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[发明专利]一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置-CN202310556141.0在审
发明人：谭爽;周嵘;张亮;赵冲冲;江加丽;冉龙玄;吴俊德;王海锐;莫宏康;王博 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明提供的一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置，包括底座、安装板、夹具、折弯组件；所述安装板固定在底座上，夹具固定在安装板上，折弯组件铰接在夹具上，所述夹具包括装夹块,装夹块内加工有装夹槽,装夹槽内安装有推板,推板与螺纹推杆垂直连接，螺纹推杆通过螺纹装配在装夹块上，所述折弯组件包括连杆,连杆的一端通过转轴铰接在装夹块上，转轴上安装有第二滚筒,连杆上相邻于第二滚筒处安装有第一滚筒。本发明通过两个滚筒对芯片进行完全，使芯片在完全过程中均匀受力，所以能够对大于10mm2的芯片进行测试；通过推板可以调节芯片的高度，可以调节覆铜板的弯曲度和弯曲起始点，使装置能够适应多种规格的芯片。
一种尺寸芯片烧焊质量检验装置

[发明专利]一种氢氧合成点火器-CN202310775319.0在审
发明人：龙沛武;王智;王博;张云超;付航军;王宏;周嵘;黄亮;黄河源;莫宏康 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F23Q7/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种氢氧合成点火器，包括点火腔,点火腔通过上罩和引线闭合形成；陶瓷罩，两个陶瓷罩分别安装在上罩和引线内，陶瓷罩为半圆形，其上设有圆弧面；电阻丝，两条电阻丝分别设在陶瓷罩的圆弧面上，接线盘,接线盘固定在引线外壁底部，接线盘通过引线将电阻丝与控制装置连接；电偶，电偶伸入引线。本发明通过可以开合的上、下罩，点火器容易加工制作，并且上罩或下罩损坏可以直接取下更换，减少加工和维护成本，热电偶垂直设在点火腔的侧壁内，不会影响气体的流通。
一种合成点火器

[实用新型]一种IGBT芯片-CN202321326223.8有效
发明人：江加丽;石文坤;冉龙玄;王智;莫宏康;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种IGBT芯片，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本实用新型芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。
一种 igbt 芯片

[实用新型]一种复合MPT结构的高频IGBT芯片-CN202321340530.1有效
发明人： 莫宏康;冉龙玄;石文坤;王智;江加丽;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种复合MPT结构的高频IGBT芯片，包括漂移区。本实用新型通过微沟槽结构，将元胞尺寸缩小至2.4μm，同时在有源栅元胞中引入发射沟槽元胞，在不改变沟道长度等器件结构的基础上，通过合理分配有源栅元胞和发射沟槽元胞的比例，降低器件的米勒电容(Cres)，增大输入电容(Cies)与米勒电容(Cres)的比例，从而增加高频应用下IGBT的开通关断的可控性，提升高频表现。
一种复合 mpt 结构高频 igbt 芯片

[发明专利]一种开关功率器件的叠层式封装结构-CN202310824392.2在审
发明人：吴俊德;周嵘;王智;陆超;江加丽;冉龙玄;张亮;赵冲冲;莫宏康;谭爽 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供的一种开关功率器件的叠层式封装结构，包括：功率电极，功率电极之间呈叠层式排布，相邻层之间通过连接板连接；芯片，若干芯片安装在底部或中部的功率电极上，芯片的侧面有信号电极安装在功率电极上；所述芯片与功率电极之间通过功率导线连接，所述芯片与信号电极之间通过信号导线连接。DC+相、交流相、DC‑相竖直排布，电流路径较短，使得杂散电感、引线电阻等寄生参数较小，系统电性能更好；并且使得整个结构更加紧凑，尺寸更小；信号端子和功率端子由两侧引出，互不干扰；交流相夹在平行的两块大板DC+和DC‑之间，也有利于信号的抗干扰，系统具有更好的的抗干扰性能。
一种开关功率器件叠层式封装结构

[发明专利]一种IGBT高抗振性能的封装-CN202310793564.4在审
发明人：吴俊德;石文坤;张亮;江加丽;冉龙玄;洪杜桥;陈侃;赵冲冲;莫宏康;谭爽 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种IGBT高抗振性能的封装，包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上印刷有三个图案相同的焊接区；其特征在于：底板,底板贴合固定在陶瓷覆铜板下端；塑料框架,塑料框架固定在底板上从侧面将盖板包围；功率端子和信号端子,多个功率端子和多个信号端子设在塑料框架的边缘上。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；每个功率端子背面都有底板完全支撑，背面螺钉均匀分布，外界引起的振动很快可以传导到底板上，而底板是刚性的金属材料，抗振性能极佳，提高模块的抗振性能和可靠性提高。
一种 igbt 高抗振性能封装

[发明专利]一种高耐压高可靠的塑封材料及其应用-CN202310542578.9在审
发明人：冉龙玄;石文坤;吴俊德;江加丽;莫宏康;王智;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明属于电子封装材料的技术领域，具体涉及一种高耐压高可靠的塑封材料及其应用，塑封材料按质量百分比计包括如下组分：片状硅粉78‑84％，α‑Al2O3颗粒2‑3％，环氧树脂8‑12％，硬化剂4‑6％，脱模剂＜1％，促进剂＜1％和适量着色剂；该塑封材料具有良好的耐高压性能良好、低吸湿率、强粘结力，本发明的封装材料用于电子封装，能够提高电子元器件的可靠性、使用寿命，防止击穿现象、短路现象、形变现象，有效避免了器件失效。
一种耐压可靠塑封材料及其应用

[发明专利]一种IGBT芯片及其制备方法-CN202310616319.6在审
发明人：江加丽;石文坤;冉龙玄;王智;莫宏康;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本发明芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。
一种 igbt 芯片及其制备方法

[发明专利]一种复合MPT结构的高频IGBT芯片及其制备方法-CN202310618301.X在审
发明人： 莫宏康;冉龙玄;石文坤;王智;江加丽;赵冲冲 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种复合MPT结构的高频IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区。本发明通过微沟槽结构，将元胞尺寸缩小至2.4μm，同时在有源栅元胞中引入发射沟槽元胞，在不改变沟道长度等器件结构的基础上，通过合理分配有源栅元胞和发射沟槽元胞的比例，降低器件的米勒电容(Cres)，增大输入电容(Cies)与米勒电容(Cres)的比例，从而增加高频应用下IGBT的开通关断的可控性，提升高频表现。
一种复合 mpt 结构高频 igbt 芯片及其制备方法

[实用新型]一种二极管芯片封装结构-CN202221010772.X有效
发明人：王宏;王博;杨诚;梅青;洪杜桥;丁小宏;莫宏康;付航军;张云超;钟俊 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种二极管芯片封装结构，包括管座；所述管座上加工有两个安装槽,两个安装槽的底部均安装有底板,底板的底部连接有引线,引线伸出管座的下端面外，一个底板上固定有管芯，管芯的顶部侧面为圆弧形槽管芯上固定有一个电极，另一个底板上固定有一个电极，两个电极之间通过引线连接，所述管座的顶端边缘固接有焊片,焊片为框型，焊片的顶端通过盖板封闭，所述管座的顶端还填充有硅橡胶。本实用新型通过在管芯PN接触一次使用SIPOS层、SIO2层、钝化玻璃层形成钝化层，有效保护PN结免受可动离子的沾污和外界条件对器件性能的影响；在封装时弧形的钝化层能够阻挡溢出的焊膏流出管芯的上表面，减少了后续的CVD和PVD工艺。
一种二极管芯片封装结构

[实用新型]一种超高电流晶体管芯片-CN202221023441.X有效
发明人：王博;莫宏康;王光磊;李治妮;王宏;时功权;谈林乖;张云超;付航军;龙沛武 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种超高电流晶体管芯片，包括其衬底；所述衬底正面与缓冲层接触,衬底的背面与背面金属层接触，缓冲层的中部加工有基极，缓冲层的两端加工有保护环,基极内加工有发射极，所述缓冲层的上端面中部与表面金属层接触，所述保护环上部覆盖有钝化层。本实用新型通过金硅互溶工艺，将金直接与芯片接触，减少了芯片和底板之间的热阻，并将晶体管发射极周长延长，提高每单位发射极周长的电流容量，降低了芯片热量产生的速度。
一种超高电流晶体管芯片

[实用新型]一种高耐压平面型VDMOS的结构-CN202120933448.4有效
发明人： 莫宏康;王光磊;王博;付航军;陈侃;陆超;李治妮;王宏;谈林乖;时功权 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种高耐压平面型VDMOS的结构；包括硅衬底，所述硅衬底上制作有JFET结区，JFET结区上部两端对称制作有两个P+掺杂硅层，两个P+掺杂硅层上均制作有N+掺杂硅层,JFET结区的顶端中部制作有多晶硅层,所有N+掺杂硅层、P+掺杂硅层、JFET结区的上端面通过多晶硅层连接，多晶硅层的上端及N+掺杂硅层的相邻于多晶硅层的部分上端通过钝化层封闭，钝化层上端及N+掺杂硅层和P+掺杂硅层上端露出部分通过铝层封闭,所述P+掺杂硅层和JFET结区之间制作有Pbase区。本实用新型通过不同的掺杂层实现工作电压在200V以上的VDMOS器件制作，并且工艺成熟，制作后的VDMOS器件质量稳定。
一种耐压平面 vdmos 结构

[发明专利]一种超高电流晶体管芯片及其制造方法-CN202210467163.5在审
发明人：王博;莫宏康;王光磊;李治妮;王宏;时功权;谈林乖;张云超;付航军;龙沛武 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供的一种超高电流晶体管芯片及其制造方法，包括其衬底；所述衬底正面与缓冲层接触,衬底的背面与背面金属层接触，缓冲层的中部加工有基极，缓冲层的两端加工有保护环,基极内加工有发射极，所述缓冲层的上端面中部与表面金属层接触，所述保护环上部覆盖有钝化层。本发明通过金硅互溶工艺，将金直接与芯片接触，减少了芯片和底板之间的热阻，并将晶体管发射极周长延长，提高每单位发射极周长的电流容量，降低了芯片热量产生的速度。
一种超高电流晶体管芯片及其制造方法

[实用新型]一种晶圆电镀夹具-CN202120873449.4有效
发明人：陆超;贺晓金;袁强;张荣荣;王博;孟繁新;姚秋原;付航军;莫宏康;韩丹 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆电镀夹具，包括：电镀夹具底板，电镀夹具底板中部设有用于与晶圆进行限位卡合的平面卡槽；电镀夹具底板上固定有能导电的导电金属环，平面卡槽位于导电金属环圈内；导电金属环上固定有多个间隔分布的导电簧片，导电簧片一端与导电金属环固定，导电簧片另一端位于平面卡槽的上方能与晶圆压住接触，电镀电流进入导电金属环后经多个间隔分布的导电簧片均匀流至晶圆表面上；使得金属原子在晶圆表面上快速稳定进行还原反应生长形成平整度好、均匀高的金属镀层，解决了现有金属电镀到晶圆表面上形成电镀层的平整度和均匀性差的问题，避免了晶圆电镀后金属层翘起的情况发生。
一种电镀夹具

[发明专利]一种去除离子注入后光刻胶的方法-CN202110523997.9在审
发明人：王博;王宏;时功权;莫宏康;袁正刚;张云超;钟俊;谈林乖;付航军;陈侃 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除离子注入后光刻胶的方法，采用等离子体去胶工艺,通入氧气去除硅片上的光刻胶，然后放入去胶液中浸泡，通过观察硅片正面是否为金属表面，对应有两种不同的处理方法；对于表面为非金属化的硅片先采用湿法工艺去胶，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后通入氩气与氢气的等离子体轰击硅片的氧化层；对于表面为金属化的硅片先通入氧气开始氧化过程，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后进行通氢气的还原反应过程退火或采用通氩气与氢气的等离子体轰击，以去除硅片的氧化层；本发明通过不同的处理方式，使硅片受到的腐蚀作用降低，同时改善浸泡液进一步提高了光刻胶的去除率。
一种去除离子注入光刻方法

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