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[发明专利]一种镜像更新方法、装置以及介质-CN202310623854.4在审
发明人：姬飞飞;董宜清;彭继阳;贺凯;孙明明;袁晓佳;李乐乐 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明涉及镜像更新技术领域，公开了一种镜像更新方法、装置以及介质，相对于当前技术中，基板管理控制器需要从优盘等存储介质上获取更新镜像，造成了成本浪费和安全问题，采用本技术方案，通过智能平台管理接口实现了基本输入输出系统的带内更新。基板管理控制器在检测到预设的更新条件的情况下，根据智能平台管理接口命令，通过通用串行总线通道或键盘控制器方式通道从服务器操作系统中获取更新镜像，可见，本发明中的更新镜像是通过智能平台管理接口命令从服务器操作系统中获取的，实现了带内获取，获取更新镜像后，根据更新指令确定镜像的存储位置，将更新镜像覆盖至存储位置以完成镜像更新，无需使用额外的存储介质，避免了成本浪费。
一种更新方法装置以及介质

[发明专利]I2C设备的访问管理方法、装置、服务器及存储介质-CN202310565473.5在审
发明人：贺凯;彭继阳;姬飞飞;袁晓佳;李乐乐;孙明明 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04L67/51 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种I2C设备的访问管理方法、装置、服务器及存储介质，包括：获取目标监控进程发送的设备访问请求，其中，所述设备访问请求中携带有待访问的目标I2C设备的第一设备信息；基于所述第一设备信息查询所述目标I2C设备是否与其他监控进程交互，得到查询结果；基于所述查询结果确定对所述目标监控进程发送的访问请求的应答策略；基于所述应答策略对所述目标监控进程发送的访问请求进行应答并对所述目标I2C设备进行访问管理。由此，增加访问控制管理模块通过分时处理访问请求解决访问冲突的问题，可以有效提升服务器的安全性、稳定性。
i2c 设备访问管理方法装置服务器存储介质

[发明专利]一种告警信息生成方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310300506.3在审
发明人：孙明明;彭继阳;姬飞飞;贺凯;袁晓佳;李乐乐 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F11/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种告警信息生成方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取所述服务器的硬件的运行日志和预告警信息；将所述运行日志和所述预告警信息发送至所述监测平台；所述监测平台包括原生预测模型；所述监测平台用于生成自动化推理模型，并通过所述自动化推理模型和所述原生预测模型基于所述运行日志和所述预告警信息生成告警信息；接收所述监测平台发送的告警信息，从而实现了生成针对服务器硬件故障的告警信息，提升了告警信息的准确性，进而避免了服务器宕机。
一种告警信息生成方法装置电子设备存储介质

[发明专利]塔机侧倾监测系统、方法和存储介质-CN202211710235.0在审
发明人：王云峰;赵国良;袁晓佳 -专利权人：北京东土科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B66C13/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种塔机侧倾监测系统、方法和存储介质。该塔机侧倾监测系统包括处理装置、设置于塔身顶端区域第一位置的激光发射装置以及设置于塔身底端区域第二位置的激光接收装置，其中所述处理装置用于根据所述激光接收装置的激光接收位置偏移距离以及第一位置与第二位置之间的距离计算塔身的侧倾角度。实施本申请的方案，通过布置于塔机塔身顶底两端的激光发射装置和激光接收装置之间的交互体现塔身在侧倾前后的侧倾偏移程度(激光接收位置偏移距离)，并基于该侧倾偏移程度以及上下布置高度差计算获得塔身的侧倾角度，这样能够有效提升塔身侧倾角度的测量准确性，从而提升塔机的控制性能和塔机的安全性能。
塔机侧倾监测系统方法存储介质

[发明专利]一种塔吊的现场安全控制方法、控制器及计算设备-CN202211666618.2在审
发明人：刘洲印;赵平;程旭刚;李兴旺;郝宝君;袁晓佳;滕海亮 -专利权人：北京东土科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B66C13/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种塔吊的现场安全控制方法、控制器及计算设备，所述方法包括：控制吊钩按照规划路径点在轴空间运动，每两个相邻的规划路径点通过若干个控制周期到达，在每个控制周期获得吊钩当前在轴空间的坐标；根据当前的变幅长度、吊装重量和塔吊的工作参数获得吊钩当前在轴空间每个方向的最大允许速度；根据吊钩当前在轴空间的坐标与速度、所述最大允许速度、未到达规划路径点获得塔吊下个控制周期在轴空间到达位置坐标和目标速度。本发明实施例的技术方案一边驱动吊钩运动，一边根据吊装重量和当前变幅长度获得当前在各个轴方向允许的最大速度，以在下个控制周期控制每个轴的速度不超过该轴的最大速度，实现塔吊安全运动。
一种塔吊现场安全控制方法控制器计算设备

[实用新型]一种P-TOPCON背结电池-CN202223177340.0有效
发明人：朱晶晶;袁晓佳;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种P‑TOPCON背结电池，包括硅基体，硅基体的背面依次设置有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化层及背金属电极；硅基体的正面设置有细栅线，硅基体的正面对应设置细栅线的区域上设置有硼掺杂前场，硅基体设置硼掺杂前场的正面还依次设置有正面钝化减反层和正金属电极，正金属电极的一端与硼掺杂前场形成接触，正金属电极的另一端延伸至正面钝化减反层外。本实用新型提供的P‑TOPCON背结电池，只在正金属电极处设置重掺杂前场，加强金属电极与硅基体的接触，与传统的整面分区域掺杂结构相比，减少金属复合，无横向载流子传输损失，同时大大简化工艺流程。
一种 topcon 电池

[实用新型]一种P-TBC背接触结构晶体硅太阳能电池-CN202223198409.8有效
发明人： 袁晓佳;赵福祥;费存勇 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种P‑TBC背接触结构晶体硅太阳能电池，包括p型硅基体，硅基体的正面依次设有硼掺杂前场和正面钝化层，硅基体背面包括间隔设置的第一背接触区、第二背接触区，第一背接触区与第二背接触区通过背面钝化层分隔，第一背接触区包括第一隧穿氧化层和硼掺杂的多晶硅层，第二背接触区包括第二隧穿氧化层和磷掺杂的多晶硅层，且磷掺杂的多晶硅层远离第二隧穿氧化层的一侧面、硼掺杂的多晶硅层远离第一隧穿氧化层的一侧面均为背面钝化层；硼掺杂的多晶硅层、背面钝化层上设有第一金属电极，磷掺杂的多晶硅层、背面钝化层上设有第二金属电极。本实用新型提供的电池，具有较高的电流以及很好的开路电压且适用于低成本的p型硅片。
一种 tbc 接触结构晶体太阳能电池

[发明专利]一种具有硼选择性发射极的太阳能电池的制备工艺-CN202211524304.9在审
发明人： 袁晓佳;赵福祥;费存勇;朱晶晶;沈健锋 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有硼选择性发射极的太阳能电池的制备工艺，包括：(1)对N型单晶硅片预处理；(2)对硅片正面进行硼扩散形成P+发射极；(3)对硅片正面进行激光推进，形成激光推进掺杂层；(4)对硅片进行第一次清洗；(5)在硅片的激光推进掺杂层上沉积p+++掺杂硼层；(6)对硅片氧气退火；(7)对硅片进行第二次清洗；(8)在硅片背面依次生长隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层；(9)对硅片进行第三次清洗；(10)在硅片正面沉积正面钝化减反射层，在硅片背面沉积背面钝化层；(11)在硅片正背面印刷金属浆料并烧结。本发明提供的工艺，增加激光区域的硼浓度、减少金属与硅之间的接触势垒，改善后期金属接触，提高电池效率。
一种具有选择性发射极太阳能电池制备工艺

[发明专利]塔吊变频器的纠偏控制方法及装置、计算设备和存储介质-CN202211327032.3在审
发明人：刘洲印;赵平;程旭刚;袁晓佳;滕海亮;李兴旺;郝宝君;施宏杰;荣强强;郭丽萍 -专利权人：北京东土科技股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B66C13/48 文献下载
摘要：本申请实施例涉及智能控制技术领域，且涉及一种塔吊变频器的纠偏控制方法及装置、计算设备和存储介质。该方法具体方案为：获取塔吊电机在设定频率下运行时产生的编码器数据；根据所述编码器数据计算电机实际转速，根据所述电机实际转速和电机额定转速计算偏差系数；根据所述偏差系数，对变频器的频率进行纠偏控制。本申请实施例可动态获取塔吊的物理参数，并根据物理参数计算出偏差系数，利用偏差系数纠正变频器的频率偏差，以对塔吊运行实施精准控制，确保塔吊自动运行的准确性。
塔吊变频器纠偏控制方法装置计算设备存储介质

[发明专利]一种TOPCon电池的制备方法-CN202211200238.X在审
发明人：刘俊稳;袁晓佳;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种TOPCon电池的制备方法，包括：(1)对硅片进行清洗制绒；(2)对清洗制绒后的硅片正面进行硼扩散；(3)去除硅片背面BSG；(4)对硅片背面碱抛光；(5)在硅片背面生长隧穿氧化层并沉积本征非晶硅层；(6)去除硅片正面非晶硅绕镀；(7)对硅片背面进行磷扩散；(8)去除硅片正面的PSG、隧穿氧化层、BSG、BPSG及硅片背面PSG；(9)对硅片正面、背面均沉积钝化减反射膜；(10)对硅片正面、硅片背面均制备电极。本发明的提供的制备方法，可以避免直接背面磷扩散绕镀到正面形成PSG/BPSG及覆盖在PSG下面的poly‑Si难以去除及去除后存在绕镀痕迹导致外观不良的问题，提高电池良率。
一种 topcon 电池制备方法

[实用新型]N-TBC背接触太阳能电池背面结构及太阳能电池-CN202221643142.6有效
发明人： 袁晓佳;赵福祥;费存勇 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种N‑TBC背接触太阳能电池背面结构及太阳能电池，N型晶体硅基体的背面由内向外设置有隧穿氧化层、n+掺杂层，所述的隧穿氧化层和所述的n+掺杂层上局部开设有第一开槽，所述的第一开槽的内表面以及所述的n+掺杂层远离所述的隧穿氧化层的一表面均设置有背面钝化层；设置在所述的n+掺杂层远离所述的隧穿氧化层一表面的背面钝化层上开设有第二开槽，所述的第二开槽内设置有铝发射极，对应所述的n+掺杂层设置有银电极。本实用新型提供的N‑TBC背接触结构晶体硅太阳能电池，结构简单，可兼容PERC产线设备，电池成本低。
tbc 接触太阳能电池背面结构

[发明专利]一种TOPCon电池制备方法及电池-CN202211165689.4在审
发明人：沈健锋;袁晓佳;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种TOPCon电池制备方法及电池，方法包括：S1：对N型硅片进行清洗和制绒；S2：对正面进行硼扩散掺杂；S3：对背面进行抛光；S4：对背面生长隧穿氧化层和非晶硅层；S5：对背面进行磷扩散掺杂；S6：清洗去除正面绕镀的多晶硅，并保留预设厚度的BSG层；S7：对正面进行激光掺杂；S8：对正面和背面的膜层均进行RCA清洗；S9：对N型硅片的正面和背面均分别生长保护层、钝化层；S10：对N型硅片的正面和背面均印刷金属电极。本发明提供的电池制备方法，可有效减少载流子在扩散层的横向流动，减小载流子复合速率，提高电池的开压和电流，减少前金属电极的接触电阻，改善填充因子，从而提高转换效率。
一种 topcon 电池制备方法

[实用新型]一种N型钝化接触太阳能电池片-CN202220598211.X有效
发明人：朱晶晶;赵福祥;费存勇;袁晓佳 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型钝化接触太阳能电池片，包括由内向外设置在硅片正面上的第一二氧化硅层、正面钝化减反膜层和正面金属电极，所述硅片为N型硅。本实用新型的一种N型钝化接触太阳能电池片，通过在硅片正面钝化减反膜层之前设置一层第一二氧化硅层，利用二氧化硅对硅片表面形成保护，以消除或减弱后续沉积正面钝化膜时对硅片表面造成的射频损伤或热处理损伤，从而减少表面复合，增强钝化效果；另外，该太阳能电池片的改进无需引入新设备，可直接利用PERC产线的原有氧化设备，能够有效降低投入成本。
一种钝化接触太阳能电池

[发明专利]具有选择性发射极的N型太阳能电池的制备方法及电池-CN202210729584.0在审
发明人：朱晶晶;袁晓佳;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有选择性发射极的N型太阳能电池的制备方法及电池，方法包括：(1)预处理；(2)硅片正面进行第一次硼扩散，形成整面重扩区；(3)对硅片背面依次生长隧穿氧化层、沉积重掺杂的非晶硅层与掩膜层；(4)去除正面绕镀的多晶硅，保留预设厚度BSG层；(5)对硅片正面非栅线区激光开槽，去除非栅线区重扩区；(6)对硅片正面激光开槽清洗制绒；(7)对硅片正面进行第二次硼扩散，在激光开槽处形成轻扩区，同时实现非晶硅层的晶化；(8)去除硅片正背面BSG层、背面掩膜层；其中，重扩区结深大于轻扩区结深，重扩区方阻小于轻扩区方阻。本发明提供的方法，无需正面制备掩膜，非晶硅层晶化无需高温退火，简化工艺流程。
具有选择性发射极太阳能电池制备方法电池

[发明专利]一种演奏机器人控制系统-CN202210774021.3在审
发明人：王云峰;刘洲印;袁晓佳;李兴旺;施宏杰;荣强强 -专利权人：北京东土科技股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种演奏机器人控制系统。包括：图像识别单元、声音识别单元、算法单元、控制单元及驱动执行单元；图像识别单元用于采集图像数据，并将图像数据发送至算法单元；声音识别单元用于采集音频数据，并将音频数据发送至算法单元；算法单元用于对图像数据和/或音频数据进行解析，获得数据解析结果，并将数据解析结果发送至控制单元；控制单元用于根据数据解析结果生成控制指令，并将所述控制指令发送至所述驱动执行单元；所述驱动执行单元用于根据所述控制指令控制机器人带动设定乐器执行相应的演奏操作或者控制操作。不仅可以提高机器人演奏的多样性，还可以使得机器人演奏出的音乐更真实。
一种演奏机器人控制系统

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