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[发明专利]一种解决PCB产品涨缩问题的方法、系统及可存储介质-CN202310031594.1在审
发明人： 蔡明洋;袁杰 -专利权人：黄石沪士电子有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决PCB产品涨缩问题的方法、系统及可存储介质，利用系统中的涨缩数据采集模块收集原始数据，确定影响PCB涨缩的因子；利用涨缩数据分析模块分析影响PCB涨缩的因子，确定影响PCB涨缩的关键因子及对应数值；利用涨缩预放确认模块对影响PCB涨缩的关键因子及对应数值进行模拟组合实验，确定PCB的涨缩预放值并优化完善PCB的涨缩预放值，建立涨缩预放大数据模型；利用涨缩预放自动导入模块导入涨缩预放大数据模型，根据录入的PCB产品信息匹配相应的涨缩预放值。本发明可以解决PCB在制作过程中因涨缩而造成的产品功能性不良的问题，提高了产品的生产效率和数据的准确性，同时降低了生产成本。
一种解决 pcb 产品问题方法系统存储介质

[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件及其制作方法-CN202310076906.0有效
发明人： 蔡明洋;王厚有;陶磊;王棒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成第一氧化层、第一栅极材料层、第二氧化层以及第二栅极材料层；对所述第二栅极材料层、所述第二氧化层以及所述第一栅极材料层依次进行刻蚀以形成分裂栅结构，并继续对所述第一氧化层进行刻蚀至暴露出所述衬底；在所述分裂栅结构的顶部以及侧壁形成第三氧化层；形成外延层，所述外延层位于所述分裂栅结构两侧的所述衬底上。本发明提供的屏蔽栅沟槽功率器件的制作方法，无需形成沟槽，从而避免了在高深宽比的沟槽内填充多晶硅，降低了栅极制作的工艺难度，避免了栅极内孔隙的产生，从而提高了器件的性能。
屏蔽沟槽功率器件及其制作方法

[发明专利]沟槽式栅极及其制作方法-CN202310076932.3在审
发明人： 蔡明洋;王厚有;林国强;侯金邈 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽式栅极及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成栅极；形成第一栅氧化层在所述栅极的顶部及侧壁；形成外延层，所述外延层位于所述栅极两侧的所述衬底上。本发明先形成栅极再形成外延层，使得栅极的侧壁及底部被所述外延层与所述衬底所包围，从而形成沟槽式栅极，与现有技术相比，无需形成沟槽，从而避免了在高深宽比的沟槽内填充多晶硅，降低了栅极制作的工艺难度，避免了栅极内孔隙的产生，从而提高了器件的性能。
沟槽栅极及其制作方法

[发明专利]一种通信接收装置、制造方法及电子设备-CN202210148431.7有效
发明人：王厚有;冯永波;蔡明洋;林国强 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04B10/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种通信接收装置、制造方法及电子设备，其至少包括：基板；处理芯片，设置在基板上，且处理芯片电性连接有终端设备；光电器件，设置在基板上，且光电器件电性连接于处理芯片，以接收光信号，且光电器件包括接收区和传导区，传导区连接接收区；以及滤色层，设置在光电器件接收光信号的一侧，滤色层上设置有滤色片，滤色片允许单色光通过，且滤色片和接收区沿着光线入射的方向依次排布。本发明提供了一种通信接收装置、制造方法及电子设备，实现了多通道、高效、稳定的可见光通信接收。
一种通信接收装置制造方法电子设备

[发明专利]一种基于发布/订阅模式的时间敏感网络增量调度方法-CN202110811183.5有效
发明人：邓庆绪;李京华;冯智伟;蔡明洋 -专利权人：东北大学
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04L47/56 文献下载
摘要：本发明的一种基于发布/订阅模式的时间敏感网络增量调度方法，在集中用户配置收到流的调度请求后，在集中网络配置中首先进行路径规划，分配传输链路，由ILP求解器求出满足约束的传输数据，得到新的门控列表并下发给交换机，在合理的时间激活以避免“遗留流”等问题。由于直接分配传输链路与传输队列，不使用ILP求解器求解队列信息，减少了ILP求解的约束数量，加快了求解速度。求解的目标是使最后一跳偏移量最小，即延迟最小，因此数据传输的响应时间也有所降低。下发门控列表到激活有最多一个截止期的等待时间，可以在保证网络中没有已发送而未到达的流的情况下尽快激活新的门控列表，同时不影响之后的时间片，保持确定性传输。
一种基于发布订阅模式时间敏感网络增量调度方法

[实用新型]一种内球节总成-CN202222276338.2有效
发明人： 蔡明洋;范霖;金云波 -专利权人：绍兴京山汽车配件有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： F16C11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内球节总成，包括安装座和设置与安装座内的内球头，所述所述安装座的右侧滑动套接有套筒，所述套筒内设置有垫圈，所述垫圈滑动套接在安装座的右侧。本实用新型，通过套筒和垫圈可以带动垫片反复左右移动，当垫片向右移动时，通过推杆和活塞的配合设置可以使第一空腔中产生负压，从而通过进液管把储液腔中的润滑油吸入到第一空腔中，当垫片向左移动时，通过推杆和活塞的配合设置可以把第一空腔中的润滑油通过出液管挤压到内球头和安装座之间的安装槽中，润滑油可以对内球头起到润滑的作用，减少内球头和安装座之间发生的摩擦，从而降低内球头的磨损，提高装置的使用寿命。
一种内球节总成

[实用新型]一种独立悬挂转向横拉杆总成-CN202222478807.9有效
发明人： 蔡明洋;范霖;金云波 -专利权人：绍兴金江机械有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B62D7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种独立悬挂转向横拉杆总成，包括横拉杆杆体和球头，所述球头的右侧固定连接有接头，所述接头上设置有连接套，所述连接套内开设有空腔，所述空腔的内壁上转动连接有螺纹杆。本实用新型，通过转动块、螺纹杆和螺纹套的配合设置，可以带动推板向下移动，推板通过推杆和固定板的配合设置，可以带动弧形夹板向下移动并抵在接头和横拉杆杆体的侧壁上，通过弧形夹板和固定底座可以对接头和横拉杆杆体进行锁紧，防止接头和横拉杆杆体之间松动，通过横板和复位弹簧可以带动插销贯穿卡孔，通过插销和卡孔可以对圆盘进行限位，从而对装置进行限位，防止装置因震动而松动，提高了汽车行驶过程中的安全性。
一种独立悬挂转向拉杆总成

[发明专利]硬掩模层返工方法及DMOS形成方法-CN202211373128.3有效
发明人：陶磊;蔡明洋;程挚;王厚有;张慧慧 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种硬掩模层返工方法及DMOS形成方法，硬掩模层返工方法包括：提供一衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面上形成有背面膜层；形成第一硬掩模层和第二硬掩模层，第一硬掩模层位于所述第一表面上，第二硬掩模层覆盖所述背面膜层；检测所述第一硬掩模层上的颗粒是否超标，若是，对所述第一硬掩模层执行离子注入工艺，并且对所述第二硬掩模层执行氮化工艺；对所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层同时执行湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺中所述第一硬掩模层的刻蚀速率大于所述第二硬掩模层的刻蚀速率，以去除全部厚度的所述第一硬掩模层和部分厚度的所述第二硬掩模层。保留部分厚度的所述第二硬掩模层，以保护背面膜层。
硬掩模层返工方法 dmos 形成

[实用新型]汽车转向外接头-CN202221766840.5有效
发明人：来煜明;蔡明洋;孟琪 -专利权人：绍兴金江机械有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： F16C11/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车零部件技术领域，尤其涉及一种汽车转向外接头，包括球销和安装于球销上的防尘罩、法兰盖，所述球销安装法兰盖处的外壁包括上小下大的第一锥形段，所述法兰盖的内孔侧壁包括与第一锥形段相配合的第二锥形段；优点在于：球销外壁与法兰盖装配处设置锥形段，可降低装配精度要求，降低制造成本。
汽车转向外接

[发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202210785556.0有效
发明人：陶磊;周成;程挚;蔡明洋;王厚有 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成多个零位对准标记；在所述衬底上形成图案化光阻层，所述图案化光阻层覆盖所述零位对准标记和部分所述衬底；以所述图案化光阻层为掩膜，对所述衬底植入离子，形成掺杂区；在所述衬底上沉积隔离层，且所述隔离层覆盖所述掺杂区；以及对所述掺杂区进行高温退火。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，可提高半导体结构的质量。
一种半导体结构制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202210433074.9在审
发明人：陶磊;蔡明洋;王厚有 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的制造方法，至少包括以下步骤：提供一衬底，其中所述衬底包括逻辑区和像素区；形成垫氧化层和垫氮化层于所述衬底上；形成保护层于所述垫氮化层上；蚀刻所述衬底，以形成第一类型沟槽于所述逻辑区和所述像素区上；再次蚀刻所述逻辑区上的所述第一类型沟槽，以形成第二类型沟槽；移除所述保护层；以及回拉蚀刻所述第一类型沟槽和所述第二类型沟槽两侧的所述垫氧化层和所述垫氮化层，以形成台阶于所述第一类型沟槽和所述第二类型沟槽两侧。本发明提供的半导体结构的制造方法，可提高半导体结构的质量。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体隔离结构的制造方法-CN202210089156.6有效
发明人： 蔡明洋;王厚有;冯永波;陶磊 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体隔离结构的制造方法，包括：提供一衬底，形成保护层于衬底上。形成第一凹槽和第二凹槽于保护层上，且第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。形成第一膜层于保护层上、第一凹槽和第二凹槽内，第一膜层覆盖第一凹槽的底部和侧壁，并填充第二凹槽。形成第二膜层于第一膜层上，且第二膜层填充第一凹槽。刻蚀第二膜层、第一膜层以及衬底，以在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽。填充第一沟槽和第二沟槽，以形成填充体隔离结构。其中，第二膜层的蚀刻率大于第一膜层的蚀刻率。本发明提出的半导体隔离结构的制造方法，改进了隔离结构的制备方法。
一种半导体隔离结构制造方法

[发明专利]一种汽车转向拉杆球头结构及其转向拉杆总成-CN202110505697.8在审
发明人：来文信;傅国松;费昊杰;傅红诚;钟月标;来煜明;孟琪;蔡明洋 -专利权人：绍兴金江机械有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： F16C11/06 文献下载
摘要：本发明涉及拉杆球头技术领域，且公开了一种汽车转向拉杆球头结构，包括球头座，所述球头座的下部活动套接有球头底座，所述球头底座下部的外侧安装有紧固螺栓一，所述球头座的一侧固定连接有连接柱一，所述连接柱一的一侧固定连接有伸缩夹套，所述伸缩夹套的内部活动套接有伸缩杆，所述伸缩杆的内部开设有插销孔，所述插销孔的内部安装有插销。该汽车转向拉杆球头结构及其转向拉杆总成，通过将装置球头支撑底座的内部安装有六个球头支撑底座，同时球头支撑底座与球头的底部进行限定时，带动装置滚珠与球头进行接触，同时在滚动时，装置滚珠成圆形，从而降低摩擦力，至此可增加装置球头移动时的灵活性，增加使用寿命的作用。
一种汽车转向拉杆结构及其总成

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010454977.6有效
发明人：冯永波;朱红波;王厚有;蔡明洋 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；形成第一多晶硅层于所述衬底上，所述第一多晶硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成层叠结构于所述第一多晶硅层上；形成保护层于所述层叠结构上；形成图案化的光阻层于所述保护层上，所述图案化的光阻层暴露出所述第二区域上的所述保护层；移除所述第二区域上的所述保护层及所述层叠结构，以暴露出所述第二区域上的所述第一多晶硅层；移除所述图案化的光阻层；形成第二多晶硅层于所述第一区域上的所述保护层及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。本发明提出的半导体结构的制造方法可以保证层叠结构的完整性，提高半导体器件的稳定性。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202011073751.8有效
发明人：陶磊;蔡明洋;王厚有;冯永波;郭小康 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；形成沟槽于所述衬底中；在所述沟槽中依次形成衬氧化层和衬氮化层；其中，所述衬氧化层位于所述沟槽内所述衬底的底部和侧壁上，所述衬氮化层位于所述衬氧化层上，所述衬氮化层与所述垫氮化层、所述垫氧化层接触；通过干法刻蚀移除部分所述衬氮化层，以暴露出位于所述沟槽底部的所述衬氧化层；对所述沟槽进行填充，以在所述沟槽中形成介质层；其中，通过含硅前驱体和含氧前驱体在所述沟槽中形成所述介质层，形成所述介质层至少包括第一阶段，第二阶段和第三阶段。本发明提出一种半导体结构的制造方法可以解决浅沟槽隔离结构出现空洞的问题。
一种半导体结构及其制造方法

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