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[发明专利]基于双栅TFET的T型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202310521722.0在审
发明人：陈庆;刘含笑;齐增卫;杨露露;王丹丹;苗瑞霞;贺炜;李建伟 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及基于双栅TFET的T型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法；解决现有双栅T型源区异质结TFET(T‑source‑HJTFET)亚阈值摆幅特性较为陡峭以及开态电流较低的技术问题；晶体管包括T型结构的源区、依次连接的沟道区、漏区、硅基外延层和衬底；沟道区上端中部横向设置有埋置槽；源区的小径段设置在埋置槽内；源区和沟道区的左右两侧均覆盖设置有高k栅氧化层，高k栅氧化层上设置有铁电层；源区上端设置有源极，漏区下方设置有漏极，左侧铁电层的左端和右侧铁电层的右端设置有栅极；源区为P型掺杂或N型掺杂，沟道区的掺杂类型与源区相同，漏区的掺杂类型与源区相反；源区采用Si1‑xGex制备，沟道区和漏区采用硅制备；本发明还提出晶体管的制备方法。
基于 tfet 型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管-CN202211222956.7在审
发明人：陈庆;孙榕;刘含笑;杨露露;苗瑞霞;贺炜;李建伟 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及双栅隧穿场效应晶体管，具体涉及一种基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管，用于解决现有双栅隧穿场效应晶体管无法在提升开态电流的同时，降低双极电流和亚阈值摆幅的不足之处。该基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管包括沟道区、源区、漏区、栅氧化层、辅助隧穿势垒层；其中栅氧化层上采用双材料异质结构，其包括靠近漏区的第二栅氧化层、靠近源区的第一栅氧化层，第二栅氧化层介电常数相对较低，以增加反向隧穿势垒宽度来降低双极效应；源区和辅助隧穿势垒层之间形成异质结接触介面，辅助隧穿势垒层用于降低隧穿的势垒宽度；本发明解决了传统的TFET开态电流低、双极效应明显、不能很好地满足TFET器件快速发展需求的缺点。
一种基于材料介质双栅隧穿场效应晶体管

[发明专利]一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管-CN202211222502.X在审
发明人：陈庆;孙榕;刘含笑;杨露露;苗瑞霞;贺炜;李建伟 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及双栅隧穿场效应晶体管，具体涉及一种基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管，用于解决现有隧穿场效应晶体管无法在增强开态电流的同时，避免双极电流增加的不足之处。该基于硅基的可调控双栅隧穿场效应晶体管包括第一沟道区、第二沟道区、源区、漏区、栅氧化层、辅助隧穿势垒层；其中栅氧化层包括靠近漏区的第一栅氧化层、靠近源区的第二栅氧化层，第一栅氧化层的介电常数相对较低，以增加反向隧穿势垒宽度来降低双极效应；本发明可以通过减少第二栅氧化层宽度来提升器件的开态电流、增加第一栅氧化层宽度抑制双极电流，从而解决了传统的TFET开态电流低、双极效应明显、不能很好地满足TFET器件快速发展需求的缺点。
一种基于调控双栅隧穿场效应晶体管

[发明专利]一种高熵合金薄膜的制备方法-CN202010843942.1在审
发明人：任卫;赵东兴;冯爱玲;商世广;苗瑞霞;夏军波 -专利权人：西安邮电大学;宝鸡文理学院
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种高熵合金薄膜的制备方法，包括：清洗基底；将基底放置在磁控溅射仪真空室的样品台上；将高熵合金靶材放入真空室的溅射阴极处；对真空室进行抽真空处理使真空度小于1*10‑4Pa；在真空室内通入氩气；开启磁控溅射仪，调节溅射功率，使氩气在射频电场作用下电离，电离出的氩离子轰击靶材表面，从靶材溅射出大量靶材原子，在基底上沉积形成薄膜；取样并退火处理，得到高熵合金薄膜。本发明根据氩气在射频电场作用下电离，电离出的氩离子轰击靶材表面，将靶材表面的大量金属原子溅射下来，以此形成合金薄膜。本发明中的制备方法重复性好，并且制备的薄膜与基底结合度高，孔隙率小、稳定性好，形貌光滑，连续性好。
一种合金薄膜制备方法

[发明专利]一种石墨烯薄膜衬底的制备方法及其应用-CN202010534433.0在审
发明人： 苗瑞霞;王少青;赵晨鹤;束体康 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯薄膜衬底的制备方法，方法包括以下步骤：步骤S1、对石英衬底进行预处理；步骤S2、将经过预处理的石英衬底置于磁控溅射靶材底座上，采用磁控溅射法于石英衬底上形成SiO2纳米颗粒；步骤S3、将经磁控溅射处理后的石英衬底放入退火炉中，在空气流动的条件下经退火处理即得。本发明还公开了一种以本发明制备的石墨烯薄膜衬底制得的石墨烯薄膜，本发明方法避免了打磨产生的SiO2纳米颗粒不均匀的问题，本发明所制得的石墨烯薄膜缺陷少，sp3杂化少，薄膜质量更高，电阻更小。
一种石墨薄膜衬底制备方法及其应用

[实用新型]一种移动转移病人的垫子-CN201920060064.9有效
发明人：石琳琳;邵春晓;任燕燕;苗瑞霞 -专利权人：中国人民解放军联勤保障部队第九八九医院
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： A61G1/01 文献下载
摘要：一种移动转移病人的垫子，垫子一端设置垫子容纳袋内，垫子上表面四周边缘处均匀分布四对拉环，垫子的上表面两侧和下表面两侧设置两对稠面拉锁，垫子的上表面设置毯子，垫子两侧对称设置一对稠面容纳袋，稠面的一侧缝合于稠面容纳袋内，稠面的另一侧设置稠面拉锁，未使用状态时，稠面呈卷状藏于稠面容纳袋内，使用状态时，稠面展开呈长方形，稠面位于垫子的上表面或下表面，稠面的稠面拉锁与垫子上表面或下表面相对应的稠面拉锁对应拉合，使两个稠面容纳袋内的稠面平铺于垫子上表面的毯子的上表面和垫子下表面；极大的减少了医护人员在对偏瘫或全瘫患者的护理和移动的劳动强度，提高了工作效率；结构简单，设计巧妙，使用安全，使用效果好。
垫子上表面下表面拉锁毯子未使用状态对称设置工作效率两侧设置四周边缘一端设置面平铺容纳袋偏瘫对拉缝合卷状拉合移动护理医护

[发明专利]一种啤酒过滤用石墨烯复合膜及其制备方法-CN201810596172.8有效
发明人： 苗瑞霞;杨婷;徐嘉文;李杰;李建良;陈晓慧 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种啤酒过滤用石墨烯复合膜及其制备方法，该复合膜为由陶瓷膜、氧化石墨烯分离膜、完成刻蚀后的石墨烯膜、陶瓷膜从上往下依次层叠构成的过滤膜结构，所述完成刻蚀后的石墨烯膜上有通过离子束撞击所得的纳米级孔洞。本发明所得石墨烯膜具有绿色安全、可回收，性能稳定，效率高，单位过滤成本低，适用范围广等优点，可以很好地解决现有啤酒过滤技术的缺点。
啤酒过滤石墨烯膜石墨烯复合膜陶瓷膜刻蚀制备纳米级孔洞氧化石墨烯依次层叠分离膜复合膜过滤膜可回收离子束过滤安全

[发明专利]一种低温制备亚微米NaNbO₃陶瓷粉体的方法-CN201310166607.2有效
发明人：刘维红;苗瑞霞;李永锋;张博;商世广;赵萍 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制备亚微米NaNbO3陶瓷粉体的方法，包括以下步骤：制备稳定的草酸铌溶液；将无水碳酸钠溶解到去离子水中；制备NaNbO3的前驱体溶液；获得NaNbO3纯相。本发明工艺简单，对设备要求低，合成温度低，保温时间短，能耗低，所需原料便宜，制备的粉体具有晶粒发育程度好，粒度细，团聚非常轻的特点，成相温度特别低。
一种低温制备微米 nanbo sub 陶瓷方法

[发明专利]提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法-CN200910218656.X有效
发明人： 苗瑞霞;张玉明;汤晓艳;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法。主要解决利用刻蚀的方法使基面位错转化成刃型位错时转化率不高的问题。其方法是：(1)用KOH对4H-SiC衬底进行刻蚀，刻蚀温度为480℃～520℃，刻蚀时间为10～20min；(2)对刻蚀后的4H-SiC衬底进行表面清洁处理；(3)将表面清洁处理后的4H-SiC样品放置在CVD炉腔中，抽真空使炉内压强达到10-7Pa，升高炉内温度至1400～1500℃，同时通入流量为20～50l/min的氢气，保持5min，再通入流量为8～15ml/min丙烷，升温至1580～1600℃，在压力为80～100mbar下保持30～50分钟；(4)在保持压力不变的条件下降温至1550±5℃时，通入硅烷进行外延生长。本发明可应用于4H-SiC同质外延材料的制作。
提高 sic 基面位错转化外延方法

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