“西安奕斯伟硅片技术有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果717个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单晶硅生长装置及其工作方法-CN202211602705.1在审
发明人：张艺楠;张鹏举 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅生长装置及其工作方法，属于半导体制造技术领域。单晶硅生长装置，包括：用以盛放硅溶液的坩埚组件；位于所述坩埚组件沿竖直方向的上方的导流筒，所述导流筒具有直径监测孔；位于所述导流筒沿竖直方向的上方的光感相机，所述光感相机通过所述直径监测孔对生长的晶棒进行直径的测量；控制单元，用于根据所述导流筒的位置调整所述光感相机的位置。本发明的技术方案能够精确控制晶棒的直径。
单晶硅生长装置及其工作方法

[发明专利]检测晶圆表面激光打标的方法、装置、设备及存储介质-CN202310071140.7在审
发明人：李佳豪;史进 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种检测晶圆表面激光打标的方法、装置、设备及存储介质；所述方法包括：预先获取晶圆表面打标编码的多种异常类型；利用OCR识别系统读取待测晶圆表面的打标编码，并根据读取结果判定所述打标编码所对应的潜在异常类型；利用CCD识别系统采集所述待测晶圆表面的打标编码的图像信息，基于所述图像信息及所述潜在异常类型，按照设定的判定规则判定所述打标编码对应的实际异常类型。
检测表面激光标的方法装置设备存储介质

[发明专利]硅片夹持装置及硅片清洗设备-CN202211522745.5在审
发明人：李亮亮;贺鑫 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片夹持装置及硅片清洗设备，属于半导体制造技术领域。硅片夹持装置，包括：支撑部；设置在所述支撑部一端的夹持部，所述夹持部的第一端与所述支撑部连接，所述夹持部的第二端设置有凹槽状的夹持开口，所述夹持开口的朝向与水平面平行；其中，从所述第一端到所述第二端的方向上，所述夹持部的尺寸逐渐变小。本发明的技术方案能够提高硅片的清洗效果。
硅片夹持装置清洗设备

[发明专利]一种用于硅片的外延生长的基座支撑架、装置及方法-CN202110912704.6有效
发明人：俎世琦;金柱炫 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于硅片的外延生长的基座支撑架、装置及方法；所述基座支撑架包括：从所述基座支撑架的纵向轴线开始径向向外并且轴向向上延伸的四根基座支撑手臂，所述四根基座支撑手臂在绕所述纵向轴线的周向方向上均匀分布，所述四根基座支撑手臂的远端部一起支撑用于对所述硅片进行承载的基座；分别连接至所述四根基座支撑手臂上的四个凹透镜，每个凹透镜沿着所连接的所述基座支撑手臂延伸，所述四个凹透镜设置成使得相应于承载在所述基座中的所述硅片的四个110晶向分别在竖向上与所述四根基座支撑手臂对准，在所述竖向上经由所述四个凹透镜分别辐射到所述硅片的四个110晶向的位置处的辐射热能够被所述四个凹透镜折射并发散。
一种用于硅片外延生长基座支撑架装置方法

[发明专利]颗粒物去除装置、外延设备及其工作方法-CN202211584980.5在审
发明人：王迪;王力;刘宝阳;王雄 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种颗粒物去除装置、外延设备及其工作方法，属于半导体制造技术领域。颗粒物去除装置，用于去除外延炉内的颗粒物，所述外延炉包括炉体，所述炉体包括上部石英罩和下部石英罩，所述上部石英罩与所述下部石英罩扣合形成所述炉体的内腔，所述颗粒物去除装置包括：刻蚀气体提供模块，用于向所述炉体内通入刻蚀气体；温度测量模块，用于监测所述上部石英罩的温度，生成温度数据，并将所述温度数据发送给控制模块；所述控制模块，用于接收所述温度数据，并根据所述温度数据向降温模块发送工作指令；所述降温模块，用于接收所述工作指令，根据所述工作指令对所述上部石英罩进行降温。本发明的技术方案能够有效去除外延炉中的颗粒。
颗粒去除装置外延设备及其工作方法

[发明专利]一种单晶炉及二次加料方法-CN202211627409.7在审
发明人：余崇江 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶炉及二次加料方法，所述单晶炉包括：炉体，其包括炉室；及至少一组挡块机构，每组所述挡块机构包括挡块及升降单元，所述挡块设置在所述炉室的内周壁上，且所述挡块连接至所述升降单元上，并在所述升降单元驱动下能够沿所述炉室轴向移动。本公开实施例提供了一种单晶炉及二次加料方法，能够在加料管的加料过程中灵活调整加料管的高度。
一种单晶炉二次加料方法

[发明专利]单晶炉和晶体生长方法-CN202211687035.8在审
发明人：潘浩;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉，包括炉体、坩埚、导流筒、水冷套、所述水冷套靠近所述坩埚的一端设置有用于喷射冷却气体的第一环形喷嘴。本发明还涉及一种晶体生长方法。通过第一环形喷嘴的设置，可以加速晶体的冷却，提高生产效率，且通过调节冷却气体的流量和压力可以改善晶体的轴向方向上的温度梯度变化，以控制晶体内部缺陷的生成。
单晶炉晶体生长方法

[发明专利]抛光装置及其工作方法-CN202211687043.2在审
发明人：张伟 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B24B41/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种抛光装置及其工作方法，属于半导体制造技术领域。抛光装置，包括：相对设置的上抛光头和下抛光头；固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘表面上的下抛光垫；设置在所述下定盘边缘的检测单元，用于检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；与所述检测单元连接的报警单元，用于在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。本发明的技术方案能够提高硅片的产品品质。
抛光装置及其工作方法

[发明专利]外延生长方法及外延晶圆-CN202211585627.9在审
发明人：杨金柱;王力 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延晶圆，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室、位于所述反应腔室内的基座、用于对所述反应腔室进行加热的加热模组，所述加热模组包括位于所述基座沿竖直方向的上方的第一加热组件和位于所述基座沿竖直方向的下方的第二加热组件，所述外延生长方法包括：在将抛光后的晶圆放置在所述基座上之前，控制所述第一加热组件和所述第二加热组件对所述反应腔室进行加热，且所述第一加热组件的热发射率大于所述第二加热组件的热发射率。本发明的技术方案能够消除外延晶圆背面的Halo，提高外延晶圆的产品良率。
外延生长方法

[发明专利]用于线切割硅棒的方法、设备及硅片-CN202211601961.9在审
发明人：李安杰;李旭;张婉婉;衡鹏;徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于线切割硅棒的方法、设备及硅片，所述方法包括：采用第一线切割工艺参数组线切割第一硅棒以获得多个样本硅片；获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度；基于所述起伏角度判断是否存在所述线切割线痕从高效切割面向低效切割面的偏移趋势；基于判断结果，根据所述起伏角度的大小，调整所述第一线切割工艺参数组中的一个或更多个线切割工艺参数以形成第二线切割工艺参数组；采用所述第二线切割工艺参数组线切割第二硅棒。
用于切割方法设备硅片

[发明专利]边缘抛光装置和边缘抛光方法-CN202211607168.X在审
发明人：孙介楠;陈曦鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种边缘抛光装置，包括承载待抛光件的承载面，抛光鼓和与所述抛光鼓枢接的多个连接杆，每个所述连接杆的两端分别设置有抛光垫和配重锤，所述连接杆上还设置有用于在所述抛光鼓旋转过程中自动调整所述连接杆与所述抛光鼓的外周面之间的角度的调节结构。通过所述调节结构的设置，可以在抛光过程中动态调整，提高对硅片边缘进行抛光的多个抛光垫对硅片的作用力的均匀性，避免由于抛光垫与硅片边缘之间的作用力不均匀，导致硅片边缘轮廓发生变化，甚至破片问题的发生。
边缘抛光装置方法

[发明专利]清洗系统及方法-CN202211609580.5在审
发明人：韩嘉豪;党志伟 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种清洗系统及方法，涉及设备清洗技术领域，清洗系统包括：槽体、药液存放单元、供给管路、循环管路和设置在循环管路上的循环泵；槽体包括：主槽和副槽，副槽设置在主槽的槽口边缘，以使主槽中的液体能够溢流至副槽中；药液存放单元通过供给管路与副槽连通；循环管路的一端与副槽连通，循环管路的另一端与主槽连通；药液存放单元中的药液通过供给管路输入副槽，副槽中的药液通过循环管路输入主槽，药液与主槽中的水混合得到清洗液并溢流至副槽中，清洗液通过循环管路循环清洗主槽和副槽。
清洗系统方法

[发明专利]晶圆隐裂检测装置及晶圆隐裂检测方法-CN202211678732.7在审
发明人：胡斌;李昊;刘永亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶圆隐裂检测装置及方法，该装置包括：用于承载待测晶圆的载台单元；用于向载台单元上的待测晶圆执行按压动作的按压单元，按压单元位于载台单元的上方，按压单元包括按压杆及驱动件，按压杆轴向垂直于载台单元且沿其自身轴向可运动，按压单元在其轴向上靠近载台单元的一端设有按压头，驱动件连接至按压单元在其轴向上远离载台单元的一端；及用于根据预设按压参数以控制按压单元工作状态的控制单元，预设按压参数包括以下至少一项：按压力度、按压次数、按压位置和按压时间。本公开实施例的晶圆隐裂检测装置及方法能够解决现有技术中晶圆手动检测法不能定量化放大晶圆隐裂损伤的问题，提高检测精度，检出率高。
晶圆隐裂检测装置方法

[发明专利]外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置-CN202211684529.0在审
发明人：崔贤斌;金柱炫;张海博;梁鹏欢 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供一种外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置。外延晶圆生产设备包括反应腔以及设置于所述反应腔内的气体输入管路和排气管路，其中，所述排气管路用于排出所述反应腔内的气体，所述气体输入管路包括主输入管路和辅助输入管路，所述主输入管路和所述辅助输入管路独立控制，所述主输入管路用于向所述反应腔输入掺杂气体和硅源气体，所述辅助输入管路用于向所述反应腔输入掺杂气体。本发明通过设置辅助输入管路在外延晶圆的成膜阶段输入辅助掺杂气体，能够改善成膜效果，提高外延晶圆的电阻率的均一性。
外延生产设备方法装置

[发明专利]用于硅片的外延生长方法-CN202211616092.7在审
发明人：梁鹏欢;王力 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本公开涉及用于硅片的外延生长方法，其包括：在反应腔室的基座的用于放置硅片的表面上形成多晶硅层；使硅片进入反应腔室以被置于基座的表面上并向反应腔室通入H2；使反应腔室的温度达到第一预定温度；在第一预定温度下对硅片的表面进行H2烘烤持续第一预定时间；使反应腔室的温度达到第二预定温度；在第二预定温度下向反应腔室通入HCl气体持续第二预定时间；向反应腔室通入SiHCl3气体以在硅片的表面上沉积成膜；以及对反应腔室进行H2吹扫并使硅片卸载退出反应腔室。通过该方法，可以改善外延硅片表面的雾状缺陷。
用于硅片外延生长方法