“蔡耀庭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811450645.X有效
发明人：倪志荣;周全启;蔡耀庭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括基板、栅极结构、以及第一间隔物。上述栅极结构包括浮动栅极结构、栅极间介电层、及控制栅极结构。上述浮动栅极结构设置在基板上。上述栅极间介电层设置在浮动栅极结构上。上述控制栅极结构设置在栅极间介电层上，且包括电极层、接触层及盖层。电极层设置在栅极间介电层上。接触层设置在电极层上。盖层设置在接触层上。上述第一间隔物设置在上述控制栅极结构的侧壁上，并覆盖电极层、接触层、及盖层，且第一间隔物的底面介于电极层的底面及顶面间。本发明可避免制造半导体结构时所发生的扩散现象，防止发生字线漏电的问题，减轻在沉积牺牲多晶硅时所产生的孔洞或缝隙，从而增加工艺良率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN202111625514.2在审
发明人：庄哲辅;蔡耀庭;廖修汉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置，包括：堆叠结构及位于堆叠结构两侧的衬底中的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区；第一自对准接触窗，连接第一源极/漏极区；第二自对准接触窗，位于第二源极/漏极区上；第一衬层结构，位于第一自对准接触窗与堆叠结构的第一侧壁之间；第二衬层结构，位于第二自对准接触窗与堆叠结构的第二侧壁之间。第一衬层结构与第二衬层结构不连接，且未覆盖在堆叠结构上方。
存储装置及其制造方法

[发明专利]存储元件及其制造方法-CN201910197183.3有效
发明人：陈建廷;蔡耀庭;廖修汉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件及其制造方法，所述存储元件包括：基底、多个堆叠结构、间隙壁、介电层以及多个接触插塞。堆叠结构配置于基底上。间隙壁内嵌于堆叠结构中，以使堆叠结构的上部的宽度小于其下部的宽度。介电层共形地覆盖堆叠结构与间隙壁。接触插塞分别配置在堆叠结构之间的基底上。
存储元件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法-CN201810908682.4有效
发明人：陈建廷;蔡耀庭;张荣和;廖修汉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成多个隔离结构于基板中；形成第一多晶硅层于基板上且位于两个相邻的隔离结构之间；进行第一注入工艺，以将第一掺质注入于第一多晶硅层及隔离结构中；部分地移除隔离结构，以使隔离结构的每一者的剩余部分具有实质平坦的顶表面；在部分地移除隔离结构之后进行退火工艺，以使第一掺质均匀扩散于第一多晶硅层中；形成介电层于第一多晶硅层上，以及形成第二多晶硅层于介电层上。通过本发明能够改善非易失性存储器装置的电性效能、良率及可靠度。
非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其形成方法-CN202110706635.3在审
发明人：王裕隆;蔡耀庭;陈建廷;卫远皇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件，包括：衬底、多个第一栅极结构以及保护结构。衬底包括第一区与第二区。第一栅极结构配置在第一区的衬底上。保护结构共形地覆盖与第二区相邻的多个第一栅极结构中的一者的侧壁。保护结构包括下部以及配置在下部上的上部。下部与上部具有不同介电材料。另提供一种半导体组件的形成方法。
半导体组件及其形成方法

[发明专利]自对准接触结构及其形成方法-CN201810303653.5有效
发明人：陈思涵;陈建廷;蔡耀庭;廖修汉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准接触结构及其形成方法。该自对准接触结构的形成方法包括：提供基板，其上形成有栅极结构；形成间隔物衬层于栅极结构及基板上；形成牺牲层于栅极结构之间及之上；形成介电插塞穿过栅极结构上方的牺牲层；移除牺牲层以形成栅极结构之间的接触开口；顺应性地形成抗刻蚀层覆盖接触开口的侧壁及底部；以及形成接触插塞于接触开口之中。本发明避免了栅极结构与自对准接触结构之间的漏电流。
对准接触结构及其形成方法

[发明专利]非挥发性存储器装置的制造方法-CN202011580103.1在审
发明人：吴建贤;林俊宏;蔡高财;蔡耀庭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种非挥发性存储器装置的制造方法。此方法包括形成沟槽穿过牺牲层且延伸至基板中，填入第一绝缘材料于沟槽中，以及通过注入工艺将掺质注入于第一绝缘材料中。之后，部分地移除第一绝缘材料，以形成第一凹口于牺牲层之间。第一凹口的最低点低于基板的顶表面。此方法包括填入第二绝缘材料于第一凹口中，以及移除牺牲层，以形成第二凹口相邻于第二绝缘材料。此方法包括形成第一多晶硅层于第二凹口中，以及依序形成介电层及第二多晶硅层于第一多晶硅层上。
挥发性存储器装置制造方法

[发明专利]存储元件及其制造方法-CN201610666685.2有效
发明人：庄哲辅;廖修汉;蔡耀庭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储元件及其制造方法，所述存储元件包括基底与栅极结构。栅极结构位在基底上。栅极结构包括堆叠栅极以及位在堆叠栅极旁的选择栅极。选择栅极的最高顶面低于堆叠栅极的最高顶面。通过在现有的存储元件的堆叠栅极区域中形成堆叠栅极与选择栅极。在不增加栅极面积的情况下，本发明存储元件可具有高程序化效率、减少干扰、增加数据保持与循环耐久裕度、低功率消耗以及避免过度抹除等功效。
存储元件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法与闪存-CN202010797928.2在审
发明人： 蔡耀庭;廖修汉;庄哲辅 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法与闪存。所述半导体结构包括衬底、多个第一隔离结构、栅极结构以及氧化物层。第一隔离结构在衬底的周边区中将衬底界定出第一有源区。氧化物层设置于第一有源区中的衬底上，且被第一隔离结构覆盖。氧化物层与第一隔离结构界定出暴露衬底的开口。栅极结构设置于第一有源区中的衬底上，且包括设置于开口中的衬底上的栅介电层以及设置于栅介电层上的栅极。氧化物层位于栅介电层的周围。栅极的底表面的宽度小于第一有源区的顶表面的宽度。
半导体结构及其制造方法闪存

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911281241.7在审
发明人：申新煌;郑毓书;蔡耀庭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括基底、多个浮动栅极、隧穿介电层、多个控制栅极以及ONO层。浮动栅极位于基底上，隧穿介电层位于基底与每个浮动栅极之间。控制栅极位于浮动栅极上，而ONO层位于每个控制栅极的两侧壁以及每个控制栅极与每个浮动栅极之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810047661.8有效
发明人：陈伦伦;廖修汉;蔡耀庭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基板、位于基板上的介电层、位于介电层中的引线孔以及位于介电层上的测试垫，其中测试垫于其俯视图中包括：至少三个第一导电带，第一导电带彼此间隔开且排列在不同行上，其中第一导电带通过第一导电条电性及物理连接，第一导电条在不同行间以交错的方式排列；其中引线孔设置在第一导电带下。本发明可改进分割速度并可增加良品率。
半导体装置

[实用新型]一种潮模砂模具嵌块结构-CN202020473650.9有效
发明人： 蔡耀庭;周心宇 -专利权人：无锡千百川机械有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B22C7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种潮模砂模具嵌块结构，其结构简单，其保证砂型简单方便地取出，而且有效防止砂型取出过程中的损坏，其包括砂模具嵌块体，其特征在于：所述砂模具嵌块体底部上设置有排气槽。
一种潮模砂模具结构

[实用新型]一种砂芯盒模具换字模结构-CN202020455903.X有效
发明人：周心宇;蔡耀庭 -专利权人：无锡千百川机械有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B22C7/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种砂芯盒模具换字模结构，其结构简单，实现简单快速更换字模，降低劳动强度，提高生产效率，其特征在于：其包括模具体，所述模具体内设置有通孔，所述通孔内依次设置字模、顶柱、压簧和顶丝，所述模具体上对应所述顶柱设置有横向顶柱。
一种砂芯盒模具字模结构

[实用新型]一种铸造模具抽芯结构-CN202020456511.5有效
发明人：宣闯;蔡耀庭 -专利权人：无锡千百川机械有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： B22C9/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铸造模具抽芯结构，其结构简单，其较好的避免了抽芯过程中砂芯的抽断，较好地保证了砂芯的成型，避免了浪费，较好地降低了生产成本，其包括模具体，所述模具体内设置有砂芯型腔，所述模具体上对应所述砂芯型腔设置有抽块，其特征在于：所述抽块上对应所述砂芯型腔设置有顶杆，所述顶杆端部设置有压紧装置，所述模具体上对应所述顶杆设置有限位杆。
一种铸造模具结构

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201910716001.9在审
发明人： 蔡耀庭;陈江宏;庄哲辅;洪文 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤。在衬底上形成彼此分离的第一密封环与第二密封环。在所述衬底上形成保护层，覆盖所述第一密封环与所述第二密封环，其中所述第一密封环与所述第二密封环之间的所述保护层具有凹面。移除位于所述凹面处的所述保护层以及所述第一密封环上的部分所述保护层，于所述第一密封环的侧壁形成间隙壁，并在所述保护层中形成开口，所述开口的宽度大于所述第一密封环的宽度，且所述开口裸露出所述第一密封环的顶面以及所述间隙壁。
半导体组件及其制造方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top