专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]自偏置锁相环-CN201510618118.5有效
  • 贾海珑 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2015-09-25 - 2020-03-31 - H03L7/099
  • 本发明公开了自偏置锁相环。该自偏置锁相环包括:鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和分频器。其中,该电荷泵可以接收来自环路滤波器的控制电压,并将充电或放电电流调节成与该控制电压呈线性关系;压控振荡器可以根据输入的控制电压产生输出信号,并将该输出信号的频率调节成正比于该控制电压。本发明中,通过将电荷泵的充电或放电电流调节成与控制电压呈线性关系,以及将压控振荡器的输出信号的频率调节成正比于控制电压,从而使得锁相环的开环环路增益、环路闭环的阻尼因子和自然衰减频率均不随频率变化而改变,使得自偏置锁相环具有良好的环路稳定性能。
  • 偏置锁相环
  • [发明专利]环形振荡电路和环形振荡器-CN201510215867.3有效
  • 贾海珑 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-04-29 - 2019-07-16 - H03L7/099
  • 本申请公开了一种环形振荡电路和环形振荡器。其中,该环形振荡电路包括:用于输出偏置电流的参考电压产生电路、偏置电路和环形振荡结构,偏置电路包括:第一NMOS晶体管,漏极和栅极连接到参考电压产生电路的偏置电流输出端;第二NMOS晶体管,栅极和漏极均与第一NMOS晶体管的源极相连接,第二NMOS晶体管的源极接地;第三NMOS晶体管,栅极与第一NMOS晶体管的栅极相连接,漏极与第一PMOS晶体管的漏极相连接;以及电阻R,一端与第三NMOS晶体管的源极相连接,电阻R包括串联的具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的第二电阻。通过本申请,解决了现有技术无法在降低温度系数对环形振荡器输出振荡频率的影响的同时减低功耗和面积的技术问题。
  • 环形振荡电路振荡器
  • [发明专利]片上变压器巴伦-CN201610221561.3有效
  • 贾海珑;刘文华 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-04-11 - 2019-04-26 - H01F27/28
  • 一种片上变压器巴伦,包括:匝数为N的初级线圈,初级线圈的第一、二端子均位于最外匝绕线上,使得初级线圈的绕线存在N‑1个交叠区,初级线圈包括沿绕制方向交错设置的若干第一金属线和若干连接桥,所有第一金属线位于同一平面上,连接桥位于平面下方,在交叠区连接桥与第一金属线电连接,连接桥的上表面被平面下方的介电层覆盖,N大于或等于2;位于平面上的匝数为M的次级线圈,次级线圈的绕线位于初级线圈的相邻两匝绕线之间。本方案的片上变压器巴伦的耦合系数较大,能量损耗较小,初、次级线圈的圈数较大,制造工艺成本低。
  • 变压器
  • [发明专利]环形压控振荡器电路-CN201510192254.2有效
  • 贾海珑 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-04-20 - 2019-02-12 - H03L7/099
  • 本申请提供了一种环形压控振荡器电路。该振荡器电路包括用于抑制电源噪声的噪声抑制单元与振荡单元,噪声抑制单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管与放大器,其中,第一PMOS晶体管包括第一栅极、第一漏极与第一源极,第一源极与电源端相连,第一栅极与电压控制端相连;第二PMOS晶体管包括第二栅极、第二漏极与第二源极,第二源极与第一漏极相连,第二漏极与振荡单元的电压端相连;放大器,放大器的正相输入端与电压控制端相连,反相输入端与第二源极或第二栅极相连,输出端与第二栅极相连。该环形压控振荡器电路提高了电源抑制比,且不包含电容等耗费芯片面积的器件,通过结构简单的噪声抑制单元达到了抑制电源噪声的效果。
  • 环形压控振荡器电路
  • [发明专利]一种用于锁相环的电路结构-CN201410541945.4有效
  • 贾海珑;陈先敏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-10-14 - 2018-10-19 - H03L7/08
  • 本发明提供一种用于锁相环的电路结构,含有上、下支路电流源的电荷泵;所述下支路中设有第一开关管;反相器;所述第一开关管受控并连接于所述反相器的输出端;与所述反相器输入端连接的控制信号;与所述控制信号连接并受控于所述的控制信号的第二开关管;所述第二开关管连接一偏置电流源;所述第二开关管与所述偏置电流源构成的支路并联于所述电荷泵的下支路。本发明的用于锁相环的电路结构提供一种高线性度、低噪声的电荷泵电路,在锁相环锁定和非锁定的状态之间进行切换,该电荷泵有典型工作模式和高线性度、低噪声的工作模式,本发明的电路结构在获得更佳电荷泵性能的同时,不会对锁相环锁定时间产生影响。
  • 一种用于锁相环电路结构
  • [发明专利]延时电路和压控振荡器-CN201510006052.4有效
  • 贾海珑;陈先敏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-01-06 - 2018-09-07 - H03L7/099
  • 一种延时电路和压控振荡器,其中,所述延时电路包括放大单元、调节单元以及负载单元;所述放大单元耦接于所述延时电路的输入端和输出端,所述调节单元分别耦接于所述延时电路的输出端、电源电压以及控制电压,所述负载单元分别耦接于所述延时电路的输出端以及电源电压;调节单元,适于调节所述延时电路的充放电电流;放大单元,适于放大所述延时电路的输出电压;负载单元,适于为所述调节单元提供负阻抗。通过所述延时电路和所述压控振荡器,可以减小延时电路的相位噪声并实现低压控增益。
  • 延时电路压控振荡器
  • [发明专利]CMOS基准源-CN200810022140.3有效
  • 贾海珑;石寅 - 苏州中科半导体集成技术研发中心有限公司
  • 2008-06-25 - 2008-12-10 - G05F1/56
  • 一种CMOS基准源,包括用于输出恒定跨导值电流的恒定跨导值电流源电路、用于输出基准电压的恒定电压基准产生电路、用于输出恒定电流值的恒定电流值电流源电路,通过电阻得到比较电压,恒定电压基准产生电路加压至可调电阻阵列,得到恒定电流值电流源电路的输出电流;需要一个片外电阻,通过管脚分别接入恒定跨导值电流源电路和恒定电流值电流源电路,组成开关并联电路;电阻、比较器、数字控制模块组成用于校正恒定电流值电流源电路输出电流值的反馈校正系统。在CMOS集成电路内部为各核心模块单元电路提供不受温度变化、电源电压变化以及制作工艺偏差影响的、稳定的、高精度的CMOS基准源——恒定跨导值电流源和恒定电流值电流源。
  • cmos基准
  • [发明专利]一种应用于无源射频身份识别系统的电荷泵电路-CN200610171658.4无效
  • 贾海珑;倪卫宁;石寅 - 中国科学院半导体研究所
  • 2006-12-31 - 2008-07-02 - H02M3/07
  • 本发明涉及无源射频身份识别(RFID)技术领域,公开了一种应用于无源射频身份识别系统的电荷泵电路,包括:时钟产生电路,用于产生高频振荡时钟信号,并输出给buffer驱动电路;buffer驱动电路,用于对接收自时钟产生电路的高频振荡时钟信号的时钟波形进行方波整形处理,产生互为反相的时钟信号和CLK,输出给升压电路;升压电路,用于在接收的反相时钟信号和CLK的作用下,将接收的低电压转换为高电压输出,并在维持此高电压输出的同时对电可擦除可编程只读存储器EEPROM编程提供编程电流。利用本发明,为无源射频身份识别系统提供了一种低压升高压的高效率、低功耗DC-DC电荷泵电路,获得的高压实现了对RFID系统中EEPROM的内容进行编程。
  • 一种应用于无源射频身份识别系统电荷电路

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