专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置-CN201911356689.0在审
  • 李相宪;许炫 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-12-25 - 2020-11-20 - G11C5/02
  • 提供一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括:存储器单元阵列,其设置在基板上;位线,其连接至存储器单元阵列;外围电路,其设置在存储器单元阵列和基板之间,外围电路包括晶体管;导线,其设置在存储器单元阵列和晶体管之间;下连接结构,其连接导线和晶体管;以及两个或更多个上连接结构,其连接位线和导线,两个或更多个上连接结构彼此间隔开。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN201310047336.9有效
  • 许炫 - 爱思开海力士有限公司
  • 2013-02-05 - 2019-02-01 - G11C16/24
  • 本发明提供一种半导体存储器件,包括:第一存储块组,第一存储块组包括与第一子位线耦接的存储块;第二存储块组,第二存储块组包括与第二子位线耦接的存储块;操作电路,操作电路与主位线耦接且被配置为执行用于选自第一存储块组或第二存储块组中的存储块的数据输入/输出的操作;以及位线控制电路,位线控制电路被配置成响应于用于选择第一存储块组和第二存储块组中的包括选中的存储块的存储块组的组选择信号,以及由操作电路控制的主位线的电压,来不同地控制选中的存储块组的子位线和未选中的存储块组的子位线。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]形成存储器件的方法-CN200610004536.6无效
  • 许炫 - 海力士半导体有限公司
  • 2006-01-27 - 2006-10-04 - H01L21/8239
  • 本发明提供一种形成存储器件的方法,该方法包括:在一半导体衬底上形成第一隔离结构及第二隔离结构,该第一隔离结构与该第二隔离结构在其间界定一有源区;及蚀刻该有源区内所提供的半导体衬底的一部分以界定一台阶式轮廓,从而使得该有源区包括一第一垂直部分及一上主要表面,该第一垂直部分在该上主要表面上延伸。
  • 形成存储器件方法

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