专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果27个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]基于陶瓷基板的发光器件及其制造方法-CN201110406771.7有效
  • 周玉刚;姜志荣;赖燃兴;黄智聪;陈海英;曾照明;肖国伟 - 晶科电子(广州)有限公司
  • 2011-12-08 - 2012-07-11 - H01L33/38
  • 本发明公开了一种基于陶瓷基板的发光器件及其制造方法,发光器件包括至少一LED芯片和承载所述LED芯片的陶瓷基板,所述LED芯片下表面设有至少一芯片第一电极和芯片第二电极,所述芯片第一电极呈点阵状离散地分布在所述芯片第二电极之间,所述陶瓷基板上表面设有基板第一电极和基板第二电极,所述基板第一电极包括第一基座和至少一第一叉指,上表面与至少一所述芯片第一电极电连接;所述基板第二电极包括第二基座和至少一第二叉指,上表面与所述芯片第二电极电连接。本发明所述的发光器件降低了对LED芯片的工艺要求,使LED芯片上的离散的电极可以分布更加密集,提高了电流分布的均匀性从而提高了发光效率。
  • 基于陶瓷发光器件及其制造方法
  • [实用新型]一种发光二极管器件-CN201120086961.0有效
  • 王瑞珍;赖燃兴;曹健兴;周玉刚;肖国伟;陈海英 - 晶科电子(广州)有限公司
  • 2011-03-29 - 2012-04-25 - H01L33/62
  • 一种发光二极管器件,包括至少一LED芯片和一电路板。该LED芯片具有一N极和一P极,在N极和P极的表面覆盖一电极层,其中,该N极和P极表面的电极层的厚度相同。该电路板的上表面覆盖一绝缘层,该绝缘层的上表面覆盖一导电层,在该导电层对应该LED芯片的N极的区域的上表面设置有一金属层,该金属层的厚度为LED芯片的N极与P极之间的高度差。该LED芯片倒装设置在该电路板的上,其中,该LED芯片的P极通过电极层与导电层连接,该LED芯片的N极通过电极层和金属层与导电层连接。相对于现有技术,本实用新型的发光器件中的电路板上对应该LED芯片的N极的区域的上表面设置一金属层,简化了LED芯片的设计及制作工艺,进一步提高了LED芯片的性能。
  • 一种发光二极管器件
  • [实用新型]具有高显色性的白光LED器件和LED芯片模块-CN201120187967.7有效
  • 许朝军;周玉刚;姜志荣;赖燃兴;肖国伟 - 晶科电子(广州)有限公司
  • 2011-06-07 - 2012-02-22 - H01L33/58
  • 一种白光LED器件,包括一LED芯片模块、一基板以及一荧光胶。该LED芯片模块包括层叠设置的至少一第一LED芯片和至少一第二LED芯片,以及设置在该第一LED芯片和第二LED芯片之间一半透反射层,该半透反射层直接透射其一侧的光线,而反射其另一侧的光线。该LED芯片模块设置在基板上,该荧光胶设置在基板上并将LED芯片模块包覆。相对于现有技术,本实用新型的白光LED器件及其LED芯片模块在层叠设置的第一LED芯片和第二LED芯片之间设置半透反射层,使半透反射层之下的光线可直接穿透半透反射层且使半透反射层之上的光线同时被反射而不被下层的LED芯片吸收,从而在实现高显色指数且混色均匀的同时,提高LED器件的出光效率。
  • 具有显色性白光led器件芯片模块
  • [实用新型]一种垂直结构的发光器件-CN201120187976.6有效
  • 曹建兴;王瑞珍;赖燃兴;周玉刚;肖国伟 - 晶科电子(广州)有限公司
  • 2011-06-07 - 2012-02-01 - H01L33/46
  • 一种垂直结构的发光器件,包括一LED芯片和一支撑衬底。该LED芯片自上而下依序包括N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层,该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积,该P电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口,使该氮化镓P型层在该窗口处外露。该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔,该反射腔的底面具有一反光层。该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上,且底面具有使垂直于N电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。本实用新型的发光器件具有高外量子效率。
  • 一种垂直结构发光器件
  • [实用新型]一种采用COB封装的发光器件-CN201120086829.X有效
  • 赖燃兴;王瑞珍;曹健兴;周玉刚;肖国伟;曾照明 - 晶科电子(广州)有限公司
  • 2011-03-29 - 2011-11-30 - H01L33/62
  • 一种采用COB封装的发光器件,其包括至少一LED芯片、至少一衬底和一电路板。该LED芯片具有一N极和一P极,在该N极和P极的表面覆盖一电极层。每一个衬底的上表面设置了二衬底焊垫,用以分别与该LED芯片的N极和P极电连接。该电路板包括一基板、一导电层和一绝缘层,该基板具有至少一空腔,该导电层覆盖在该基板的上表面并部分延伸至空腔上方,该绝缘层覆盖在该导电层的上表面。该LED芯片倒装在该衬底上,该LED芯片的N极和P极表面的电极层分别与该衬底的二衬底焊垫连接;该衬底设置在该电路板的空腔内,且该衬底的二衬底焊垫分别通过一金属焊球与该电路板在空腔内的导电层连接。本实用新型的发光器件成本低,良品率及可靠性高。
  • 一种采用cob封装发光器件
  • [发明专利]一种垂直结构的发光器件及其制造方法-CN201110150330.5有效
  • 曹建兴;王瑞珍;赖燃兴;周玉刚;肖国伟 - 晶科电子(广州)有限公司
  • 2011-06-07 - 2011-10-12 - H01L33/10
  • 一种垂直结构的发光器件,包括一LED芯片和一支撑衬底。该LED芯片自上而下依序包括N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层,该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积,该P电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口,使该氮化镓P型层在该窗口处外露。该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔,该反射腔的底面具有一反光层。该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上,且底面具有使垂直于N电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。本发明的发光器件具有高外量子效率。
  • 一种垂直结构发光器件及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top