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[发明专利]一种提高光罩图形线宽均匀性的方法及装置-CN202011389915.8在审
发明人：张家玮;蔡奇澄;黃钲为;李双双 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高光罩图形线宽均匀性的方法及装置，所述方法包括：获取目标光罩图形的线宽均匀性要求；获取设计图形；基于所述设计图形仿真获得光罩仿真图形；判断所述光罩仿真图形的线宽均匀性是否满足所述线宽均匀性要求；若否，则在所述设计图形的周围不断添加亚分辨率虚拟图形，改变所述设计图形的图形密度，构成目标设计图形；基于所述目标设计图形，在光罩衬底上形成所述目标光罩图形。该方法通过在设计图形的周围不断添加亚分辨率虚拟图形，丰富设计图形的周围环境，即改变所述设计图形的图形密度，进而改善目标光罩图形的线宽均匀性，提高产品良率。
一种提高图形均匀方法装置

[发明专利]一种光罩工艺误差修正方法-CN202011276292.3在审
发明人：张家玮;蔡奇澄;黄钲为;周育润 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩工艺误差修正方法，涉及元器件制造技术领域。该方法包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。上述方法根据曝光处理后光罩图案的变化数据，对曝光光线的反射量进行预估，并对预设曝光强度进行调整，动态地修正光罩工艺中的参数，使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动，降低了光罩生产的成本，也使光罩的品质维持在较高的水平内。
一种工艺误差修正方法

[发明专利]残胶清除方法-CN202011012230.1在审
发明人：张哲玮;蔡奇澄;贺遵火;吴仕伟 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种残胶清除方法，涉及半导体制备技术领域。该残胶清除方法，用于清洗基板上的残胶，该残胶清除方法包括以下步骤：对基板进行冷冻处理，使附着在基板上的残胶脆化；去除脆化的残胶。该残胶清除方法通过冷冻处理可使得残胶脆化并断裂，从而使得残胶的特性改变而与基板表面解除黏附，这样便能利于残胶的去除，进而能够有效改善基板上的残胶不易去除的缺陷，同时在一定程度上也保障半导体器件的品质。
清除方法

[发明专利]一种修补光罩的方法及设备-CN202010936073.7在审
发明人：贺遵火;蔡奇澄;张哲玮;高翌 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种修补光罩的方法及设备，利用激光穿过光罩护膜轰击光罩中透光型缺陷周围的不透光层，以使不透光层的不透光材料被轰击出来，透光型缺陷为不透光层中缺少不透光材料的区域。而后，利用轰击出来的不透光材料沉积至透光型缺陷上，从而在透光型缺陷上形成一层薄膜，降低光罩图形在光学上的线宽，达到修补光罩中的透光型缺陷的作用。这样，无需拆除光罩护膜，便可以实现对光罩的缺陷修补，简化修补缺陷的流程，提高工艺效率，而且由于无需拆除光罩护膜，节省光罩护膜的成本，无需占用较多的机台进行除胶清洗、修补及再次贴膜等操作，节省机台的资源，同时加快产品生产的进程。
一种修补方法设备

[发明专利]一种光掩模组件及光刻系统-CN202010863609.7在审
发明人：林锦鸿;蔡奇澄;贺遵火;孙亚东 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光掩模组件及光刻系统，光掩模组件包括透明容器以及透明容器内部设置的光掩模，透明容器用于在光掩模的曝光过程中为光掩模隔绝空气，透明容器中填充有超洁净水或超洁净空气，这样光掩模上无需形成覆膜，节省了在光掩模上形成覆膜所需要的工艺和成本，同时透明容器可以在曝光过程中为光掩模隔绝空气，以及空气中的粉尘，同时透明容器中的超洁净液体或超洁净气体可以对光掩模表面起到净化作用以及组织表面物质聚集的作用，因此可以降低光掩模表面的杂质堆积，减少光掩模的曝光缺陷。
一种模组光刻系统

[发明专利]相位移光罩残留缺陷处理方法、系统和相位移光罩-CN202010879382.5在审
发明人：萧志伟;查思豪;蔡奇澄;简永浩 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种相位移光罩残留缺陷处理方法、系统和相位移光罩，涉及半导体制造技术领域，本发明采用了局部曝光技术，与现有技术中的重新走一遍制程，并采用全面曝光技术相比，本发明通过对缺陷区域内的光刻胶层进行局部曝光和显影，并使得缺陷位置漏出，然后进行蚀刻，能够精确地对金属缺陷处进行处理，避免了对整片的曝光处理，以减少缺陷处理花费时间，缩短制程流程耗时，同时由于曝光范围小，可以采用激光设备进行局部曝光，避免使用光刻机，减少了光刻机产能的浪费。
相位移光罩残留缺陷处理方法系统

[实用新型]涂胶显影机清洁装置-CN200920070373.0有效
发明人：张建峰;蔡奇澄;张书庆;张健;卢健;王军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种涂胶显影机清洁装置，包括顶层基架，滑板以及底部基板，所述顶层基架固定在显影机的机台上，所述顶层基架上设有若干通孔，两侧分别设有折弯部；所述底部基板的表面上分布有若干风扇，在风扇位置处设有相应的开口，所述底部基板与所述折弯部连接；所述滑板位于所述底部基板和顶层基架形成的收容空间内，所述滑板上设有开孔，所述通孔与所述开孔位置相对应，固定在所述底部基板上的风扇与所述通孔的位置相对应。通过在涂胶显影机上增加了涂胶显影机杂质清洁装置，启动涂胶显影机杂质清洁装置上的风扇旋转，将涂胶杂质抽出至外部环境，避免了污染，使得后续的刻蚀和沉积工艺中造成的球状缺陷得以克服，提高产品良率，节省成本。
涂胶显影清洁装置

[发明专利]可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法-CN200810037677.7无效
发明人：邹渊渊;梁国亮;高连花;蔡奇澄 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提出一种可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法，其包括：使用一第一显影液对上述晶圆进行喷涂；使用一第一清洗液清洗上述晶圆；使用一第二显影液对上述晶圆进行喷涂；对上述晶圆进行显影；以及使用一第二清洗液清洗上述晶圆。该显影方法，在普通的显影制程之前增加了一步预反应并立刻冲洗的步骤。即在喷涂一次显影液后，立刻使用大量去离子水冲洗，以及时去除剧烈反应生成的大量生成物残渣，使它们没有足够的时间堆积并沉积黏附在晶圆表面，因此能够有效的去除晶圆光刻工艺过程中的显影缺陷。
有效去除圆光刻工过程显影缺陷方法

[发明专利]消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法-CN200510027096.1有效
发明人：陈自凡;蔡奇澄;姚欣;林爱钦;庄晓辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法，本发明方法的特征是，在对形成光刻胶图形的显影工艺步骤之后增加了用溶剂清洗半导体晶片边缘的工艺步骤。消除了半导体晶片边缘区中的收缩变形图形，防止了在随后进行的工艺过程中半导体晶片边缘区中的收缩变形图形剥离而在半导体晶片上的其他合格图形上造成出现缺陷，提高了产品合格率。
消除半导体晶片边缘图形缺陷方法

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