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[发明专利]发光二极管、LED芯粒及发光装置-CN202310879904.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;李俊贤;曾炜竣;张中英;蔡吉明;黄少华;贺春兰;潘子燕 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管、LED芯粒及发光装置，发光二极管包括：衬底；形成于衬底正面上外延层，包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；覆盖于外延层上方的保护层，其中，外延层被分割为若干芯粒，芯粒包括在横向和纵向上相交的横向侧壁和纵向侧壁，相邻芯粒之间形成切割道，切割道包括分别沿横向和纵向延伸的横向切割道和纵向切割道，保护层覆盖切割道和芯粒侧壁，横向切割道和纵向切割道的交叉区域的保护层设置有图形化结构，图形化结构包括向衬底延伸的凹槽。凹槽将裂片刀交点产生的裂纹限制在图形化结构内部，降低了裂片刀与保护层重复接触产生应力开裂的概率，并有效阻止裂纹延伸，避免切割的崩边崩角现象，确保了元件质量。
发光二极管 led 发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310716701.4在审
发明人：曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极、第二接触电极和第一金属结构，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，第一金属结构覆盖第一接触电极和第一半导体层的上表面，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
发光二极管发光装置

[实用新型]一种紫外发光元件及发光装置-CN202320146128.3有效
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;卓佳利;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光元件及发光装置。紫外发光元件包括半导体叠层、第一接触电极、第二接触电极；半导体叠层包括依次层叠的第一类半导体层、发光层和第二类半导体层以及暴露出第一类半导体层部分表面的台面；第一接触电极形成在台面上且电连接第一类半导体层；其中，第一接触电极至少包括环状电极和指状电极，环状电极围绕所述台面的外周区域设置，指状电极由环状电极向台面的内部区域延伸，指状电极包括第一凸起电极和第二凸起电极。通过上述对第一接触电极的形状结构进行改进，从而有效降低操作电压，优化电流扩展的均匀性，提升紫外发光元件的发光亮度。
一种紫外发光元件装置

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202111455996.1有效
发明人：韩涛;黄禹杰;陈剑斌;臧雅姝 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管，包括:半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及从所述第二半导体层经由所述有源层延伸到所述第一半导体层的一部分的多个通孔；其中，所述多个通孔包括第一组通孔和第二组通孔，所述第一组通孔包括形成在所述发光二极管第一边和/或第三边的多个所述通孔，所述第一组通孔在第一方向上间隔设置；所述第二组通孔包括形成在所述发光二极管第二边和/或第四边的多个所述通孔，所述第二通孔在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔设置；所述第一组通孔和所述第二组通孔对齐排列，被所述第一组通孔和所述第二组通孔围绕的内侧通孔在所述第一方向和/或所述第二方向上不对齐排列。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及发光装置-CN202310717083.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;李俊贤;曾炜竣;贺春兰;张中英;蔡吉明;黄少华 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管芯片及发光装置，电流阻挡层包括第一部分和第二部分，电流扩展层具有第一开口，第一部分位于所述电流扩展层的所述第一开口内。第一部分与所述电流扩展层之间具有第一间隙；第一部分与第二部分之间具有第二间隙；电极结构覆盖第一部分，并且通过第一间隙接触半导体发光序列堆叠层的上表面；至少部分扩展条形成在电流阻挡层的第二部分之上和电流扩展层之上；电流扩展层的第一开口的部分边缘位于电流阻挡层的第二部分之上。上述设置增加了电极焊盘的附着力，提高打线能力。还可以通过调控第一间隙与第二间隙的大小关系，避免电流直接注入到半导体叠层，提升发光二极管芯片的电流扩展能力和可靠性。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006115.4在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾炜竣;黄少华;蔡吉明;张中英;林素慧;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔是自第二半导体层向下延伸至第一半导体层，各通孔裸露出第一半导体层的部分表面；其中，发光二极管具有额定电流，通孔具有第一半径，第一半径与额定电流的比值范围为0.1～0.4。借此，增强载子传导能力，使得局域电流密度的均等化，避免集中区电流带来的热效应，发光层烧出熔洞或烧穿，避免直下的电损伤，直接击穿PN结，进而提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202180005045.6有效
发明人：江宾;龙思怡;臧雅姝;彭康伟;曾炜竣;陈思河;曾明俊 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202210108059.7在审
发明人： 臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;张中英;江宾;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及绝缘调光结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，绝缘调光结构位于外延结构之上并覆盖第二接触电极，用于调制发光层发出的光线。借此，可以改善出光角度，加强对于紫外光的反射，提升紫外发光二极管的出光性能。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202210108058.2在审
发明人： 臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;江宾;张中英;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极、第一连接电极及第一绝缘结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，第一连接电极位于第一接触电极之上，第一绝缘结构位于第一连接电极和第二接触电极之上，其中，外延结构具有若干个导通孔，若干个导通孔是由第二半导体层向下贯穿至第一半导体层。借此，既可以达到电流均匀分布的效果而提升紫外发光二极管的出光效果，还可保留了更大的发光层的面积，提升发光层的出光量。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202111481531.3有效
发明人：曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极和第二接触电极，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，其中，第一半导体层中掺杂有Al，从紫外发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第一凹槽的面积占外延结构的面积的20％‑70％，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升紫外发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211574380.0在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾明俊;蔡吉明;张中英;黄少华;江宾 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔自第二半导体层向下延伸至第一半导体层；从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，以半导体叠层的中心为原点建立xy坐标系，向x轴两侧偏移第一距离和向y轴两侧偏移第二距离围成第一图形，向x轴两侧偏移第三距离和向y轴两侧偏移第四距离围成第二图形，位于第一图形内的通孔间的第一间距大于位于第一图形和第二图形间的通孔间的第二间距。借此增强载子传导能力，使得局域电流密度均等化，避免集中区电流带来的热效应，避免直下的电损伤击穿PN结，提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种紫外发光二极管及其制作方法-CN202310078573.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;江宾;张中英;黄少华 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管及其制作方法，包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于基板上表面之上的半导体叠层，半导体叠层具有靠近基板一侧的下表面和相对的上表面，半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；二、提供多次照射的激光光束聚焦于基板内部，包含第一激光光束和第二激光光束，其中第一激光光束聚焦的位置相较于第二激光光束聚焦的位置更接近半导体叠层的下表面，第一激光光束聚焦在基板内部形成第一激光切割线，第一激光切割线的激光划痕为类圆形，第一激光切割线包括最接近半导体叠层的下表面的激光切割线；三、将该LED晶圆分离为若干个LED芯片。
一种紫外发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211723448.7在审
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、凹槽和挡体结构，第一半导体层具有相对的上表面和下表面，发光层设置在第一半导体层的上表面，第二半导体层设置在发光层之上，凹槽自第一半导体层的上表面向第一半导体层的下表面延伸，挡体结构设置在贴近于凹槽处的第一半导体层之上，其中，从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视，第一半导体层至少围绕凹槽的二个侧边，挡体结构与发光层彼此独立。借此，通过挡体结构的设置，既能够减少高低差，降低固晶空洞率，增加金属剥离时的接触点，便于金属剥离；还可以作为导光柱，起到反光效果，提升发光二极管的出光性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202211714951.6在审
发明人：江宾;杨硕;张博扬;董浩;张中英;臧雅姝;陈剑斌;张金豪;王振宇 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括基板、半导体叠层和阻挡层，半导体叠层设置在基板之上，阻挡层位于基板和半导体叠层之间，其中，从发光二极管的上方朝向基板俯视，基板上包括发光区域和环绕于发光区域之外的切割区域，切割区域划分为第一区域和第二区域，第一区域和第二区域沿基板的周向间隔设置，半导体叠层位于发光区域，第一区域形成有第一凸台，第二区域形成有第二凸台。借此，可以解决发光二极管的表面脱离异常情况，改善发光二极管外观，降低外观损失良率，并提高发光二极管的可靠性。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法-CN202310076627.4在审
发明人：陈思河;黄禹杰;臧雅姝;韩涛;李俊贤;吕奇孟;陈剑斌 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，电连接至所述第一半导体层；第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层；其中，所述第一孔洞中所述第一半导体层表面的面积小于所述第二孔洞中所述第一半导体层表面的面积。
倒装发光二极管及其制备方法

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