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[发明专利]半导体探测器-CN201610797815.6有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。
半导体探测器

[发明专利]太赫兹混频器及其制造方法及包括该混频器的电子设备-CN201811642822.4有效
发明人：李元景;胡海帆;赵自然;马旭明 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：公开了一种太赫兹混频器及其制造方法及包括该混频器的电子设备。根据实施例，该太赫兹混频器包括：腔体，用于分别形成射频输入波导和本振输入波导，以及用于容纳微带线；微带线，通过半导体生长工艺形成在腔体的内侧表面的至少一部分上，微带线分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在腔体内，以分别形成用于接收射频输入信号和本振输入信号的微带线天线。
赫兹混频器及其制造方法包括电子设备

[发明专利]太赫兹混频器及其制造方法及包括该混频器的电子设备-CN201811642899.1有效
发明人：李元景;胡海帆;赵自然;马旭明 -专利权人：清华大学;同方威视技术股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：公开了一种太赫兹混频器及其制造方法及包括该混频器的电子设备。根据实施例，该太赫兹混频器包括：腔体，用于分别形成射频输入波导和本振输入波导，以及用于容纳悬置微带线，在腔体的内侧表面上形成有台阶；悬置微带线，通过半导体生长工艺形成并跨接在台阶的至少一部分上，悬置微带线分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在腔体内，以分别形成用于接收射频输入信号和本振输入信号的微带线天线。
赫兹混频器及其制造方法包括电子设备

[实用新型]沟槽电极单光子雪崩阵列、传感器-CN202222789275.0有效
发明人： 胡海帆;杨静琦;姜来;马喆;周洁;王志斌 -专利权人：航天科工集团智能科技研究院有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种沟槽电极单光子雪崩阵列、传感器，该沟槽电极单光子雪崩阵列包括外延层及其表面横纵设置的若干沟槽结构；沟槽结构的两侧分别通过离子角度注入形成第一重掺杂区、雪崩注入区，沟槽结构内填充钝化物；第一重掺杂区引出第一电极；外延层还包括第二重掺杂区及其引出的第二电极。该单光子雪崩阵列在沟槽结构两侧通过离子角度注入形成有源区，有源区面积小、且布置在元胞四周，在保证光子探测效率的同时、降低暗计数率，减少器件在流片工艺中的光刻板数量，简化工艺流程，提高传感器的整体可靠性，可应用在红外辐射探测或弱光探测中。
沟槽电极光子雪崩阵列传感器

[发明专利]一种用于近红外光子探测的光电倍增管探测器-CN202310610856.X有效
发明人：李鹏;胡海帆 -专利权人：苏州法夏科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及光电倍增管探测器技术领域，尤其涉及一种用于近红外光子探测的光电倍增管探测器，包括：基底，用以承载二极管的各组件；若干干扰阻隔区，用以降低二极管运行的噪声；抗反射层，用以过滤对应波长的光；保护环，用以封闭二极管；阳极引出端，用以将正电荷引导出二极管；阴极引出端，用以将负电荷引导出二极管；本发明利用设置上述构造，利用较厚的晶圆实现近红外光子的高效探测，在保证红外光子探测准确率的同时，将N型和P型垂直的重掺杂柱状区域结构间距减小，从而有效提升了光子探测效率。
一种用于红外光子探测光电倍增管探测器

[发明专利]半导体探测器及其封装方法-CN201610797744.X有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体探测器及其封装方法。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
半导体探测器及其封装方法

[发明专利]一种高效探测的硅光电倍增管制备方法-CN202310362257.0有效
发明人：李鹏;胡海帆 -专利权人：苏州法夏科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉一种高效探测的硅光电倍增管制备方法，包括完成对硅光电倍增管中单个元胞的制备后使用中控处理器根据探测时长调节制备下一元胞过程中的各所述沟槽的尺寸调节至对应值，之后，中控处理器根据元胞的探测效率调节制备下一元胞过程中的光吸收层的厚度至对应值，最终，将预设数量的探测效率符合预设标准的元胞倒置封装集成在读出电子学集成芯片上。本发通过使用自学习的方式，根据各元胞的实际性能对针对下一元胞制备过程中的对应参数进行针对性调整，能够在有效保证后续制得的元胞的探测时长的同时，有效保证了各元胞的探测效率，从而有效提高了使用本发明所述方法制得的元胞的良品率。
一种高效探测光电倍增管制备方法

[实用新型]一种物体转速的远距离测量装置-CN202222789247.9有效
发明人：马喆;杨静琦;姜来;胡海帆;周洁 -专利权人：航天科工集团智能科技研究院有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01P3/488 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种物体转速的远距离测量装置，该装置包括激光器、结构光生成组件、分光隔离组件、发射接收天线、探测组件；结构光生成组件采用第一全息图、第一偏振片、第一1/4波片、第二全息图，生成具有拓扑荷数±l叠加态的结构光；分光隔离组件用于透射结构光、反射发射接收天线接收的回波信号；发射接收天线用于发射结构光到目标端、接收目标端的回波信号；探测组件采用单光子雪崩探测器阵列探测回波信号。本实用新型可生成空心较小的光斑，用于测量小物体转速，降低光斑对准难度；同时采用SPAD阵列，获得光子量级的探测灵敏度，将测量距离提升至数十公里量级，提升转速测量的适用范围。
一种物体转速远距离测量装置

[发明专利]半导体探测器-CN201610797083.0有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。
半导体探测器

[发明专利]探测器及用于智能划分能区的探测系统和方法-CN201610797192.2有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统和方法，其中所述探测方法可以包括：由探测器采集从探测对象透射的射线，产生探测信号，所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，且沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极；基于与A类电极对应的探测信号，得到探测对象的图像数据，并基于图像数据估计探测对象的物质成分；根据所估计的物质成分，调整用于能区划分的一个或多个阈值；以及根据所调整后的阈值来确定与B类电极对应的探测信号的能区，并计算在每个能区中的信号数目，得到探测器对象的图像数据，从而得到探测对象的准确成分。
探测器用于智能划分探测系统方法

[发明专利]半导体探测器-CN201610798761.5有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
半导体探测器

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412278.X有效
发明人： 胡海帆;秦秀波;赵宏鸣;刘鹏浩;李志垚;马喆;肖柯 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本发明提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412276.0有效
发明人： 胡海帆;秦秀波;刘鹏浩;赵宏鸣;李志垚;马喆;王智斌 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本发明提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[发明专利]一种面阵探测器-CN202110412463.9有效
发明人： 胡海帆;秦秀波;赵宏鸣;刘鹏浩;李志垚;马喆;王智斌 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种面阵探测器，涉及光电或辐射射线探测技术领域，以解决无法在保证能谱分辨的同时进行位置分辨的问题。所述面阵探测器包括多个单像素，单像素包括柱形的衬底，衬底的上底面上设置有第一重掺杂区，第一重掺杂区为P型重掺杂区或者N型重掺杂区。衬底的下底面上设置有与第一重掺杂区的掺杂类型不同的第二重掺杂区，按照衬底侧面贴合衬底侧面的方式对多个单像素进行排列，形成一个面阵列，构成面阵探测器，从而能够在保证能谱分辨的同时进行位置分辨。本发明提供的一种面阵探测器用于光电或者辐射射线的探测。
一种探测器

[发明专利]太赫兹混频器以及电子组件-CN201911425352.0有效
发明人：马旭明;胡海帆 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01P1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种太赫兹混频器和电子组件，该太赫兹混频器包括：金属腔体，金属腔体形成有射频输入波导和本振输入波导；微带线，微带线容纳在金属腔体内，并分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在的金属腔体内，以分别形成用于接收射频信号和本振信号的天线，微带线远离射频输入波导的第一端设置有金属接地层，其中，金属接地层的至少远离第一端的部分上设置有用于阻挡射频信号向第一端传输的阻挡结构。该太赫兹混频器通过在金属腔体内的金属接地层上设置阻挡结构，以阻断射频信号继续向第一端(即，接地端)传输，从而有效降低导电胶涂抹或其他焊料所引入的不确定因素对太赫兹混频器特性的影响，以提高太赫兹混频器的可靠性以及一致性。
赫兹混频器以及电子组件

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