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[实用新型]一种用于CL保温电梯井道的钢圈梁-CN202223220220.4有效
发明人：李龙刚;席肖凯;张二强;胡多凯;李阳;张猛;钱传彬 -专利权人：中建三局集团有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B66B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及结构后植埋件与钢梁组合构件技术领域，公开了一种用于CL保温电梯井道的钢圈梁，包括钢圈梁，所述钢圈梁一端设置有第二连接板，且第二连接板一侧设置有锚板，所述锚板贯穿连接有化学锚栓，且化学锚栓与现浇结构钻孔后植筋连接，所述钢圈梁的另一端固定连接有第三连接板，且钢圈梁及其连接组件均设置有对称分布的两组。本实用新型通过化学锚栓与现浇结构植筋连接使锚板稳固连接在墙体上，通过锚板与钢圈梁的固定连接使结构更加稳定，加工制造、现场安装方便的同时，还避免了破坏保温墙和影响专业验收，较为实用，适合广泛推广和使用。
一种用于 cl 保温电梯井道钢圈

[实用新型]一种异型檩条之间的连接配合装置-CN202222485817.5有效
发明人：李龙刚;李大炯;刘洋;王雨;张二强;甘继波;胡多凯;相一民 -专利权人：中建三局集团有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： E04D12/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异型檩条之间的连接配合装置，属于建筑施工技术领域，包括方型主檩条和C型次檩条，方型主檩条相对的两侧壁分别连接有三角板，三角板一侧设置有C形限位板，C形限位板相对的两侧壁分别连接有两个转轴，转轴另一端连接有转板，转板侧壁连接有限位柱，限位柱另一端连接有加固板。本实用新型通过C形限位板和限位柱的设置，可以让方型主檩条在C型次檩条上滑动一段距离后翻转限位柱进行限位，使得两个檩条之间组装更简单快速，避免焊接时焊缝质量不稳定和檩条受损的问题，同时三角板的设置，提高了两个檩条间的接触面，可以让方型主檩条在支撑C型次檩条时的效果更佳，提高了结构强度。
一种异型檩条之间连接配合装置

[发明专利]氮化镓垂直型PIN二极管及制备方法-CN202111016883.1在审
发明人：谭永亮;周国;高三垒;秦龙;胡多凯;崔雍 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓垂直型PIN二极管，包括：衬底，衬底相对设有第一表面和第二表面；氮化镓缓冲层，外延生长在衬底的第一表面；PIN结，PIN结包括在氮化镓缓冲层上依次垂直生长的N+氮化镓外延层、本征氮化镓外延层、P+氮化镓外延层；阳极电极，设置在P+氮化镓外延层远离衬底的第一表面；阴极电极，包括欧姆接触电极金属层和阴极金属层，其中，在衬底的第二表面设有刻蚀槽，刻蚀槽至少延伸至露出N+氮化镓外延层，欧姆接触电极金属层设置在刻蚀槽内、与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阴极金属层形成在欧姆接触电极金属层上。本发明通过在PIN结节两侧分别制备对称分别的阴极电极和阳极电极，从而形成垂直型PIN二极管，提高了芯片的集成度。
氮化垂直 pin 二极管制备方法

[发明专利]碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管-CN201811391541.6在审
发明人：崔玉兴;刘佳佳;付兴中;王川宝;胡多凯 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管，属于半导体制备领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积介质保护层；在介质保护层上涂覆一层光刻胶，对肖特基接触区域进行光刻，露出需要蒸发的肖特基接触金属区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属为先沉积金属铌，再沉积铝、镍、银、金中一种、两种或三种或其组合；金属剥离，去除非肖特基接触区域的金属，保留肖特基接触区域的金属；快速退火，形成肖特基接触。本发明提供的碳化硅肖特基接触的制备方法，能够解决现有技术中存在的肖特基接触形成的势垒高度大、损耗大等技术问题。
肖特基接触碳化硅制备肖特基二极管介质保护层多层金属圆片表面沉积半导体制备金属沉积金属金属剥离金属区域快速退火光刻胶再沉积光刻势垒涂覆蒸发保留

[发明专利]GaN HEMT器件的通孔制备方法-CN201810168894.3在审
发明人：宋洁晶;谭永亮;胡多凯;李飞;周国;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去除所述介质层与第一通孔区对应的部分，露出势垒层，形成一个第一通孔；在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极；依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层，所述第一金属层与所述正面源电极相连本发明能够精确控制通孔尺寸，提高通孔刻蚀工艺的一致性和稳定性。
通孔势垒层通孔区源电极衬底晶圆第一金属层上表面去除制备半导体技术领域一致性和稳定性衬底上表面刻蚀工艺生长介质介质层下表面侧壁顶壁生长制作