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[发明专利]安放用于随机掩模版图的印刷辅助图形的方法和系统-CN201010002038.4有效
发明人： J·E·梅林;H·哈夫纳尔 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及安放用于随机掩模版图的印刷辅助图形的方法和系统。本发明的实施例提供了一种在掩模版图中安放印刷辅助图形的方法。该方法包括：提供具有一个或多个设计图形的设计版图；产生一组参数，该参数组与一个或多个印刷辅助图形(PrAF)相关联；将该参数组的该一个或多个PrAF添加到设计版图以产生修改的设计版图；对该修改的设计版图执行该一个或多个PrAF以及该一个或多个设计图形的仿真；基于该仿真的结果验证该一个或多个PrAF是否是可移除的；以及如果该一个或多个PrAF被验证为是可移除的，则基于该参数组生成一组PrAF安放规则。该PrAF安放规则组可用于生成一组最终的用以生成掩模版图的PrAF图形。
安放用于随机模版印刷辅助图形方法系统

[发明专利]形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法-CN201010166680.6有效
发明人： C-C·陈;黄武松;李伟健;C·萨尔玛 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法。在衬底上形成具有第二光敏性的第二光致抗蚀剂。在第二光致抗蚀剂上形成具有大于第二光敏性的第一光敏性的第一光致抗蚀剂。优选地，第一光致抗蚀剂为在曝光后变为透明的灰抗蚀剂。采用具有第一图形的第一母掩模光刻曝光第一抗蚀剂的至少一部分以形成至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂部分，而第二光致抗蚀剂保持完整。采用包括第二图形的第二母掩模光刻曝光第二抗蚀剂以在第二光致抗蚀剂中形成多个光刻曝光的形状。通过将第二图形限制在仅仅所述至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂图形的区域内，所述多个光刻曝光的形状具有源自第二图形的合成图形。
形成包括屏蔽形状阵列图形方法

[发明专利]场效应晶体管中的沟道应变设计-CN200880016018.3有效
发明人： T·迪勒;R·克里希纳萨米;J-P·韩;E·德姆 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种向场效应晶体管的栅极之下的沟道区域施加应力的方法，所述场效应晶体管包括所述栅极、源极区域与漏极区域。所述方法包括以下步骤：在所述FET的所述源极与漏极区域中嵌入应力源；形成应力衬里以覆盖所述栅极以及所述源极和漏极区域；去除所述应力衬里的一部份，所述应力衬里的所述部分位于所述栅极的顶部上；去除第一栅极材料的所述栅极的至少实质的部分，由此在其中产生开口；以及用第二栅极材料填充所述开口。
场效应晶体管中的沟道应变设计

[发明专利]铁电存储器件-CN200480016152.5无效
发明人：穗谷克彦;高岛大三郎;诺伯特·雷姆 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2004-06-08 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种铁电存储器件，包括存储单元以矩阵形式排列的存储单元阵列。每个存储单元包括单元晶体管和铁电电容器。所述存储器件进一步包括在排列于存储单元阵列端部上的位线外面排列、并且与排列在存储单元端部上的位线隔开与存储单元阵列中位线之间的间距相同的间隔的第一虚拟位线，以及与所述第一虚拟位线连接并且包括单元晶体管和铁电电容器的第一虚拟存储单元，所述第一虚拟位线具有与位线相同的宽度。
存储器件

[发明专利]具有铁电膜的半导体器件及其制造方法-CN03801080.1无效
发明人：金谷宏行;安德里亚斯·希利格 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2003-06-11 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在TC并行单元串联连接铁电存储器中，在半导体衬底(11)上形成层间绝缘膜(15，16)，以覆盖第一和第二半导体区(12)以及栅电极(14)。在层间绝缘膜(16)上形成铁电电容器的第一和第二下电极(18A，18B)。在层间绝缘膜中形成第一接触塞(21A)，接触第一下电极。在层间绝缘膜中形成第二接触塞(21B)，接触第二下电极。第一和第二接触塞连接到埋置的互联(22)，该互联(22)由第三接触塞(23)连接到所述半导体区中的一个。在另一个实施例中，第一到第三接触塞以及所述埋置的互联被单一的接触塞(36)所取代。
具有铁电膜半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于防止泄露的程序分区的系统、方法和计算机程序产品-CN03816723.9有效
发明人：桑托什·潘德;张涛;安德烈·多桑托斯;弗兰茨·J·布鲁克梅尔 -专利权人：佐治亚技术研究公司;英芬能技术公司
申请日： 2003-06-04 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G06F9/45 文献下载
摘要：当整个程序不能装入一个装置的内存中时，将整个程序分区的系统、方法和计算机程序产品。在最低限度的安全程序分区执行之前，按照需要将它们从服务器下载到内嵌式装置上。将程序的代码和数据分区使得不会泄露与程序的控制流行为有关的信息。因此，通过观察从服务器下载到装置上的程序分区，攻击者不可能猜出采用的是程序的那一分支以及程序的控制流是什么。对诸如智能卡的安全内嵌装置来说，防止篡改的特性是很有价值的，这些装置能够保存敏感信息和/或执行诸如金融交易的关键性计算。
用于防止泄露程序分区系统方法计算机产品

[发明专利]半导体器件-CN200410084013.8有效
发明人： K·库马尔;T·达尔顿;L·克莱文杰;A·考利;D·C·拉图利普;M·霍因基斯;杨智超;林义雄;E·卡尔塔里奥格鲁;M·瑙约克;J·沙赫特 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2004-10-13 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体器件。绝缘层包括第一介质材料和第二介质材料，第二介质材料不同于第一介质材料。在第一介质材料中形成具有第一图形的第一导电区，在第二介质材料中形成具有第二图形的第二导电区，第二图形不同于第一图形。第一介质材料和第二介质材料中的一个包括有机材料，另一个介质材料包括无机材料。第一和第二介质材料中的一个相对于另一个具有蚀刻选择性。还公开了在晶片保留在室中的同时清洁半导体晶片处理室的方法。
半导体器件

[发明专利]带有在I/O监视内部计时控制信号的测试模式的半导体存储器器件-CN03813020.3无效
发明人：宮川正;高岛大三郎;托马斯·勒尔 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2003-06-04 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：公开了带有在I/O监视内部计时控制信号的测试模式的半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括一个存储器单元阵列；多个输入/输出端子，把写入存储器单元阵列的单元数据输入以及把从存储器单元阵列读取的单元数据输出；一个测试模式设定电路，设定一种测试模式，以便监视多个控制单元数据之输入/输出操作计时的控制信号；以及若干切换电路，连接到多个输入/输出端子。切换电路在测试模式下，从多个输入/输出端子同时输出多个计时信号。
带有监视内部计时控制信号测试模式半导体存储器器件

[发明专利]码分多址无线系统-CN02817884.X有效
发明人： A·F·纳吉布 -专利权人： 英芬能技术公司
申请日： 2002-09-12 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H04B7/06 文献下载
摘要：使用相同的扩频码(344)但从发射机的不同发射天线(332a、334a、332b、334b)将信息码元同时地在独立的流上发射。这些同时的数据流可以是要送给相同的用户(从而对于任何特定用户的数据速率可被增加)或不同的用户(从而增加系统的容量)。每个数据流可属于不同的信号调制并使用不同的信道代码(324a、324b)。在接收机，等于至少多个数据流的数量的若干接收天线被用于分离不同的数据流。我们考虑两种不同的情况。第一种是当没有使用发射分集时的情况(这种情况也可以包括当使用利用简单天线加权的发射分集时的情况)且第二种是当使用利用空时块编码的发射分集时的情况。
码分多址无线系统

[发明专利]集成电路芯片设计-CN02816762.7有效
发明人： T·E·威廉斯;J·费罗;D·托维;L·曾 -专利权人： 英芬能技术公司
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供用于改进集成电路设计的方法，其通过使用版面设计工具、合成、以及定时序分析以避免由于在过早的最优化上花费太多时间而被卡住(图2－13)。由于设计围绕于投片，一些问题必须同时收敛，以及一个有用的概念是向所需目标渐增地放松增加的余量。
集成电路芯片设计

[发明专利]半导体器件-CN200410036653.1无效
发明人：糸川宽志;山川晃司;今井馨太郎;名取克晃;文范基 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在此提供一种半导体器件，其中包括：半导体基片(100)；以及电容器，其提供在该半导体基片上并且包括底电极(116、117、118、119)、顶电极(121、122、123)和置于该底电极和顶电极之间的介电膜(120)，底电极和顶电极中的至少一个包括：选自贵金属膜和贵金属氧化物膜的导电膜(117、123)；金属氧化物膜(119、121)，其具有钙钛矿结构，提供在该介电膜和导电膜之间，由ABO₃所表示，并且包含作为B位置元素的第一金属元素；以及金属膜(118、122)，其提供在该导电膜和金属氧化物膜之间，并且包含作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位置元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量比在第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量更大。
半导体器件

[发明专利]多载波调制的数据传输方法-CN02820993.1有效
发明人：沃纳·海恩科尔;瓦伦丁·泽诺 -专利权人： 英芬能技术公司
申请日： 2002-09-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：根据本发明，在多载波调制的数据传输过程中，发送器的数据组合成信息块，并通过离散傅立叶反变换(IDFT)被分块调制。没有被数据占用的多个载波被保留。这些载波用于产生大量的类似于单位脉冲的函数。这些函数经过滤波后具有类似于单位脉冲函数的特征。所述时间函数这样生成：滤波后获得的类似于单位脉冲的时间函数以过采样的时间分辨率，在不同的、最好是在相邻的位置达到其最大值。滤波后过经过采样的类似于单位脉冲的时间函数和相应的没有经过过采样的滤波输入函数都被存储下来，从所存储的时间函数及滤波输入函数对中通过迭代选出一个函数对。所述函数对通过保留的载波被数据占用被平移到峰值位置，包括已经实现的迭代修正，然后在用一个系数加权之后从时间函数中减去，其中迭代修正同时运用到滤波后具有过采样间隔的时间信号和没有经过采样且没有经过滤波的相应时间信号。
载波调制数据传输方法

[发明专利]可配置的终端引擎-CN02817199.3有效
发明人： S·加弗努迪亚斯;J·博库兹;A·雅克;R·M·米斯拉;Y·张;A·西尔弗伯格;R·里扎;Y·纳克森 -专利权人： 英芬能技术公司
申请日： 2002-08-02 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H04J13/04 文献下载
摘要：一种可配置的蜂窝式终端引擎(CTE)可由外部代理(例如，微控制器、DSP或状态机)来配置以适应不同扩频系统的特定需求。该CTE在芯片组上包括调制解调器单元和信道编解码器单元。所述调制解调器单元具有前端单元(102)，其用于连接到天线；匹配的滤波器搜索器单元(104)，其至少被连接至所述前端单元；搜索器单元(106)，其至少被连接至所述前端单元；分路处理单元(108)，其被连接至所述前端单元；参数估算处理器单元(110)，其至少被连接至所述分路处理单元和所述搜索器单元；以及发射机单元(112)。所述信道编解码器单元具有信道解码器单元(118)，其至少被连接至所述分路处理单元；以及信道编码器(120)，其至少被连接至所述发射机单元。
配置终端引擎

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03800949.8无效
发明人：有隅修;今井馨太郎;山川晃司;文范基 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2003-05-28 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：半导体器件包含底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间、由含有Pb、Zr、Ti和O的钙钛矿型铁电体制成的介电膜，介电膜包含由许多晶粒形成的第一部分，这些晶粒被具有许多方向的晶粒边界分隔开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于提高扩频通信系统中数据速率的方法和装置-CN02816315.X有效
发明人： L·M·A·贾卢勒;A·G·尚布哈格 -专利权人： 英芬能技术公司
申请日： 2002-08-21 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H04L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高数据速率的扩频通信系统。按照本发明，一种高数据速率扩频发射机(100)包括：编码器(110)，用于对R比特/秒的输入比特流进行编码以产生Rs比特/秒的输出比特流；间插器(120)，用于加扰编码器的输出比特流的比特以产生间插的比特流；M－ary调制器(130)，用于调制间插的比特流；串并转换器(140)，将调制的比特流转换为多个并行比特流；发生器，用于产生沃尔什代码集合的准正交函数集合；乘法器阵列(150)，每个乘法器接收并行比特流的一个并将该并行比特流的一个与沃尔什代码或沃尔什代码的准正交函数相乘以产生扩频比特流；以及组合器(160)，用于组合来自乘法器阵列的扩频比特流。此外，按照本发明，一种高数据速率接收机包括：前端接收机，用于接收扩频信号；解扩频器，用于使用沃尔什代码或准正交函数的集合对该信号解扩频；多用户检测块，用于减去解扩频信号中的干扰以形成校正的信号；以及组合器，用于组合校正的信号。
用于提高通信系统数据速率方法装置

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