专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种雷达探测威力的测量方法-CN201510698208.X在审
  • 张治西;赵东涛;王震;王海风;李皓 - 中国飞行试验研究院
  • 2015-10-23 - 2017-05-03 - G01S7/40
  • 本发明涉及一种雷达探测威力的测量方法,本方法通过将铝金属定标体系留在探空气球或旋翼机上并带到空中;记录雷达探测定标体目标回波信号AGC0和探测距离R0,将所述的回波信号AGC0和探测距离R0作为标准参考值;记录任意空中飞机目标的雷达回波信号AGC和探测距离R;获得所述任意空中飞机目标的RCS值作为测量值σ,公式如下得到测量值σ;根据试验雷达威力指标值σs、探测距离R和雷达公式获得试验雷达回波信号AGCs;将所述的铝金属定标体的RCS值作为标准值σ0;通过所述的测量值σ、任意空中飞机目标的雷达回波信号AGC、探测距离R、试验雷达的威力指标值σs和试验雷达回波信号AGCs得到试验雷达的探测威力Rs,公式为
  • 一种雷达探测威力测量方法
  • [发明专利]一种衬绝缘层高密度离子沉积方法-CN200810035099.3有效
  • 李彬;陈志刚;周俊;赵东涛 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2008-03-25 - 2009-09-30 - H01L21/762
  • 本发明提供了衬绝缘层高密度离子沉积方法,绝缘层高密度离子沉积是在一密封的反应腔内,应腔顶部与侧边接有生成绝缘层的反应介质和引导介质的输送管;衬绝缘层高密度离子沉积是利用射频溅射沉积绝缘层,射频溅射包括对反应介质的分解功率和用于引导绝缘物生长的引导介质的溅射功率两参数,引导介质的溅射功率为2.5~6.5千瓦,整个衬绝缘层沉积时间为3~15秒。同时辅以降低反应介质送入反应腔的速率和量来降低绝缘物的生成速率和小分子的氢气作为主引导介质提高绝缘物生成的均匀性。本发明的沉积方法可有效消除目前衬绝缘层存在的凹口现象。
  • 一种绝缘层高密度离子沉积方法
  • [发明专利]防止氟掺杂氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法-CN200710037467.3无效
  • 鲍震雷;曹涯路;赵东涛 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-02-13 - 2008-08-20 - H01L21/3105
  • 本发明提供了一种防止氟掺杂氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法,涉及半导体器件制造工艺。在现有的工艺中,当表面沉积有氟掺杂氧化膜的晶圆暴露在含有水汽的环境中时,在很短的时间内(一般几个小时),晶圆表面会形成晶体状缺陷,导致晶圆产率的下降。本发明的防止氟掺杂氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法,在晶圆表面完成氟掺杂氧化膜的沉积后,采用pH值介于5~7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤。采用该方法可使氟离子与弱酸电解产生的氢离子结合形成氢氟酸,从而氢氟酸在清洗过程中可直接挥发掉或者被水冲洗掉,有效减少了晶圆表面氟离子的数量,使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷。
  • 防止掺杂氧化表面产生晶体缺陷方法
  • [实用新型]抗静电瓷砖钢地板-CN00200921.8无效
  • 赵东涛 - 赵东涛
  • 2000-01-20 - 2001-07-04 - E04F15/024
  • 本实用新型涉及一种抗静电瓷砖钢地板,它由瓷砖(1)、平面钢板(2)、凹球面形钢板(3)和抗静电胶片(4)组成,其特征在于平面钢板(2)的两面分别固接有瓷砖(1)和凹球面形钢板(3),平面钢板(2)和瓷砖(1)和四周粘接有抗静电胶片(4)。本实用新型与现有技术相比它承载能力强,具有防水、防火、防静电和防腐蚀的优点,是一种理想的高质量的抗静电瓷砖钢地板。
  • 抗静电瓷砖地板

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