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[发明专利]一种隧道结结构及其形成方法、隧道结器件-CN202011412530.9有效
发明人：王俊;苟于单;程洋;肖啸;郭银涛;杨火木 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种隧道结结构及其形成方法、隧道结器件，其中，第一半导体层，第一半导体层中具有Te离子；第二半导体层，第二半导体层的导电类型和第一半导体层的导电类型相反；位于第一半导体层和第二半导体层之间的非掺杂量子阱层，所述非掺杂量子阱层适于阻挡Te扩散。所述隧道结结构的隧道结结构的遂穿峰值电流提高。
一种隧道结构及其形成方法器件

[发明专利]一种激光电池及其制备方法-CN202211496537.2有效
发明人：张宇荧;苟于单;王俊;张玉国;赵武;张立晨;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种激光电池及其制备方法，激光电池包括：半导体衬底层；晶格变异缓冲结构；晶格变异缓冲结构包括自下至上依次层叠的第一缓冲单元至第N缓冲单元、以及位于第N缓冲单元背离半导体衬底层一侧的第N+1组分步进层；第一缓冲单元至第N缓冲单元中的任意第n缓冲单元包括自下至上层叠的第n组分步进层和第n组分回调层；第一组分步进层至第N+1组分步进层、第一组分回调层至第N组分回调层中均包含相同的元素组；第一组分步进层至第N+1组分步进层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；第一组分回调层至第N组分回调层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；光吸收层。所述激光电池能发射出需要波长，且能实现成本较低、质量较好。
一种激光电池及其制备方法

[发明专利]一种基于温度调节光伏组件工作状态的方法-CN202210830039.0在审
发明人：杨火木;牛瑞君;邓国亮;王俊;苟于单;杨擎东;汪浩 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种根据光伏组件工作温度调节入射光功率密度使得光伏组件工作在最高转换效率或最大输出功率点的方法，具体步骤包括：在搭建输能系统之前对光伏电池的输出性能进行测试，得到不同环境下光伏组件工作在最佳状态时对应的工作温度，在进行远距离激光输能任务时，利用温度传感器返回光伏组件实时工作温度，并通过数据对比调节入射光功率密度使得光伏组件工作在最大输出状态。
一种基于温度调节组件工作状态方法

[发明专利]一种多有源区半导体结构及其制备方法-CN202210000451.X有效
发明人：王俊;苟于单;周立;程洋;谭少阳;张立晨;李波;胡燚文;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种多有源区半导体结构及其制备方法，多有源区半导体结构包括：位于第k有源层和第k隧道结之间且与第k隧道结接触的第2k‑1共用限制层；位于第k+1有源层和第k隧道结之间且与第k隧道结接触的第2k共用限制层；第k量子阱层的禁带宽度均小于第k个第一半导体层的禁带宽度和第k个第二半导体层的禁带宽度；第2k‑1共用限制层和第2k共用限制层的总厚度大于临界光场耦合厚度且小于或等于临界光场耦合厚度的2倍；第k量子阱层的厚度小于或等于第2k‑1共用限制层的1/10，且第k量子阱层的厚度小于或等于第2k共用限制层的1/10。所述多有源区半导体结构的发光效率有效提高且光场串扰减小。
一种有源半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种高应变半导体结构及其制备方法-CN202210069124.X有效
发明人：王俊;肖垚;陈湘榴;邓国亮;杨火木;周昊;王树同;张弘;张志成;肖啸;程洋;苟于单;廖新胜;闵大勇;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。降低高应变半导体结构的工艺难度和复杂度且提高生长质量。
一种应变半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种大功率超高效率的半导体器件及其制备方法-CN202111626003.2有效
发明人：周立;王俊;苟于单;程洋;肖啸;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率超高效率的半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：位于半导体衬底层上的N型限制层；位于N型限制层背离半导体衬底层一侧的有源层；位于有源层背离N型限制层一侧的P型限制层，P型限制层包括P型限制体掺杂层；位于N型限制层和有源层之间的N型波导层，N型波导层包括N型波导体掺杂层；位于P型限制层和有源层之间的P型波导层；N型波导层还包括：位于N型波导体掺杂层朝向N型限制层一侧表面且与N型限制层接触的第一N型突变面掺杂界面层；和/或，P型限制层还包括：位于P型限制体掺杂层朝向P型波导层一侧表面且与P型波导层接触的第一P型突变面掺杂界面层。大功率超高效率的半导体器件的发光效率提高。
一种大功率超高效率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010988634.8有效
发明人：王俊;苟于单;程洋;肖啸;郭银涛;周立 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明公开的半导体器件包括：隧道结，隧道结包括p型半导体层和n型半导体层。n型半导体层中掺杂有第一导电离子和第二导电离子，第一导电离子的半径小于第二导电离子的半径，第二导电离子的饱和掺杂浓度大于第一导电离子的饱和掺杂浓度。本发明的半导体器件中n型半导体层的第一导电离子的半径小于第二导电离子的半径，第二导电离子的饱和掺杂浓度大于第一导电离子的饱和掺杂浓度，采用第一导电离子和第二导电离子共掺杂的方式，可以有效的提高总掺杂浓度，并且不易发生晶格失配，进而可实现较高的隧穿峰值电流，可满足较高的隧穿电流需求。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种激光光能回收装置及方法-CN202010752866.3有效
发明人：俞浩;苟于单;王俊;潘华东;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光光能回收装置及方法，该装置包括：激光光源，用于发射激光光束；偏振模块，用于将激光光源发射的激光光束进行分离，得到偏振模式不同的两束激光，两束激光的能量不同；回收模块，用于将两束激光中能量较小的激光光束进行回收。通过实施本发明，在装置中设置偏振模块，可以将激光光源发出的激光光束进行分离，当激光光束为混合偏振态时，经过偏振分离后，可以得到两束单一偏振态的激光光束，通过设置回收装置，可以将两束激光光束中能量较低的一束光进行回收保存，从而只留下一束能量较高的激光光束便于后续的利用。由此可以使得现有的输出混合偏振态的激光器输出单一线偏振光，避免了混合偏振态中的杂散光对后续设备的影响。
一种激光光能回收装置方法

[发明专利]一种半导体生长设备及其工作方法-CN202111251445.3有效
发明人：王俊;程洋;肖啸;郭银涛;苟于单 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体生长设备及其工作方法，半导体生长设备包括：反应腔室；位于反应腔室中的加热基座，加热基座包括第一加热区和位于第一加热区侧部周围的第二加热区，第一加热区的加热温度大于第二加热区的加热温度，第二加热区的表面上适于放置衬底；位于反应腔室顶部的第一喷淋单元和第二喷淋单元，第一喷淋单元位于第一加热区的上方，第二喷淋单元位于第二加热区的上方；第一喷淋单元至少包括第一管路，第一管路中适于通入第一气源，第二喷淋单元至少包括第二管路，第二管路中适于通入第二气源，第一气源的分解温度大于第二气源的分解温度。所述半导体生长设备的最佳生长温度区间降低，扩大了使用范围。
一种半导体生长设备及其工作方法

[发明专利]一种半导体器件和制造方法-CN202010496658.1有效
发明人： 苟于单;王俊;程洋;肖啸;郭银涛 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，涉及半导体光电子器件领域。本发明公开的半导体器件，包括：第一导电类型半导体层；设置在第一导电类型半导体层上的插入层，插入层为硅碲共掺杂的铟镓砷；设置在插入层上第二导电类型半导体层；其中第一导电类型和第二导电类型是不同的导电类型。本发明公开的半导体器件可实现较高的隧穿峰值电流，可满足较高的隧穿电流需求。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种小型化、自动往复扫描高功率激光器-CN202010642830.X有效
发明人：洪延姬;苟于单;俞浩;金星;常浩;王俊 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队航天工程大学;苏州长光华芯光电技术有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明属于高能激光器领域，主要涉及一种能够自动输出线光斑的小型化激光器。主要包括半导体激光器、偏振器、激光电池、反射棱镜和电机平移台。通过对浪费的偏振模式进行能量回收，减少了激光器内部发热，从而提高了光束质量，同时也减少了散热装置的使用。回收的能量直接用于驱动电机平移台，通过开关切换实现电机平移台自动往复运动，实现了激光器输出自动往复行扫，在确保高功率密度输出的同时实现线光斑输出。无需光学整形、光束合束等操作即可实现线光斑的输出，整体结构简单。
一种小型化自动往复扫描功率激光器

[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法-CN202010438454.2有效
发明人：程洋;王俊;谭少阳;苟于单 -专利权人：四川大学;苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层，制得外延片；在外延片上形成脊形图形掩膜层；将形成脊形图形掩膜层的外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀；通入第二气体，在外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层；去除外延片上的脊形图形掩膜层；其中，保护气及第二气体为非含氧气体。通过将形成脊形图形掩膜层的外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀，从而可以使得外延层在刻蚀时，刻蚀面及刻蚀壁不会被氧化；且在刻蚀完成后，在外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层，可以进一步通过防氧化层将刻蚀面及刻蚀壁遮盖的方式防止外延片在拿出反应室后刻蚀面及刻蚀壁被空气氧化。
一种半导体激光器及其制作方法

[发明专利]一种双有源区激光器芯片及制备方法-CN202010683005.4在审
发明人：周立;苟于单;王俊;程洋;郭银涛;肖啸 -专利权人：苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了一种双有源区激光器芯片及制备方法，其中，双有源激光器芯片包括：依次设置的衬底、下有源区和上有源区；上有源区中包括上有源区量子阱；下有源区中包括下有源区量子阱；上有源区量子阱与下有源区量子阱的材料为InxGa1‑xAs，且上有源区量子阱的InxGa1‑xAs材料中的铟组分x大于下有源区量子阱的InxGa1‑xAs材料中的铟组分x；上有源区量子阱的厚度大于下有源区量子阱的厚度。本发明提供的双有源激光器芯片中，较少的铟组分和较小的厚度可以使下有源区的激射波长较短，实现了对下有源区因工作结温较高导致的激射波长较上有源区激射波长较高的补偿，使得双有源区激光芯片输出的光谱与单有源区激光芯片输出的光谱的展宽相差较小。
一种有源激光器芯片制备方法

[发明专利]一种激光能量转换芯片的测试装置及方法-CN202010481876.8在审
发明人： 苟于单;王俊;廖新胜;谭少阳 -专利权人：四川大学;苏州长光华芯光电技术有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光能量转换芯片的测试装置及方法，该装置包括：半导体激光器模块，用于发出第一测试激光；分光镜，用于将第一测试激光分成第一激光光束和第二激光光束，并将第二激光光束投射到待测试激光能量转换芯片的第一表面上；功率探测器，用于测试第一激光光束的激光功率，其中，第一激光光束到达功率探测器的距离与第二激光光束到达待测激光能量转换芯片的第一表面的距离相等；电性参数测试装置，用于测试待测激光能量转换芯片的电性参数；效率测试装置，用于根据激光功率及电性参数计算待测激光能量转换芯片的转换效率。该装置可以实时、在线、精确地测量得到多结激光能量转换芯片的光电转换效率。
一种激光能量转换芯片测试装置方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202010319588.2在审
发明人：程洋;赵智德;王俊;廖新胜;周立;谭少阳;苟于单 -专利权人：四川大学;苏州长光华芯光电技术有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底，衬底的第一表面上排布有多个图形结构，图形结构突出于衬底的第一表面；外延层，外延层沿衬底上形成有图形结构的第一表面外延生长形成；外延层中形成有有源层，图形结构上方的有源层的厚度小于图形结构之间的有源层的厚度；绝缘层，设置于外延层对应图形结构上方的区域；第一电极，设置于外延层及绝缘层上方。通过在衬底的第一表面上制作多个图形结构，利用图形结构上方区域和图形结构之间区域生长速率的差异，形成非吸收窗口，简化了制作非吸收窗口的步骤，并且仅通过一次外延生长即可得到正常生长的激光器结构和作为非吸收窗口的激光器结构，工艺的效率和良率均得到提高。
一种半导体激光器及其制备方法

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