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[实用新型]一种便于维护的户外照明灯-CN202120236644.6有效
发明人： 莫小刚 -专利权人： 莫小刚
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： F21S9/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于维护的户外照明灯，属于便于维护的户外照明灯技术领域。一种便于维护的户外照明灯，包括灯杆，所述灯杆上设有开口槽，所述灯杆上固定连接有箱体，所述箱体内固定连接有电机，所述电机的输出端固定连接有第一齿轮，所述灯杆底部固定连接有第一固定块，所述第一固定块上转动连接有螺杆，所述螺杆远离第一固定块的一端转动连接有第二固定块；本实用新型通过在灯杆内设置螺杆，通过电机驱动螺杆转动，使螺纹连接在螺杆上的固定板实现上升下降，固定板上有第一照明灯和太阳能板，在固定板下降后，能够方便快捷的对第一照明灯、太阳能板进行检修、清洁、更换，减少人工攀爬灯杆带来的危险。
一种便于维护户外照明灯

[实用新型]用于验证挥发性物质对植物病害防治效果的培养装置-CN202023015989.3有效
发明人：黄乃秀;樊吉尤;莫小刚;罗辑;邹东霞;廖旺姣;钟雅婷;常明山;吴耀军;梁旭;玉莹;赵程劼;李鹏亮 -专利权人：广西壮族自治区林业科学研究院
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： A01G31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及植物病害防治技术领域，且公开了用于验证挥发性物质对植物病害防治效果的培养装置，包括底座，所述底座的底部固定连接有万向轮，所述底座的顶部固定连接有挥发性物质桶，所述底座的顶部固定连接有箱体，所述箱体的一侧固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部固定连接有保护壳。该用于验证挥发性物质对植物病害防治效果的培养装置，达到了培养器皿稳定效果好的目的，解决了一般的用于验证挥发性物质对植物病害防治效果的培养装置中培养器皿稳定效果不好的问题，使该培养装置在使用过程中满足了人们的预期效果，从而提高了该培养器皿的安全，同时也提高了人们的工作效率，满足了人们的使用需求。
用于验证挥发性物质植物病害防治效果培养装置

[实用新型]一种林业用可移动病虫害防治装置-CN201922182029.7有效
发明人：黄乃秀;樊吉尤;廖旺姣;邹东霞;莫小刚;李学平;吴海;常明山;罗辑;吴耀军 -专利权人：广西壮族自治区林业科学研究院
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本实用新型属于病虫害防治装置领域，尤其是一种林业用可移动病虫害防治装置，针对现有病虫害防治装置需要人工背负，费时费力，不便于移动使用，且喷洒角度不便于调节的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的顶部固定安装有推杆，底座的底部安装有四个万向轮，底座的顶部固定安装有药水桶，药水桶的一侧开设有加药口，所述底座的顶部固定安装有两个侧板，两个侧板分别设在药水桶的两侧，两个侧板相互远离的一侧均开设有滑槽，两个滑槽内均滑动安装有滑块。本实用新型结构合理，操作方便，该病虫害防治装置方便推动移动位置，省时省力，且喷洒角度便于调节，病虫害的防治效果好。
一种林业移动病虫害防治装置

[发明专利]掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及生长方法和装置-CN201711212015.4有效
发明人：李洪峰;李兴旺;莫小刚;王永国;王军杰;杨国利;杜秀红;韩剑锋;毕海 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及其生长方法和装置，属于激光材料领域。该掺杂钇铝石榴石激光晶体掺杂有钐离子，以及用于使所述掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收峰蓝移的掺杂离子。通过向其中掺杂钐离子和掺杂离子，来使其吸收峰蓝移，即使其吸收光谱发生蓝移，如此可提高该掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收光谱与Nd:YAG激光晶体的发射光谱的重合度，使得掺杂钇铝石榴石激光晶体对Nd³⁺离子在YAG晶体中的1064.15nm发射主峰的吸收系数较高，进而提高对Nd:YAG激光晶体寄生振荡的抑制效率。
掺杂石榴石激光晶体生长方法装置

[发明专利]掺镱氧化镥激光陶瓷的制备方法-CN201811637032.7在审
发明人：王肖戬;李兴旺;韩剑锋;杨国利;李洪峰;王永国;莫小刚 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镱氧化镥激光陶瓷的制备方法，属于陶瓷领域。该方法包括：制备氧化镱粉体；制备氧化镥粉体；根据掺镱氧化镥激光陶瓷的掺镱浓度称量氧化镱粉体和氧化镥粉体；对称量后的氧化镱粉体和氧化镥粉体、烧结助剂、有机溶剂的混合体进行球磨处理，得到第一浆料；对第一浆料依次进行干燥处理、成型处理、冷等静压处理，得到陶瓷坯体；对陶瓷坯体依次进行排胶处理、真空烧结处理、热压后处理、退火处理、抛光处理，得到掺镱氧化镥激光陶瓷。该方法制备得到的激光陶瓷具有良好的光学性能，且不会出现掺杂浓度偏离，容易控制，易于规模化生产。
氧化镥粉体激光陶瓷制备氧化镱陶瓷坯体称量浆料规模化生产后处理成型处理干燥处理光学性能冷等静压抛光处理烧结助剂陶瓷领域退火处理有机溶剂真空烧结混合体排胶球磨热压掺杂偏离

[发明专利]一种铝酸钇复合晶体及其制备方法-CN201610425940.4有效
发明人：张月娟;李兴旺;莫小刚;王永国;李洪峰;王军杰 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝酸钇复合晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。该铝酸钇复合晶体包括：工作介质、以光胶的方式键合在工作介质端部的不掺杂基质，该工作介质为掺杂铝酸钇晶体，不掺杂基质为纯铝酸钇晶体。本发明实施例提供的铝酸钇复合晶体，通过在掺杂铝酸钇晶体的端部以热扩散键合方式键合铝酸钇晶体，得到铝酸钇复合晶体，其键合面处光学质量均匀，不存在晶体与晶体间的界面，避免了激光损耗现象，并利于提高激光器的输出效率和输出功率。
一种铝酸钇复合晶体及其制备方法

[发明专利]一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法-CN201410253222.4有效
发明人：夏士兴;莫小刚;李兴旺;张月娟;王永国;朱建慧;李洪峰;王军杰;高学喜 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。
一种磷硅镉单晶水平生长装置方法

[发明专利]掺杂钇铝石榴石激光晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法-CN201410483601.2有效
发明人：李兴旺;莫小刚;张月娟;李洪峰;杨国利;王永国;夏士兴 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法，属于激光晶体制备领域。该生长装置包括坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、穿过保温筒伸入坩埚内部的籽晶杆；保温筒的底部设有通孔，用于向坩埚底部通入氮气；坩埚为钨坩埚或者钼坩埚；保温筒的材质为掺碳的氮化硼陶瓷。通过选用钨坩埚或者钼坩埚降低生产成本；通过掺碳的氮化硼陶瓷保温筒对其进行保温，防止钨或者钼在高温下氧化，且进一步降低生产成本；通过在坩埚和保温筒的底部设有通孔，以在降温过程中向坩埚底部通入流动的冷却的高纯氮气，利用风冷在坩埚底部形成过冷区，提高坩埚的使用寿命，并降低生长周期。
掺杂石榴石激光晶体生长装置晶体生长制备方法

[发明专利]一种用于生长硒化镉晶体的坩埚及硒化镉晶体的生长方法-CN201410376679.4在审
发明人：夏士兴;张月娟;李兴旺;王永国;莫小刚 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于生长硒化镉晶体的坩埚及硒化镉晶体的生长方法。该坩埚包括内层坩埚、套装在所述内层坩埚外部的外层坩埚和用于封堵所述外层坩埚的坩埚盖，所述外层坩埚和所述内层坩埚之间设有间隙；所述内层坩埚包括锥形尖端部分和用于硒化镉晶体生长的第一柱体部分，所述第一柱体部分设置在所述锥形尖端部分之上；所述外层坩埚的内部轮廓与所述内层坩埚的外部轮廓相匹配，所述外层坩埚的外部轮廓呈柱形；所述内层坩埚的材质选自石墨或热解氮化硼，所述外层坩埚的材质选自钼、钨、铱、铂及它们的合金中的至少一种。本发明的坩埚能够缓冲内层坩埚所受的压力，避免内层坩埚发生开裂及熔体泄漏现象；能够保证内、外层坩埚不会因热膨胀而开裂。
一种用于生长硒化镉晶体坩埚方法

[发明专利]一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法-CN201410325773.7在审
发明人：张月娟;李兴旺;杨国利;王军杰;庞才印;莫小刚;王永国;夏士兴 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。
一种氟化复合晶体及其制备方法

[发明专利]一种自激辐射吸收材料及其制备方法-CN201310753337.5有效
发明人：李兴旺;张月娟;莫小刚;夏士兴;杜秀红;朱建慧;李洪峰;王军杰;王永国;高学喜 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种自激辐射吸收材料，属于激光材料领域。该自激辐射吸收材料的化学式为：Y_3-x-y-zSm_xSc_yLu_zAl₅O₁₂，其中，0＜x≤0.215、0.03≤y≤0.3、0.03≤z≤0.9。通过将离子半径比Y³⁺离子小的Sc³⁺和Lu³⁺离子取代Sm:YAG中部分Y³⁺离子，形成一种新的Sm:YLSAG材料，其在1068nm左右的吸收峰将蓝移至1065.8nm左右，从而Sm:YLSAG在1064nm波长处的吸收系数较大。此外，本发明还提供了自激辐射吸收材料的制备方法，通过将含Y、Sm、Sc和Lu的稀土无机酸盐溶液逐滴加入到含Al₂O₃粉体、沉淀剂和静电稳定剂的醇水混合悬浊液中，进行化学共沉淀反应得到沉淀物，并对该沉淀物进行固相反应烧结处理，制备得到本发明Sm:YLSAG材料。化学共沉淀-固相反应烧结相结合，工艺简单、易控制、具有良好的重复性和稳定性，适于规模化工业生产。
一种辐射吸收材料及其制备方法

[发明专利]一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法-CN201310579363.0有效
发明人：夏士兴;李兴旺;张月娟;朱建慧;王军杰;杨国利;王永国;莫小刚 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法，属于激光晶体制备技术领域。所述方法通过将Fe2+:ZnSe激光晶体埋入铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，对其进行高温退火处理及电子束辐照处理。将Fe2+:ZnSe晶体埋入高纯铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，不仅可提高晶体所处区域的温度一致性，有效消除残留应力；还可提供还原性气氛和ZnSe气氛，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，并抑制ZnSe晶体的挥发，减少并防止Zn和Se空位缺陷。通过对Fe2+:ZnSe晶体的电子束辐照处理，也能消除在激光输出波段产生额外吸收损耗的能级陷阱、并减少空位缺陷，且能提供电子，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，最终去除Fe2+:ZnSe激光晶体内部的残留应力，控制Fe2+离子价态，减少空位缺陷密度，降低晶体损耗，提高其激光转换效率。
一种掺铁硒化锌激光晶体处理方法

[发明专利]一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法-CN201310565663.3有效
发明人：夏士兴;莫小刚;庞才印;李兴旺;张月娟;朱建慧 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法，属于激光晶体材料制备技术领域。所述方法包括：在惰性气氛下，分别将含有亚铁离子的掺杂物粉体以及硒化锌晶体放置在反应器高温区和低温区，通过热扩散来制备掺铁硒化锌晶体，进一步地，切割制备的掺铁硒化锌晶体，并使切割的掺铁硒化锌晶体的掺铁面之间进行热键合后，再次进行热扩散。本发明实施例惰性气氛的使用，可抑制低温区ZnSe晶体的挥发，从而显著提高低温区的温度，还可作为亚铁离子热扩散的载体，进而提高亚铁离子的掺杂浓度；通过切割掺铁硒化锌晶体，并将掺铁硒化锌晶体掺铁面间进行热键合后进行二次热扩散，进一步提高亚铁离子的掺杂浓度，更利于掺铁硒化锌晶体中亚铁离子的均匀分布。
一种掺铁硒化锌激光晶体制备方法

[发明专利]一种纳米氧化钇粉体的制备方法-CN201310533869.8有效
发明人：张月娟;李兴旺;莫小刚;王永国;杜秀红;朱建慧;王军杰 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米氧化钇粉体的制备方法，属于稀土超细粉体的制备技术领域。所述方法包括：将含钇的无机酸盐溶液滴入含有沉淀剂与静电稳定剂的醇水混合溶液中，滴定完毕，再加入表面改性剂，并对反应体系进行搅拌、陈化及分离，取沉淀物，然后对其进行净化洗涤、真空干燥及煅烧，得到纳米氧化钇粉体。本发明通过反滴定、醇水混合溶液及表面活性剂的应用，不仅有利于钇离子的析出及结晶，且能更好地控制晶体粒径大小以及晶粒比表面积，从而利于所制备的纳米氧化钇粉体具有较小的粒径、较窄的粒径分布以及较大的比表面积，进而使其具有较高的烧结活性；工艺简单、合成路线较短、易控制、可显著提高产品纯度及收率，适于工业化生产。
一种纳米氧化钇制备方法

[发明专利]一种掺镱、铒的钇钪镓石榴石晶体及其制备方法-CN201210114257.0有效
发明人：韩剑锋;李洪峰;杨国利;张月娟;夏士兴;李兴旺;莫小刚;朱建慧 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镱、铒的钪镓石榴石晶体，所述晶体的化学组成为YbaErbY3-a-bSc2Ga3O12，其中，0＜a≤2.1，b＝0.9。本发明还公开了一种掺镱、铒钇钪镓石榴石晶体的制备方法。通过本发明得到的一种掺镱、铒的钇钪镓石榴石晶体，能够实现高效的二极管泵浦激光输出。
一种钇钪镓石榴石晶体及其制备方法

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