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[发明专利]影片编辑方法、装置及系统-CN201710874533.6有效
发明人： 谢佳达;卓卿安;刘政德 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H04N21/431 文献下载
摘要：一种影片编辑方法、装置及系统。自原始影片获得目标。基于每一个图框的多个影像特征点，获得各图框分别与其前后相邻的两个图框之间的相对位置关系。分别对所述图框执行调整程序。调整程序包括下述步骤：取出图框N；辨识图框N中的目标；调整图框N以获得新图框，使得目标位于新图框的中心；以及基于相对位置关系来修饰新图框进而获得后制图框。基于多个后制图框来输出处理后影片。
影片编辑方法装置系统

[发明专利]识别影像中前景物件的方法与电子装置-CN201811621011.6有效
发明人： 谢佳达;陈裕彦 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H04N13/128 文献下载
摘要：一种识别影像中前景物件的方法与电子装置。所述方法包括：将第一影像与第二影像进行分割以取得第一影像的第一影像区块与第二影像的第二影像区块；比较第一影像区块与第二影像区块以获得分别对应第一影像区块的多个视差值，并产生包含这些视差值的视差影像；将视差影像中每一个视差值与第一门槛值相比较以形成一视差深度影像，并自视差深度影像中选择被选区块以形成第一区域；以及将第一区域映射至第一影像中以识别出被映射到的物件并将此物件识别为前景物件。
识别影像前景物件方法电子装置

[发明专利]绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路-CN202011055346.3在审
发明人：吴政达;谢佳达;巫国维;张煜群;曾映绫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请的各个实施例针对一种用于形成具有厚器件层和厚绝缘体层的绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。在一些实施例中，该方法包括形成覆盖处理衬底的绝缘体层，以及在牺牲衬底上外延形成器件层。将牺牲衬底接合到处理衬底，使得器件层和绝缘体层位于牺牲衬底和处理衬底之间，并且去除牺牲衬底。去除包括对牺牲衬底执行蚀刻，直到到达器件层。因为器件层是通过外延形成的并且转移到处理衬底，所以器件层可以形成为具有较大的厚度。此外，因为外延不受绝缘体层的厚度的影响，所以绝缘体层可以形成为具有较大的厚度。本发明的实施例还涉及绝缘体上半导体(SOI)衬底及其形成方法、集成电路。
绝缘体上半导体 soi 衬底及其形成方法集成电路

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201711275053.4有效
发明人：林舜宽;谢佳达;黄成铭;何企伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及形成配置为改进邻近的栅极结构之间的介电填充的侧壁间隔件的方法。在一些实施例中，该方法可以通过在第一栅极结构上方和第二栅极结构上方沉积侧壁间隔件材料来实施。对侧壁间隔件材料实施第一蚀刻工艺以形成围绕第一栅极结构的第一中间侧壁间隔件并且形成围绕第二栅极结构的第二侧壁间隔件。在衬底上方形成掩模材料。第一中间侧壁间隔件的一部分从掩模材料向外突出，而第二侧壁间隔件由掩模材料完全覆盖。之后，对第一中间侧壁间隔件的从掩模材料向外突出的一部分实施第二蚀刻工艺以形成凹进至第一栅极结构的最上表面之下的第一侧壁间隔件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]手势识别方法以及手势识别装置-CN201910256898.1在审
发明人： 谢佳达;朱庭锋 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本公开提出一种手势识别方法及手势识别装置。手势识别方法包括以下步骤：取得手部影像，其中手部影像包含手势图形；决定在手势图形内的参考点；以参考点为圆心来决定多个圆弧参考线；决定所述多个圆弧参考线分别与手势图形的边界交错的多个交点；依据所述多个圆弧参考线以及所述多个交点来判断手势图形的多个手指区域的至少二手指区域是否符合靠近趋势，以及步判断手势图形于选定范围内的所述至少二手指区域是否形成连续图形区域；以及当手势图形的所述至少二手指区域符合靠近趋势，并且形成连续图形区域时，决定手部影像为手部捏取影像。
手势识别方法以及装置

[发明专利]光学触控系统、光学触控装置及其触控检测方法-CN201610093820.9有效
发明人： 谢佳达;陈裕彦 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提出了一种光学触控系统、光学触控装置及其触控检测方法。光学触控系统包括光学触控装置以及触控笔。光学触控装置包括触控面板、多个光学传感器、第一光源以及处理器。触控面板具备触控面。第一光源周期性地产生第一光线。触控笔包括开关模块以及第二光源。当触控笔触碰触控面时，开关模块使第二光源产生第二光线。处理器依据光学传感器所接收的第一光线与第二光线判定触控笔的位置。
光学系统装置及其检测方法

[发明专利]手势识别方法、手势识别模块及手势识别系统-CN201810987004.1在审
发明人： 谢佳达;朱庭锋;吕帼闲;邱志豪 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种手势识别方法、手势识别模块及手势识别系统。手势识别方法包含：对一影像进行一二值化处理，以取得一二值化影像，其中该二值化影像包括多个前景像素以及多个背景像素；判断该二值化影像中该多个前景像素是否包围至少一第一背景像素；以及当该多个前景像素包围该第一背景像素时，判断一手势符合一预设手势。
手势识别方法模块系统

[发明专利]触控装置及其坐标校正方法-CN201410603660.9有效
发明人：甘伟国;黄国庭;陈裕彦;谢佳达 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触控装置及其坐标校正方法。通过计算校正区块的变形误差量来决定是否对校正区块进行切割，借此使得切割后的每一个校正区块的变形误差量小于或等于预设阈值。并且取得各校正区块的校正参数组。据此，在操作程序中，基于校正参数组来对使用者的触碰行为进行校正。通过将显示画面切割为多个校正区块，可降低校正区块的变形程度，进而提高校正后位置的精确度。
装置及其坐标校正方法

[发明专利]触控输入系统、触控位置产生装置及方法-CN201410490786.X有效
发明人： 谢佳达;陈裕彦 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：一种触控输入系统、触控位置产生装置及方法。该方法用以决定一触控位置产生装置在一触控表面上的一触控位置，一反射结构环绕该触控表面设置并突出于该触控表面，该方法包括下列步骤：(a)使用该触控位置产生装置靠近该触控表面并朝向该反射结构发射光线；(b)使用该触控位置产生装置以接收被该反射结构相对于该触控表面反射的该光线；以及(c)使用该触控位置产生装置以根据该接收的光线，决定该触控位置。本发明能独立于提供该触控表面的装置而决定出该触控位置，故能轻易地适用于各种尺寸的触控表面，提供更具弹性的设计及使用。
触控位置触控表面产生装置反射结构触控输入系统发射光线弹性的反射环绕

[发明专利]检测触控方法及其光学触控系统-CN201410254834.5有效
发明人： 谢佳达;陈裕彦;吕帼闲 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测触控方法及其光学触控系统，该检测触控方法包含有控制一发光元件以及多个光源分时发光；于该多个光源发光期间，利用一反光元件反射该多个光源的光线以及撷取一第一图像；于该发光元件发光期间，撷取一第二图像；以及根据该第一图像以及该第二图像计算该发光元件位于一触控面板上的一第一位置以及该反光元件位于该触控面板上的一第二位置。本发明达到多点触控以及避免鬼点发生的效果。
检测方法及其光学系统

[发明专利]存储器元件和快闪存储器阵列读取操作方法及其结构-CN201110085950.5有效
发明人： 谢佳达;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储器元件和快闪存储器阵列读取操作方法及其结构，该存储器元件读取操作方法，适用于包括多个快闪存储器单元的存储器单元，包括：施加第一电压偏压至选取的存储器单元的控制栅极；施加第二电压偏压至电性连接至选取的上述存储器单元的第一字线；使不选取的存储器单元的控制栅极接地；施加第三电压偏压至电性连接至不选取的存储器单元的第二字线以不导通不选取的存储器单元的字线通道，其中所选取的存储器单元和不选取的存储器单元配置在存储器元件且电性连接至不同字线；第一电压偏压和第二电压偏压具有一相同极性；以及第三电压偏压和第二电压偏压具有相对极性。本发明解决了快闪存储器的读取干扰问题，并可改善或抑制电流泄漏问题。
存储器元件闪存阵列读取操作方法及其结构

[发明专利]单晶体管EEPROM阵列及操作方法-CN201010148475.7有效
发明人：吴俊沛;谢佳达;洪至伟;陈宏岳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：一种集成电路结构，包括电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)阵列，其包括：按行和列排列的EEPROM单元，沿列方向延伸的多条字线和多条漏极线，以及沿行方向延伸的多条源极线。多条字线中的每一条均连接到同一列中的EEPROM单元的控制栅。多条漏极线中的每一条均连接到同一列中的EEPROM单元的漏极，其中没有一条漏极线被EEPROM单元的相邻列共享。多条源极线中的每一条均连接到同一行中的EEPROM单元的源极。
晶体管 eeprom 阵列操作方法

[发明专利]非易失性现场可编程门阵列-CN200910173956.0有效
发明人：洪至伟;谢佳达;陈昆仑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种非易失性存储器，包括连接到位线和字线上的第一互补金属氧化物半导体(CMOS)器件以及连接到第一CMOS器件上的第二CMOS器件。第二CMOS器件还连接到互补位线与互补字线上。第一CMOS器件和第二CMOS器件互相互补。输出节点连接在所述第一CMOS器件和所述第二CMOS器件之间。一种编程NV-FPGA的方法包括：连接信息处理系统到FPGA上，对FPGA中的多个存储单元执行块擦除，校验所述块擦除成功，对所述FPGA的上页进行编程，校验所述上页编程成功，对所述FPGA的下页进行编程，以及校验所述下页编程成功。
非易失性现场可编程门阵列

[发明专利]制造微电子装置的方法及应用此方法的半导体装置-CN200910000109.4无效
发明人：许俊豪;谢佳达;吴俊沛;李俊鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-01-05 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明是有关于一种制造微电子装置的方法及应用此方法的半导体装置。该制造微电子装置的方法包括以下步骤：形成多个凹陷的浅沟渠隔离特征于半导体基材中，定义半导体区于该些凹陷的浅沟渠隔离特征的相邻二者间；形成穿隧介电特征于半导体区内；形成氮化物层于该些凹陷的浅沟渠隔离特征及穿隧介电特征上；蚀刻氮化物层，形成多个氮化物开口于该些凹陷的浅沟渠隔离特征内；通过该些氮化物开口部分地移除该些凹陷的浅沟渠隔离特征，产生介于氮化物层及该些凹陷的浅沟渠隔离特征间的多个间隙；及形成第一介电材料于氮化物层的多个表面，密封该些氮化物开口。该半导体装置包括：凹陷的浅沟渠隔离特征：穿隧氧化物特征；氮化硅层；及氧化硅层。
制造微电子装置方法应用半导体

[发明专利]晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列-CN200610173268.0有效
发明人：张毅敏;谢佳达;陆湘台 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种2－晶体管(2T)非易失性存储器单元，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管以及第二晶体管分别具有：源极以及漏极，由其间的沟道所分开；在该沟道上方靠近该源极端的浮置栅极；以及在该浮置栅极及该沟道上方靠近该漏极端的控制栅极。第一以及第二晶体管的源极、浮置栅极、以及控制栅极分别互相连接。此外，第二晶体管的驱动能力大于第一晶体管的驱动能力。
晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列

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