专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于IGBT温敏电参数在线矫正的方法-CN202310893146.2在审
  • 陈忠;杨为;官玮平;胡迪;罗皓泽 - 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;浙江大学
  • 2023-07-20 - 2023-10-24 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种用于IGBT温敏电参数在线矫正的方法,建立热网络方程对变流器中IGBT的热行为进行描述;根据热网络方程,在变流器启动时的时间阈值内,抓取一组温敏电参数和散热器温度;等待下一次变流器启动,判断变流器启动前是否停机超过停机时间阈值,如果未超过则放弃该次变流器启动,继续等待;如果超过,则再次在变流器启动时的时间阈值内,抓取一组温敏电参数和散热器温度;直至获得至少3组数据对,且散热器的温度差超过温度差阈值;最后根据获得的数据,对数据进行拟合,建立结温与温敏电参数的关系式,完成IGBT温敏电参数在线矫正。本发明实现非侵入式的温敏电参数与结温关系的在线矫正,具有简单方便,结果准确的优点。
  • 一种用于igbt温敏电参数在线矫正方法
  • [发明专利]一种可调节输出电压变化率的脉冲源及调节方法-CN202310757353.5在审
  • 罗皓泽;左璐巍;蒙慧;辛振;周泽;吴强;严辉强 - 浙江大学;河北工业大学
  • 2023-06-26 - 2023-09-08 - H03K3/57
  • 本发明公开了一种可调节输出电压变化率的脉冲源及调节方法,包括两个开关器件、待测器件、高压采样单元、主控单元和可变电压驱动单元;所述开关器件串联组成半桥结构,两端分别连接母线电压和功率地或者分别连接直流高压源正负极;所述待测器件与开关器件并联;所述高压采样电路输入端连接半桥中点,所述可变电压驱动单元的一侧与主控单元连接,所述可变电压驱动单元的另一侧分别与开关器件的栅极;所述高压采样电路向主控单元输出与待测器件的半桥中点电压成正比的电压信号;所述可变电压驱动单元接收来自主控单元的两路PWM信号,并向主控单元返回栅极电压信号。本发明可以实现脉冲源可控稳定输出,具有良好的稳定性。
  • 一种调节输出电压变化脉冲方法
  • [发明专利]一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法-CN202310233202.X在审
  • 罗皓泽;金昱廷;朱安康;叶朔煜;李武华;何湘宁 - 浙江大学
  • 2023-03-13 - 2023-08-08 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法,包括碳化硅功率场效应晶体管S1和S2;主电路单元,与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连;驱动单元,与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连;温控单元,与碳化硅功率场效应晶体管S2的封装相连;结温采样单元,与碳化硅功率场效应晶体管S2的芯片相接触;电流采样单元,连接到主电路单元的回路中;光谱测量单元,设置在碳化硅功率场效应晶体管S2的表面;结温电流检测单元,分别与结温采样单元、电流采样单元和光谱测量单元连接,用于碳化硅功率场效应晶体管的结温与电流计算。本发明可在线应用于碳化硅功率器件的工作结温与电流监测,且具有检测频率较高、电流和结温误差较小的优点。
  • 一种碳化硅功率场效应晶体管电流监测系统方法
  • [发明专利]一种用于SiC MOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源-CN202310421159.X在审
  • 罗皓泽;左璐巍;蒙慧;吴强;严辉强;李武华 - 浙江大学
  • 2023-04-19 - 2023-07-21 - G01R1/28
  • 本发明公开了一种用于SiCMOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源,包括主开关电路、高压模块、驱动电路和辅助电源;所述主开关电路分别与高压模块和驱动电路连接,所述驱动电路与辅助电源连接;所述高压模块为主开关电路提供足够功率的高压;所述辅助电源用于向驱动电路提供各类所需电压;所述驱动电路为主开关电路提供足够功率的栅极驱动信号;所述主开关电路承受所述高压模块输出的高压,根据所述驱动电路输出的栅极驱动信号进行开关动作,输出指定的高压脉冲波形。本发明可以为SiCMOSFET高场强应力可靠性测试施加高达数千伏,且电压变化率大的漏源电压,而且电压脉冲波形可控,具有体积小、高耐压驱动简单、高功率密度的优点。
  • 一种用于sicmosfet场强应力可靠性测试脉冲
  • [发明专利]两并联碳化硅场效应管检测方法、装置及电路-CN202310105062.8在审
  • 罗皓泽;吴强;项恩耀;周泽;朱安康 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-01-20 - 2023-05-19 - G01R31/26
  • 本申请涉及一种两并联碳化硅场效应管检测方法、装置及电路。所述方法包括:分别将第一驱动电压与第二驱动电压输入至所述两并联碳化硅场效应管,得到与所述第一驱动电压对应的第一饱和电流、与所述第二驱动电压对应的第二饱和电流,所述第一驱动电压、第二驱动电压为所述两并联碳化硅场效应管工作在饱和状态下的电压,所述第一驱动电压不等于第二驱动电压;基于所述第一驱动电压、第二驱动电压、第一饱和电流、第二饱和电流和场效应管参数确定所述两并联碳化硅场效应管的第一阈值电压和第二阈值电压。本申请通过两个两并联碳化硅场效应管阈值电压中的较大者可以确定老化程度较大的碳化硅场效应管,进而确定两并联碳化硅场效应管实际健康状态。
  • 并联碳化硅场效应检测方法装置电路
  • [发明专利]多相耦合电感及单级高降压变换器-CN202211735542.4在审
  • 罗皓泽;杜禹侃;任晟道;李楚衫;屈万园 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2022-12-31 - 2023-05-05 - H01F27/24
  • 本申请涉及一种多相耦合电感及单级高降压变换器。所述多相耦合电感包括主磁通磁性部件和绕组,所述多相耦合电感中有一腔室,所述主磁通磁性部件位于所述腔室中;所述主磁通磁性部件包括第一中部磁芯和至少两个第一侧部磁芯,所述第一中部磁芯位于所述第一侧部磁芯之间,所述第一中部磁芯和所述第一侧部磁芯的两端分别与所述腔室的两侧连接;所述绕组包括至少两个第一绕组和至少两个第二绕组,所述第一绕组与第二绕组交错耦合,所述第一绕组和第二绕组分别从第一侧部磁芯的两侧进入并围绕所述第一中部磁芯进行绕制;所述第一绕组和第二绕组的绕制方向相反,可以实现在单极数据中心供电场景下的正反向的全耦合电感结构。
  • 多相耦合电感单级高降压变换器

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