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[发明专利]一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2-CN202010408467.5有效
发明人： 胡西红;黄春蓉;秦东东 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器，属于开关电源技术领域，解决了现有变换器存在的开关管电压应力高、系统体积大且能量无法双向流动的问题。变换器包括：第一Class E谐振单元、隔离型匹配网络、第二Class E谐振单元；所述第一Class E谐振单元的第二端口与所述隔离型匹配网络的第一端口相连，所述隔离型匹配网络的第二端口与所述第二Class E谐振单元的第一端口相连；当所述变换器的能量正向流动时，所述第一Class E谐振单元的第一端口与电源相连，所述第二Class E谐振单元的第二端口与负载相连；当所述变换器的能量反向流动时，所述第一Class E谐振单元的第一端口与负载相连，所述第二Class E谐振单元的第二端口与电源相连。
一种谐振驱动隔离应力双向 class base sup

[发明专利]一种大功率脉冲电源控制系统及控制方法-CN202110945043.7在审
发明人：赵鑫;王浩宇;杨帆;胡西红;刘博禹 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率脉冲电源控制系统及控制方法，属于大功率电源及控制技术领域，解决了现有技术中电源产品的重量大、体积大，充放电方式影响使用寿命的问题。该电路包括：AC‑DC变换器，连接在电源输入和电源输出之间；用于根据所述电源输入进行脉冲电源输出；控制电路，根据获取的系统中充放电电压/电流和设置的充放电电压/电流基准，控制双向DC‑DC变换器的工作状态，并根据获取的系统中充放电电压/电流和设置的充放电电压/电流基准，以及所述双向DC‑DC变换器的工作状态，输出控制指令进行双向DC‑DC变换器充放电电流的自动控制；所述双向DC‑DC变换器，串联在所述AC‑DC变换器和电容组件C3之间。实现了电源产品重量、体积的减小和大功率脉冲电源有效控制。
一种大功率脉冲电源控制系统控制方法

[发明专利]一种空芯PCB电感及其设计方法-CN202110699496.6在审
发明人： 胡西红;张斌;赵鑫 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及一种空芯PCB电感及其设计方法，解决了现有技术中平面PCB磁性元件寄生电阻较大、损耗较大以及磁饱和风险较高的问题。该电感包括至少两层绕组，绕组的各匝线圈的宽度由内而外逐渐增大；绕组的第k匝线圈的宽度wk与匝间距s之和为等比数列且公比为a＝rok/rik，其中，rik表示第k匝线圈的内径，rok表示第k匝线圈的外径；各匝线圈均包括弧线段与过渡直导体段，过渡直导体段对应一圆心角，且过渡直导体段用于连接本匝线圈的弧线段以及相邻外层线圈的弧线段。通过PCB绕组设计出符合系统指标要求的空芯PCB电感，从而使得系统不存在铁损且无磁饱和风险，同时通过合理设计线圈的结构，降低了绕组的寄生电阻，进而有效降低了空芯PCB电感的铜损，提升系统的工作效率。
一种 pcb 电感及其设计方法

[发明专利]驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路-CN202011263085.4在审
发明人： 胡西红;秦东东;吴元元;袁红升 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路，属于SiC MOSFET驱动技术领域，解决了现有技术难以同时保证高增益、结构简单、高稳定性、高效率的问题。该变换器包括控制芯片、SiC MOSFET器件、电源VG1～VG2、开关管S1～S6，电阻RG1～RG2；其中，控制芯片，用于输出开关管S1～S6控制信号至开关管S1～S6的栅极；开关管S1、S2的漏极分别与电源VG1的正极连接；开关管S3～S5的漏极分别与电源VG1的负极、电源VG2的负极连接，并接地；开关管S6的漏极与电源VG2的正极连接；并且，开关管S1、S3的源极分别经电阻RG1与SiC MOSFET器件的栅极连接，开关管S2、S4的源极分别经电阻RG2与SiC MOSFET器件的栅极连接；开关管S5、S6的源极与SiC MOSFET器件的源极连接。该电路能够保证SiC MOSFET器件安全可靠运行。
驱动电压电阻可调 sic mosfet 控制电路

[实用新型]一种矿用多功能全段面自动环保洒水除尘车-CN201922336096.X有效
发明人：陈成宇;曹杰;段毅;孙振;张红星;赵霖;王丰伟;卢志杰;张金锋;韩士辉;高公利;杨为振;陈兴凯;王修辉;李振川;贺升平;李贺强;李强;高振;张平;刘永响;陈德印;唐文星;刘亚东;胡劲涛;窦保军;张猛;张须杰;曹国堂;郭聪;袁广明;王景龙;宋中宝;张东伟;胡西红;朱贺;赵飞;王连丰;刘雨丽;孙欧阳;苑露文;唐文婷;张雷雷;蒋静康;韩磊;刘昌冠;张帅;常颢;刘晓峰;王露黎 -专利权人：河南神火煤电股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： E01H3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种矿用多功能全段面自动环保洒水除尘车，包括水箱、控制器、电瓶和可控洒水喷雾装置，所述水箱的顶部设有进水口，水箱的内部设有水泵，水泵的上方设有电机，电机通过电气线路连接控制开关，控制开关连接控制器，控制器还通过开关电源锁连接电瓶，水泵的出水口连接位于水箱下方的可控洒水喷雾装置，可控洒水喷雾装置安装在车体上，车体的下方设有用于控制其动作的电动机，电动机与控制器相连接，本实用新型起到了挖潜增效的目的，很大程度上，解放了人力，降低了投入成本，直接将企业购置的多台环保车升级改装成多用多功能设备，达到了又过去单一的环卫清理，变为自动化洒水除尘及清理环境一体化。
一种多功能全段面自动环保洒水除尘

[发明专利]一种基于变压器漏感的低应力高频DC/DC功率变换器-CN201810077846.3有效
发明人：王懿杰;管乐诗;胡西红;张相军;徐殿国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种基于变压器漏感的低应力高频DC/DC功率变换器，涉及电力电子技术领域。本发明是为了避免现有高频功率变换器存在的缺陷。本发明中Class E逆变电路的电压输入端口与电源电气连接，Class E逆变电路的电压输出端口与隔离型匹配网络的电压输入端口相连，隔离型匹配网络的电压输出端口与整流环节电气连接；隔直电容的一端连接变压器组件的正输入端，变压器组件的正输出端连接谐振电容的一端，隔直电容的另一端和变压器组件的负输入端作为隔离型匹配网络的电压输入端口，变压器组件的负输出端和谐振电容的另一端作为隔离型匹配网络的电压输出端口。
变压器组件匹配网络隔离型电压输出端口电压输入端口变压器漏感隔直电容逆变电路低应力电力电子技术领域高频功率变换器电气连接电源电气负输出端负输入端谐振电容一端连接整流环节正输出端正输入端电容

[发明专利]基于石墨烯电极和钙钛矿吸光层的自驱动光电探测器及其制备方法-CN201710459558.X有效
发明人：刘治科;李娟;袁世豪;刘丹;李婧;胡西红;高斐;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明基于石墨烯电极和钙钛矿吸光层的自驱动光电探测器及其制备方法，所述方法包括步骤1，将清洗干燥后的导电玻璃基底刻蚀为分隔的两部分，分别为第一导电玻璃电极和第二导电玻璃电极；步骤2，在导电玻璃电极上制备电子传输层；步骤3，在电子传输层和第二导电玻璃电极上转移石墨烯薄膜，形成连接电子传输层和第二导电玻璃电极的石墨烯电极；步骤4，在位于电子传输层上的石墨烯电极上涂覆钙钛矿吸收层后，得到自驱动光电探测器。通过设置的钙钛矿光吸收层吸收光子产生电子和空穴对，由于钙钛矿为双极性材料，实现电子和空穴的高效传输。传输到石墨烯的电子由于石墨烯的遂穿效应，会穿过石墨烯转移到TiO₂电子传输层，通过导电玻璃电极收集。
基于石墨电极钙钛矿吸光层驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种增大钙钛矿CH₃NH₃PbI₃晶粒以改善薄膜结晶质量的方法-CN201710329080.9有效
发明人：高斐;王昊旭;雷婕;李娟;姜杰轩;胡西红 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大钙钛矿CH₃NH₃PbI₃晶粒以改善薄膜结晶质量的方法，该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中，通过对钙钛矿CH₃NH₃PbI₃前驱液施加强而稳定的磁场，促进了钙钛矿CH₃NH₃PbI₃成膜过程中晶粒的长大，增加了钙钛矿晶粒尺寸，提高了结晶质量、降低了缺陷密度，从而提高了CH₃NH₃PbI₃薄膜太阳能电池光电转化效率和寿命。
一种增大钙钛矿 ch3nh3pbi3 晶粒改善薄膜结晶质量方法

[发明专利]一种具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池及制备方法-CN201610946167.6有效
发明人：刘治科;胡西红;刘生忠;李娟;高斐;姜红 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池及制备方法，所述方法包括如下步骤，步骤1，在清洗后的衬底上依次制备电子传输层、钙钛矿吸收层和空穴传输层，得到钙钛矿电池基体；步骤2，在CVD法制备的石墨烯上蒸发金电极，将PDMS粘合在金电极上，得到阻挡层基体，然后将阻挡层基体浸泡在刻蚀液中去除石墨烯生长基底，得到覆盖有PDMS和金电极的石墨烯薄膜；步骤3，将石墨烯薄膜中的石墨烯一侧贴合在钙钛矿电池基体的空穴传输层上，然后去除另一侧的PDMS层，得到具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池。既可以有效阻挡高温下金属电极向钙钛矿层的有害扩散又能有效阻止空气中的水氧进入钙钛矿层防止钙钛矿层的分解。
一种具有石墨阻挡钙钛矿电池制备方法

[发明专利]一种光产生热电子电流的方法-CN201710221511.X有效
发明人：高斐;姜杰轩;李娟;雷婕;王昊旭;胡西红 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光产生热电子电流的方法，该方法利用简单易得的三角形铜箔和容易制备的氧化锌掺铝薄膜之间的物理接触，然后利用氦氖激光照射三角形铜箔与薄膜表面接触角的角尖，激发铜箔表面产生表面等离子体激元，通过表面等离子体的电磁衰减在铜箔表面产生高能的热电子，通过金属铜和半导体之间合适的势垒，产生热电子电流。本发明通过调节三角形铜箔与薄膜表面接触角的角度，即可实现不同效率的光转化热电子电流，方法简单，易于集成。
一种生热电子电流方法

[发明专利]一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法-CN201610171960.3有效
发明人：高斐;向玉春;胡西红;姜杰轩;李娟;武慧君;郑逍遥 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法，该方法选择掺杂锂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材，通过选择合适的锂掺杂浓度，即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜，其中金属锂的掺杂量为2wt％时，得到的p型氧化铜薄膜的电阻率为7.56Ω·cm、载流子浓度为7.39×1019cm‑3。本发明操作简单，适用于低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的工业化制备。
一种电阻率载流子浓度氧化铜薄膜制备方法

[发明专利]一种用横向电流制备钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的方法-CN201710329087.0在审
发明人：高斐;雷婕;王昊旭;姜杰轩;李娟;胡西红 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： C07C209/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种用横向电流制备钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的方法，该方法在钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液常温刮涂结束后，将电极置于衬底两端的钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液上，使用恒流电源给钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液通电，使钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液在电流的作用下结晶，即可得到钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜。本发明操作简单，刮涂过程不需要加热，只需施加电流即可使钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液快速结晶，刮涂后也不需要退火，降低了制作成本。
一种横向电流制备钙钛矿 ch3nh3pbi3 薄膜方法

[发明专利]一种n型氧化铜薄膜的制备方法-CN201511027613.5在审
发明人：高斐;胡西红;向玉春;王皓石;郑逍遥;武慧君;姜杰轩;李娟 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型氧化铜薄膜的制备方法，该方法采用脉冲激光沉积技术，通过调整沉积腔室的氧气压强为8～12Pa、衬底加热温度为500～700℃，一步即可在衬底上形成n型氧化铜薄膜。本发明操作简单，所得n型氧化铜薄膜结晶性好、纯度高，且该方法重复性好。
一种氧化铜薄膜制备方法

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