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- [发明专利]一种多芯片模块-CN201911000113.0有效
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赵洋;刘鑫
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2019-10-21
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2022-07-26
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H01L23/495
- 一种多芯片模块，多芯片模块包括基底；位于基底上的中央引线框和多个外围引线框，外围引线框位于中央引线框的至少一侧；至少一个多层电路板，多层电路板包括至少三层走线层，多层电路板的顶层表贴有多个独立无源器件，多层电路板装贴于部分中央引线框和至少部分外围引线框上。通过本发明的技术方案，避免了使用键合线实现无源器件的设置，且避免了多层电路板引出至外围引线框的键合线的使用，减少了多芯片模块中键合线的数量，降低了多芯片模块封装时所使用的塑封对键合线的影响，进而降低了塑封对多芯片模块电性能的影响，避免了塑封影响过大导致多芯片模块失效的问题。
- 一种芯片模块
- [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201911033370.4有效
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赵树峰
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2019-10-28
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2022-07-26
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H01L29/417
- 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区，还包括依次设置的衬底、多层半导体层、至少两类电极、介质层和至少一块导电块，至少两类电极、介质层和至少一块导电块均位于有源区内；介质层中形成有电极通孔，电极通孔贯穿介质层，且电极通孔在衬底所在平面上的垂直投影与至少一类电极在衬底所在平面上的垂直投影交叠；位于电极通孔内的通孔导电柱；同一导电块通过通孔导电柱与同一类电极电连接。采用上述技术方案，通过设置电极与导电块位于不同膜层，同时通过通孔导电柱实现导电块与电极的电连接，通过导电块向电极提供信号，保证半导体器件正常工作的同时减小半导体器件的面积，有利于实现半导体器件的小型化设计。
- 一种半导体器件及其制备方法
- [实用新型]湿法剥离导流机构和湿法剥离装置-CN202123456413.5有效
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袁晓峰
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2021-12-31
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2022-07-15
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H01L21/67
- 本实用新型提供了一种湿法剥离导流机构和湿法剥离装置，涉及半导体技术领域，该湿法剥离导流机构包括导流盘和导流管道，导流盘用于设置在填充有溶解液的液槽中，并位于圆片的一侧，且导流盘上开设有多个导流孔，导流管道与多个导流孔连接，并用于部分伸出液槽，以使圆片和导流盘之间的溶解液经由导流管道排出。在实际进行湿法剥离时，圆片放置在液槽中，同时导流盘设置在圆片的一侧，圆片周围的溶解液朝向导流盘的方向加速流动，使得溶解液与光刻胶的混合溶解速度加快，加快湿法剥离进程，同时由于溶解液的流动有方向性，金属薄膜被剥离后会往导流盘上靠近，不会反向粘至圆片表面，避免造成金属残留缺陷。
- 湿法剥离导流机构装置
- [发明专利]一种开盖治具-CN201810524622.2有效
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赵杨
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2018-05-28
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2022-07-12
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B25B7/22
- 本发明公开了一种开盖治具，涉及分离开盖工具领域。一种开盖治具包括钳子，钳子包括第一钳头和第二钳头，第一钳头的内侧设置有弹性凸起和第一凸起，弹性凸起的长度大于第一凸起的长度，第二钳头的内侧设置有第二凸起，且第二凸起与弹性凸起相对设置。该开盖治具在使用时，弹性凸起和第二凸起分别与底座相对的两个侧面抵接，随着两个钳头的收紧，弹性凸起压缩，第一凸起抵接在上盖的侧壁上，并对上盖施加剪切力，推动上盖，从而将上盖与底座分离，实现开盖的目的。该开盖治具的操作简单、开盖效率高，且通过剪切力开盖，可以避免上盖破碎，避免损坏内部结构。
- 一种开盖治具
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202011631134.5在审
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韩鹏宇;裴轶;宋晰;吴星星
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2020-12-30
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2022-07-01
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H01L29/40
- 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括衬底、叠层结构及场板结构，所述叠层结构远离所述衬底的一侧设有源极、漏极及位于二者之间的栅极；场板结构位于源极、栅极远离叠层结构的一侧，所述场板结构包括场板主体、导电桥柱及场板接头，所述场板主体位于所述源极与所述漏极之间；所述场板接头位于所述源极远离所述叠层结构的表面；所述导电桥柱位于所述场板主体与所述场板接头之间，所述场板接头的数量为至少一个，所述导电桥柱的数量与所述场板接头的数量相同，且所述导电桥柱与所述场板接头一一对应连接。本申请在增大半导体器件的击穿电压，减小栅极的泄漏电流的同时，兼顾半导体器件的频率特性及稳定性。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202011635294.7在审
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李元
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2020-12-31
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2022-07-01
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H01L29/423
- 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区；该半导体器件还包括衬底；电极结构，位于衬底一侧且位于有源区，电极结构包括多个栅极以及与所述栅极相邻设置的多个相邻电极；介质层，位于电极结构远离衬底的一侧，介质层覆盖电极结构；多个栅极键合盘，每个栅极键合盘至少部分位于有源区且与相邻电极在衬底所在平面上的垂直投影部分重合，且每个栅极键合盘还至少包括位于介质层远离衬底一侧的部分，栅极键合盘与栅极电连接。本发明提供的半导体器件，将至少部分栅极键合盘设置于有源区，可大大减小无源区的面积，从而减小半导体器件的整体面积，提高半导体器件的集成度，进而大大降低芯片的成本。
- 一种半导体器件及其制备方法
- [发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202011643648.2在审
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裴轶;宋晰
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2020-12-30
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2022-07-01
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H01L29/40
- 本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体层、金属电极和金属连接层，半导体层位于衬底的一侧，金属电极位于半导体层远离衬底的一侧，金属电极包括源极，金属连接层位于源极远离衬底的一侧，并与源极连接，通过隔离结构将金属连接层分隔成至少两个金属连接块，使得在沉积形成金属连接层的过程中，位于金属连接层一侧多余金属能够与隔离结构处对应的金属沉积物连接，并且使得待剥离金属沉积物面积更大，从而使得多余金属的剥离更加容易，且剥离过程更加安全，不会破坏场板结构和金属连接层，降低了金属连接层和场板结构的制作工艺难度，提高了制作效率。
- 半导体器件制备方法
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