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[发明专利]CMOS工艺、CMOS晶体管和AMOLED-CN201410225839.5在审
发明人： 赵大庸;郎丰伟 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的一种CMOS工艺包括步骤：S1、形成缓冲层；S2、形成非晶硅层；S3、沟道参杂P型离子和N型离子；S4、结晶化及LTPS patterning等步骤。一种CMOS TFT，PMOS及NMOS TFT沟道通过上述方法掺杂有P型离子和N型离子。本发明的AMOLED使用上述CMOS TFT作为驱动单元元件。有益效果在于，在沟道中掺杂N型离子，使NMOS及PMOSTFT的阈值电压向负极性方向移动，由于阈值电压差接近OV，导致NMOS及PMOS TFT的阈值电压间隔增加。因此，本发明的TFT及其制备方法应用于AMOLED器件可通过减少开电流，来减少消耗电流。
cmos 工艺晶体管 amoled

[实用新型]AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构-CN201320039137.9有效
发明人： 赵大庸;徐正勋;郭钟云 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，所述制作工序包括在玻璃基板上蒸镀氧化物缓冲层、非晶硅、Ni原子单位，结晶化a-Si及一次蒸镀绝缘膜、二次蒸镀绝缘膜等工序，所述一次蒸镀绝缘膜后，AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，所述绝缘膜厚度为本实用新型的有益效果：通过控制绝缘膜形成斜面区和平面区组合的特殊结构，实现在经过离子注入等后续工序后自然形成具备低掺杂度漏极的AMOLED用TFT，采用分两次蒸镀绝缘膜的手段减小了离子注入对绝缘膜的影响。
amoled 掺杂度漏极 tft 制作工序中的结构

[实用新型]有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路-CN201320061151.9有效
发明人： 赵大庸;徐正勋;崔晓燕 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及有机发光二极管显示技术。本实用新型公开了一种有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，通过增加电容容量改进像素驱动电路的性能。本实用新型的技术方案是，有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，包括信号切换晶体管、驱动晶体管以及连接在所述驱动晶体管栅极和源极之间的存储电容，所述信号切换晶体管栅极接扫描信号，源极接数据信号，漏极与驱动晶体管的栅极连接；所述驱动晶体管源极接电源，漏极接有机发光二极管阳极；所述有机发光二极管阴极接地；所述存储电容由两只并联的电容构成。本实用新型通过电容并联的方法提高存储电容的容量，减少消耗电力，缩短驱动晶体管的导通延时，提高电路性能。
有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路

[实用新型]离子注入装置的基板传输结构-CN201320034834.5有效
发明人：李惠元;赵大庸 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够在缩短工序时间的同时保证离子注入均匀度的离子注入装置的基板传输结构，其包括布置在同一平面上的至少两组轨道及对应可沿轨道移动的基板输送装置，各条轨道在与所述离子注入装置对应的离子注入工位交会，各条轨道的送进工位相互平行并间隔设置，各条轨道的送出工位也相互平行并间隔设置。所述的基板输送装置由多个首尾相连且可彼此相对转动的节状部件组成，基板固定结构通过中心支座与基板输送装置连接。本实用新型可以向离子注入装置内同时送进两块以上的基板，但各块基板与离子注入装置之间的距离保持不变，离子注入均匀度有保证，同时减少了抽真空次数，提高了生产效率。
离子注入装置传输结构

[实用新型]有机物蒸镀机与钝化层蒸镀机对接用基板旋转装置-CN201220567812.0有效
发明人： 赵大庸;闫晓剑 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种有机物蒸镀机与钝化层蒸镀机对接用基板旋转装置，包括：腔体，所述腔体为桶状结构，两端分别与有机物蒸镀机和钝化层蒸镀机连接；所述腔体内设有一基板传递结构；所述基板传递结构包括基板支架和回转轴，所述基板支架固定于回转轴上与回转轴一起转动；本实用新型的有益效果：本实用新型的有机物蒸镀机与钝化层蒸镀机对接用基板旋转装置连接现有量产线上的有机物蒸镀机和钝化膜蒸镀机，其主要部件是内部的基板传递机构，所述基板传递机构首先通过基板支架固定基板，然后在动力机构的带动下整个基板支架和基板随着回转轴转动180°后被传递到下一级设备，从而提高了量产线的工作效率。
有机物蒸镀机钝化层蒸镀机对接用基板旋转装置

[实用新型]一种AMOLED钝化层清洗蒸镀设备-CN201220566027.3有效
发明人：柳济宣;赵大庸;郭钟云 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种AMOLED钝化层清洗蒸镀设备，包括钝化层蒸镀机，用于蒸镀钝化层；机械手台，用于转运AMOLED基板；清洗机，用于对AMOLED基板进行蒸镀前的清洗；所述钝化层蒸镀机、机械手台和清洗机连接成一整体构成AMOLED钝化层清洗蒸镀设备。本实用新型的有益效果：本实用新型的一种AMOLED钝化层清洗蒸镀设备通过使钝化层蒸镀机3、机械手台2和清洗机1连接成一整体，提高了AMOLED基板的处理效率及清洗效率,并且通过在CVD的cassette stage上连接基板清洗装置的方式节约了安装面积，提高了空间利用率，使设备小型化，设备成本更低。
一种 amoled 钝化清洗设备

[实用新型]OLED显示器、OLED显示器模组及其拼接结构-CN201120226001.X有效
发明人：郎丰伟;田朝勇;闫晓剑;赵大庸;何小祥 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及OLED显示器、OLED显示器模组及其拼接结构。所述OLED显示器，由多列和多行的发光像素单元组成，每组发光像素单元包括一个红、绿和蓝色子像素单元，所述发光像素单元还包括一个扫描电极子像素单元，所述每行的发光像素单元中有一组发光像素单元的扫描电极子像素单元内的具有一个贯穿绝缘层的扫描电极接触孔，所述扫描电极接触孔用于将阴极层与该组扫描电极子像素单元的辅助电极层联通后，沿着同一列扫描电极子像素单元的辅助电极层延伸并由同一条扫描线引出。本实用新型的有益效果：方案中扫描线可以和数据线平行的从OLED显示器的同一侧垂直的引出，不必占用OLED显示器两侧的空间。
oled 显示器模组及其拼接结构

[发明专利]有机电致发光器件的基板及制造方法-CN201110273297.5无效
发明人：韦新颖;代令;闫晓剑;赵大庸 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及有机电致发光器件的基板及制造方法。包括透明衬底，在透明衬底的至少一侧具有散射层，所述散射层由TiO2、SiO2或ZnO的纳米粒子构成，透明衬底的内侧与电极连接。本发明的有机电致发光器件的基板及制造方法，能够通过水热法或溶胶-凝胶法的简单方法大面积生产OLED的基板，并且不需要复杂昂贵的设备，降低了生产的成本和复杂性，极大程度提高了OLED器件的出光效率，使OLED器件的出光耦合效率＞50％，并且出光颜色不随角度变化。
有机电致发光器件制造方法

[发明专利]OLED显示器、OLED显示器模组及其拼接结构-CN201110180021.2有效
发明人：郎丰伟;田朝勇;闫晓剑;赵大庸;何小祥 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及OLED显示器、OLED显示器模组及其拼接结构。所述OLED显示器，由多列和多行的发光像素单元组成，每组发光像素单元包括一个红、绿和蓝色子像素单元，所述发光像素单元还包括一个扫描电极子像素单元，所述每行的发光像素单元中有一组发光像素单元的扫描电极子像素单元内的具有一个贯穿绝缘层的扫描电极接触孔，所述扫描电极接触孔用于将阴极层与该组扫描电极子像素单元的辅助电极层联通后，沿着同一列扫描电极子像素单元的辅助电极层延伸并由同一条扫描线引出。本发明的有益效果：方案中扫描线可以和数据线平行的从OLED显示器的同一侧垂直的引出，不必占用OLED显示器两侧的空间。
oled 显示器模组及其拼接结构

[发明专利]生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法-CN201010521163.6无效
发明人： 赵大庸;柳济宣 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，属于光电领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法可以改善低温多晶硅薄膜晶体管的高漏电特性。本发明生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，包括用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层步骤，还包括用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层步骤，其中，先用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层，然后再用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层。
生产底部金属结晶低温多晶薄膜晶体管方法

[发明专利]OLED用TFT基板的金属诱导结晶化方法-CN200910310847.9无效
发明人： 赵大庸;柳济宣 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明属于OLED显示器制造领域，涉及一种OLED用TFT基板的金属诱导结晶化方法。要解决的技术问题是降低金属诱导多晶硅基板的漏电流特性。技术方案是提供一种TFT基板的间接金属诱导结晶化方法，步骤为：a、准备基板，在基板上镀缓冲层；b、在缓冲层上镀a-Si层；c、然后在a-Si层上通过掩模光刻形成所需PR图形；d、在已形成所需PR图形的a-Si层表面镀金属触媒层；e、进行热处理，使a-硅层转变为多晶硅层；f、去除金属触媒层，再次通过掩模光刻形成所需PR图形，蚀刻掉PR图形未遮盖的多晶硅层，然后去除PR图形。本发明方法用于制备AMOLED用TFT基板。
oled tft 金属诱导结晶方法

[实用新型]两面发光或顶发光的OLED器件-CN200920314488.X有效
发明人： 赵大庸;柳济宣;高昕伟 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种结构简单的两面发光或顶发光的OLED器件。两面发光或顶发光的OLED器件，包括封装玻璃和蒸镀基板，在所述封装玻璃的外端并靠近封装玻璃与蒸镀基板之间的树脂涂布处设置有干燥剂。本实用新型由于不在封装玻璃的中央位置设置干燥剂，干燥剂设置在蒸镀基板的活性区域外围，不会妨害两面发光或顶发射OLED器件的发光；由于可以插入和传统干燥剂相同的使用量，因此可以同样保持对水分和氧气的控制效果；由于不需要额外的工艺，没有工艺成本上升的问题，也不需要在两面发光或顶发光OLED器件中添加透明薄膜封装膜，结构简单。
两面发光 oled 器件

[发明专利]AMOLED器件的基板及其蒸镀工艺-CN200910312472.X无效
发明人： 赵大庸 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够克服AMOLED器件蒸镀工序中发生对位不良问题的AMOLED器件的基板。AMOLED器件的基板，包括R、G、B像素ITO与TFT像素电路，所述R、G、B像素ITO与TFT像素电路采用纵向方式排列。本发明通过改变AMOLED器件的基板上的R、G、B像素ITO与TFT像素电路的排列方式，使得蒸镀工序中发生的对位不良问题最小化，即使金属精密掩模板的精密度有点降低，也可以减少由边缘尺寸导致的发光层对位不良的问题；掩模板的精密度、张紧技术、OLED工艺余量等都不用考虑，可以有效减小随着AMOLED器件的尺寸增大，掩模板的开口变形及精密度下降导致的发光层对位不良问题。
amoled 器件及其工艺

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