弘文;蔡孟霖;许邦泓
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上海华力集成电路制造有限公司
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2019-09-30
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2022-02-01
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H01L21/768
- 本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成包括依次叠加的第一底部抗反射涂层、第一光刻胶层、第二底部抗反射涂层和第二光刻胶层组成的双层式光刻胶结构；步骤二、采用第一光罩进行第一次曝光工艺使第一图形结构转移到第一光刻胶层上；步骤三、采用第二光罩进行第二次曝光工艺使第二图形结构转移到第二光刻胶层上；步骤四、对双层式光刻胶结构进行显影并以显影后的双层式光刻胶结构为掩膜对半导体衬底进行刻蚀将第一和第二图形结构同时转移到半导体衬底中，且第一图形结构位于第二图形结构的底部。本发明还公开了一种双大马士革工艺方法。本发明能采用一次显影和一次刻蚀工艺形成两层图形，能提高生产效率和可靠度。
- 光刻工艺方法大马士革
- [发明专利]晶圆加热装置及控制方法-CN202010610504.0在审
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吴承璋;赵弘文
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上海华力集成电路制造有限公司
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2020-06-30
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2020-09-29
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H01L21/67
- 本发明公开了一种晶圆加热装置，其用于晶圆光阻加温制程，包括：可升降探针，其用于将被加热晶圆水平支撑在加热源上方，其能根据控制器指令靠近或远离加热源；温度传感器，其与加热晶圆设置在相同高度，其用于量测被测晶圆温度；控制器，其接收温度传感器量测数据控制可升降探针上升或下降，当温度传感器量测数据达到第一预设温度且停留第一预设时段则控制可升降探针下降，使加热晶圆靠近加热源，当温度传感器量测数据达到第二预设温度则控制可升降探针停止移动使晶圆停留第二预设时段。本发明还公开了一种用于晶圆多段加热控制方法令材料具有良好平坦度。本发明在加热过程中不需要使用光罩，在达到现有技术相同效果的同时能降低生产成本。
- 加热装置控制方法
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