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- [发明专利]炉管设备的工艺匹配方法-CN202311155525.8在审
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朱红波;胡良斌;付志强;张哲
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粤芯半导体技术股份有限公司
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2023-09-08
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2023-10-13
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H01L21/67
- 本发明提供了一种炉管设备的工艺匹配方法，包括：提供基准和待匹配炉管设备；提供若干掺杂的监控晶圆，对其进行与掺杂相反类型的离子注入，将其分组为第一类监控晶圆和第二类监控晶圆；用基准炉管设备对第一类监控晶圆进行第一退火工艺，用待匹配炉管设备对第二类监控晶圆进行第二退火工艺；对第一类和第二类监控晶圆方块电阻进行测量；根据第一类和第二类监控晶圆方块电阻的差异，对第二退火工艺参数进行调整，使待匹配炉管设备的工艺结果匹配基准炉管设备。本发明通过引入离子注入后的退火工艺结果的拟合对不同炉管设备的退火工艺进行匹配，并通过不同炉管设备工艺的器件参数匹配实现了工艺结果的精确匹配。
- 炉管设备工艺匹配方法
- [发明专利]立体筒式多级包裹分拣系统及分拣方法-CN202310564104.4在审
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胡良斌;叶佳伟;秦丽华;郭梓廷;李胜;邓健
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南华大学
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2023-05-18
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2023-09-01
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B65B63/00
- 立体筒式多级包裹分拣系统及分拣方法，涉及快递分拣技术领域。立体筒式多级包裹分拣系统，包括分拣单元和导出装置；分拣单元包括框架、塔式分拣器和装袋封口总成；塔式分拣器上设有从下至上尺寸逐渐递减的多圈环形区域A；每个装袋封口总成占据框架下端一块包裹收集区域，框架下端还设有包裹中转区域，包裹中转区域与所有包裹收集区域合围形成环形区域B，环形区域B位于所有环形区域A的正下方。快递分拣方法，应用于立体筒式多级包裹分拣系统，步骤如下：前置设定及路径规划；包裹按照分拣路径进入对应的包裹袋；包裹袋封口和切割。本发明的优点在于：包裹袋撑开时可同时接收多个扫盘排出的包裹，实现了同一时刻多件包裹同时分拣，分拣效率有所提升。
- 立体多级包裹分拣系统方法
- [发明专利]防刺伤注射器及其自毁方法-CN202111603917.7有效
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易利娜;叶佳伟;罗小波;胡良斌;万梓铭;张宏
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南华大学
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2021-12-25
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2023-08-29
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A61M5/32
- 防刺伤注射器及其自毁方法，涉及医疗用品技术领域。防刺伤注射器，包括针管、推拉杆、针座、针头和针套；针套与针座之间存在正常连接状态和销毁连接状态；正常连接状态下，针套通过敞口套入针头和针座，并通过内螺纹与针座的外螺纹旋配，针套的两个卡扣分别与针座的凹槽两端口正对；销毁连接状态下，针套通过敞口套入针头和针座，针套的内螺纹整体越过针座的外螺纹或部分越过针座的外螺纹，并通过两个卡扣分别卡入针座的凹槽的两端口中。本发明优点在于，针套的安装及取下的方式由传统的“拔插”变为“旋入旋出”，取下针套时仅需提供径向的旋转力，而不需要用力拉扯，有效避免了拔出针套的时候手回弹而造成针刺伤。
- 刺伤注射器及其自毁方法
- [发明专利]规则立方块状产品缠膜打包系统-CN202210107952.8有效
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胡良斌;李健东;叶佳伟;王夕红;朱涵轩
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南华大学
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2022-01-28
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2023-07-28
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B65B11/04
- 规则立方块状产品缠膜打包系统，包括外壳、下转盘装置、上压盘装置及塑封装置；外壳内部设有用于容纳卷烟的内腔；下转盘装置包括下转盘和轴承；下转盘通过轴承转动安装在外壳内腔底面上；上压盘装置包括上压盘和旋转升降驱动组件；塑封装置包括膜筒、刀座和切刀；膜筒可转动安装在外壳内腔中，其包括竖直布置的滚筒和逐圈缠绕在滚筒上的塑封膜；刀座固定安装在下转盘上；切刀位于刀座的正上方。本发明的优点在于，将涉案烟堆砌成一个标准的长方体后，通过两个约束框架对所述长方体进行高度方向的固定，再通过塑封装置对所述长方体进行侧壁面上的缠膜固定，最终形成一个外形标准、结构牢固、不易散落、便于运输存放的码垛单元。
- 规则立方块状产品打包系统
- [发明专利]低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法-CN202211157224.4在审
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胡良斌
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-09-22
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2022-12-13
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C30B28/14
- 本申请涉及一种低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法，其制备方法包括：保护气体氛围下，将多晶硅在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行预沉积，制备掺杂多晶硅预成品；提高沉积压力，将掺杂多晶硅预成品在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行主沉积；预沉积有多次，每次预沉积的沉积压力逐次升高；每次预沉积的时间相等。通过在主沉积步骤之前添加沉积压力低于主沉积的沉积压力的预沉积步骤，可以有效减少将压力由底压直接一步升到主沉积压力，直接在主沉积压力下进行掺杂时由于压力相对较高导致的硅原子的扩散聚集，从而改善掺杂多晶硅表面形成大量多晶堆积和凹坑的情况，得到低缺陷掺杂多晶硅。
- 缺陷掺杂多晶及其制备方法
- [发明专利]外延工艺的监控方法-CN202211264405.7在审
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付志强;朱红波;李盼;胡良斌;唐斌;施剑华
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-10-17
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2022-11-15
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H01L21/66
- 本发明提供一种外延工艺的监控方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有外延层，外延层上形成有第一氧化层；执行预处理工艺，去除第一氧化层，并形成覆盖外延层的第二氧化层，所述第二氧化层较所述第一氧化层的厚度均匀且致密；利用电阻率测试设备对所述衬底进行紫外光照射，产生的臭氧扩散至所述外延层并氧化所述外延层以使所述第二氧化层增加至预定厚度，以及，对所述外延层进行电阻率测试。通过在外延层进行电阻率测量之前，对外延层表面的第一氧化层进行预处理，以去除所述第一氧化层，并形成覆盖所述外延层的第二氧化层；去除质量不好的自然生成的第一氧化层，沉积厚度均匀且致密的第二氧化层，提高了外延层的电阻率测试的准确性和稳定性。
- 外延工艺监控方法
- [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210947270.8有效
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龙思阳;朱红波;胡良斌;唐斌
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-08-09
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2022-11-04
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H01L21/768
- 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅层；对所述多晶硅层的整个表面进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的整个表面产生非晶层以降低所述多晶硅层的表面粗糙度；在所述多晶硅层的上方形成金属插塞，所述金属插塞与所述多晶硅层电连接。所述多晶硅层的表面粗糙度的降低，增大所述金属插塞与所述多晶硅层之间的接触面积，降低了所述金属插塞与所述多晶硅层之间接触电阻。并且，在进行所述多晶硅层的整个表面离子注入时，无需使用光罩和光刻胶作为掩模。进一步的，离子注入中的离子源可以为掺杂离子，也可以为非掺杂离子，非掺杂离子不会影响所述多晶硅层的电导率。
- 半导体结构形成方法
- [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202210266594.5有效
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朱红波;唐斌;龙思阳;黄家明;胡良斌
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-03-18
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2022-08-02
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H01L21/02
- 本申请公开一种半导体器件的制备方法，能够缓解STI结构中的浅沟槽上下转角处过于尖锐时引发的尖端放电问题，使浅沟槽上下转角处更圆润，缓解因上下转角尖锐造成的应力和电性不良的问题。所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的上表面形成有沟槽；对所述沟槽的上转角和/或下转角进行离子掺杂，从而提高所述上转角和/或下转角处的衬底材料的被氧化活性，所述上转角对应至所述沟槽的侧壁与所述衬底的上表面之间构成的夹角，所述下转角对应至所述沟槽的底面和侧壁之间构成的夹角；对所述沟槽内表面进行氧化处理，至少在所述上转角和/或下转角处形成氧化衬底材料层。
- 半导体器件制备方法
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