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[发明专利]一种全铁电晶体管、制作方法及电子设备-CN202210332164.9在审
发明人：江安全;孙杰;唐文涛;赵俊峰;罗时江;谢雨农 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供一种全铁电晶体管、制作方法及电子设备，涉及集成电路技术领域，用于提高晶体管中电畴的翻转速度和晶体管的导通速度。该全铁电晶体管包括：铁电基底，以及位于该铁电基底上的铁电凸块、源电极、漏电极和栅电极；其中，该源电极和该漏电极位于该铁电凸块的第一侧面，该栅电极位于该铁电凸块的且与该第一侧面相背的第二侧面；该铁电凸块包括具有该第一侧面的第一界面层、具有该第二侧面的第二界面层、以及位于该第一界面层和该第二界面层之间的第三界面层，该第一界面层和该第二界面层均具有易失性的第一电畴，该第三界面层具有非易失性的第二电畴。
一种全铁电晶体管制作方法电子设备

[发明专利]相变存储材料、相变存储单元和相变存储器-CN202210318382.7在审
发明人：郑龙;宋志棠;宋三年;宋文雄;唐文涛;赵俊峰;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种相变存储材料、相变存储单元和相变存储器。该相变存储材料包括Nbδ(GexSbyTez)1‑δ，其中，Nb的原子含量δ为0＜δ＜1，Nbδ(GexSbyTez)1‑δ中，0＜x≤10，0＜y≤10，0＜z≤10。该相变存储材料可实现相变存储器的多态存储，满足高精度神经形态计算的要求。
相变存储材料单元存储器

[发明专利]氧化钇材料在制备晶体管中的应用、晶体管及其制备方法-CN202210290818.6在审
发明人：梁世博;谢雨农;杨英君;赵俊峰;唐文涛;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;北京元芯碳基集成电路研究院
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K71/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了氧化钇材料在制备晶体管中的应用，其中，氧化钇材料可以用作制备晶体管过程中的硬掩膜。采用氧化钇材料作晶体管制造过程中的硬掩膜，可以解决光刻胶作为晶体管的微结构的刻蚀掩膜时存在的抗刻蚀能力不足、残余物难以去除的问题，以及解决常规的无机硬掩膜存在的热预算过高、可能破坏晶体管结构的问题。本申请实施例还提供了晶体管及其制造方法。
氧化钇材料制备晶体管中的应用及其方法

[发明专利]铁电存储器及其形成方法、电子设备-CN202210295574.0在审
发明人：王贺;李家晨;殷月伟;李晓光;唐文涛;赵俊峰;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学技术大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种铁电存储器及其形成方法、电子设备。本申请实施例提供的铁电存储器的存储单元中，用于存储电荷的铁电隧道结包括堆叠在第一电极和第二电极中的至少一个电极与铁电势垒层之间的绝缘势垒插层，或堆叠在相邻的铁电势垒层之间的绝缘势垒插层。当电子在相邻的铁电势垒层之间迁移时，电子需要穿过绝缘势垒插层，绝缘势垒插层可以打破相邻的铁电势垒层之间的晶界的连续性，减弱电子在相邻的铁电势垒层之间的迁移；同理，电子在铁电势垒层与第一电极和第二电极中的至少一个电极之间迁移，当电子需要穿过绝缘势垒插层时，绝缘势垒插层可以减弱电子的迁移，相应的由于电子迁移所产生的漏电流降低。
存储器及其形成方法电子设备

[发明专利]一种存储器、数据销毁方法和电子设备-CN202210253442.1在审
发明人：宋志棠;李喜;何璐昌;唐文涛;赵俊峰;罗时江;谢雨农 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器、数据销毁方法和电子设备。所述存储器中有多个存储单元，每个存储单元是由两个电极和开关层构成。开关层是由Te、Se等单质、硫系化合物等材料中的至少一种组成。两个电极叠加在开关层上，让两个电极分别与开关层之间呈现出肖特基势垒特性。当两个电极通入电压，且电压超过势垒高度的电压时，两个电极之间的通路导通。当两个电极停止通入电压时，由于开关层的材料具有弛豫效应，使得两个电极之间的电压逐渐降低，在两个电极之间的电压降低到低于势垒高度的电压时，两个电极之间的通路断开。如果存储单元储存数据后，随着时间的推移，过了弛豫时间后，存储单元中存储的数据消除，实现存储单元中存储的数据自动销毁的效果。
一种存储器数据销毁方法电子设备

[发明专利]存储器及存储器的制备方法-CN202210166177.3在审
发明人：王欣然;罗时江;于志浩;宁宏凯;谢雨农;唐文涛;赵俊峰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器和一种存储器制备方法，能够提高存储器的保持特性和耐久性，增大读取窗口，提高存储阵列中多个采用二维材料情况下的该多个存储器的器件一致性。存储器包括：二维材料层、第一导体层；铁电层，位于二维材料层与第一导体层之间；电介质层，位于二维材料层与铁电层之间；源极和漏极，分别与二维材料层的两端电连接。
存储器制备方法

[发明专利]一种铁电晶体管、数据读写方法、模型训练方法和器件-CN202111526612.0在审
发明人：王欣然;闫鑫;于志浩;宁宏凯;罗时江;赵俊峰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种铁电晶体管、数据读写方法、模型训练方法和器件，用于提高铁电晶体管的可靠性和耐用性。为解决上述技术问题，本申请实施例提供以下技术方案：铁电晶体管包括：衬底、背栅电极、背栅介电层、沟道层、源电极、漏电极、界面层、顶栅铁电层、顶栅电极；其中，背栅电极位于衬底的底部；背栅介电层位于衬底的上方；沟道层位于背栅介电层的上方；源电极和漏电极位于沟道层的上方的两侧；界面层位于沟道层的上方；顶栅铁电层位于界面层的上方，其中，界面层用于连接沟道层与顶栅铁电层；顶栅电极位于顶栅铁电层的上方。
一种晶体管数据读写方法模型训练器件

[发明专利]自旋波器件及存储器-CN202111271197.9在审
发明人：王译;李文波;冯莹;罗时江;赵俊峰;闫鑫 -专利权人：华为技术有限公司;大连理工大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种自旋波器件及存储器，该自旋波器件包括：强自旋轨道耦合材料层，第一磁性层，以及设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述第一磁性层之间的自旋波通道层；设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述自旋波通道层之间的至少一个插层；其中，所述强自旋轨道耦合材料层受电流驱动产生自旋流，所述第一磁性层受所述电流驱动发生磁矩进动或翻转。通过在器件中设置插层，提高磁矩进动或者翻转的效率，降低器件功耗，提高器件的热稳定性。
自旋器件存储器

[发明专利]一种计算器件、计算芯片以及计算方法-CN202110251732.8在审
发明人：游龙;张帅;唐文涛;陈镇江;赵俊峰;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;华中科技大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种计算器件、计算芯片以及计算方法。本申请中，该计算器件的磁存储单元可以存储数据，磁存储单元包括层叠的重金属层以及磁体层。该计算器件的两个电流输入电路可以向磁存储单元中的重金属层中注入不同方向的电流。该计算器件的读电路与磁体层连接，可以读取磁存储单元的阻值，其中，磁存储单元的阻值在第一电流相同的情况下，随着多次注入的电流呈概率分布。本发明实施例提供的计算器件能够借助两个电流输入电路改变重金属层中的电流，可以使得磁体层的磁化方向以一定概率发生翻转，导致磁存储单元的阻值以一定概率发生变化，实现概率比特，且实现方式难度较小。
一种计算器件芯片以及计算方法

[发明专利]一种存储装置-CN202110221891.3在审
发明人：闫鑫;倪磊滨;吴威;赵俊峰;唐文涛;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请提供一种存储装置，包括多个存储单元、写电路和电源反馈电路；其中，存储单元，用于存储数据；写电路，连接多个存储单元，用于在一个写入周期中向多个存储单元中写入多位数据；电源反馈电路，连接写电路和多个存储单元，用于在写电路向多个存储单元执行写操作时，调节多个存储单元的写入电压，使写电路在一个写入周期中将多位数据写入多个存储单元。由于一个写入周期可以写入多位数据，因此提高了写入效率，缩短了存储装置的重配置时间。
一种存储装置

[发明专利]一种自旋波逻辑器件及相关电路-CN202110579887.4在审
发明人：王译;李文波;刘娜;闫鑫;赵俊峰;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;大连理工大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种自旋波逻辑器件及相关电路。该自旋波逻辑器件包括沟道以及位于所述沟道之上的漏极和源极。所述源极用于产生自旋波信号。所述沟道用于将所述自旋波信号传输到所述漏极。所述漏极包括磁性隧道结或自旋阀结构，所述漏极用于根据所述自旋波信号呈现出不同阻态，其中，所述不同阻态用于指示不同的逻辑值。所述自旋波逻辑器件能够通过隧穿磁电阻或者巨磁电阻来探测磁子信号，防止断电后信息丢失，实现磁子信息的有效存储。
一种自旋逻辑器件相关电路

[发明专利]一种资源调度方法及装置-CN202110113718.1在审
发明人：马连博;申小龙;王若宇;王经纬;赵俊峰;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;东北大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：一种资源调度方法及装置，在该方法中，资源调度装置从多个第一候选方案中选择第一参考方案。第一候选方案的综合值指示第一候选方案在多个评价指标下的综合性能，根据多个第一候选方案获得多个第二候选方案。根据每个第二候选方案的综合值和差异值，从多个第二候选方案中选择目标资源调度方案，并根据目标资源调度方案进行资源调度。每个第二候选方案的综合值指示第二候选方案在多个评价指标下的综合性能，第二候选方案的差异值指示第二候选方案与第一参考方案的差异程度。目标资源调度方案考虑了第二候选方案在多个评价指标下的综合表现和第二候选方案与第一参考方案的差异性，使得后续利用目标资源调度方案能够达到较佳的资源调度效果。
一种资源调度方法装置

[发明专利]一种整流器及其使用方法-CN202011641740.5在审
发明人：江安全;张伟;唐文涛;赵俊峰;闫鑫;申小龙;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种整流器及其使用方法。所述整流器包括铁电层和设置于所述铁电层之上分离设置的第一电极和第二电极。所述整流器用于在所述第一电极和所述第二电极被施加大于第一预设电压的交流信号时，在所述铁电层的第一畴部和第二畴部的畴壁间形成导电通道，以使得所述大于所述第一预设电压的交流信号通过所述导电通道被输出。其中，所述第一畴部为所述铁电层中位于所述第一电极和所述第二电极之间的区域，所述第二畴部为所述铁电层中除所述第一畴部之外的其他区域。
一种整流器及其使用方法

[发明专利]一种热辅助磁性斯格明子存储器及数据写入方法-CN202010261854.0有效
发明人：游龙;王垚元;罗时江 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-04-05 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种热辅助磁性斯格明子存储器，属于数字电路技术领域，包括：依次叠放的钉扎层、隧穿层、自由层和重金属层；钉扎层、隧穿层和自由层构成磁隧道结；钉扎层和自由层均具有垂直磁各向异性；钉扎层和隧穿层为圆柱结构，且二者膜面均小于自由层的膜面，用于向自由层注入单向局部电流，以诱导自由层中斯格明子的产生，或使自由层中斯格明子湮灭；重金属层的膜面形状与自由层的膜面形状相同，用于与自由层产生界面DMI，以稳定斯格明子；钉扎层和重金属层外侧还分别叠放有热势垒层，且均由导热系数较低的材料制成，用于提高加热效率。本发明相比于传统的热辅助磁存储器，能够有效降低加热温度，提高存储器件的可靠性。
一种辅助磁性明子存储器数据写入方法

[实用新型]一种多层式耐压ETFE膜体-CN202023301242.4有效
发明人： 罗时江 -专利权人：深圳市天盛膜结构有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： E04B1/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层式耐压ETFE膜体，包括固定框和耐磨层，所述固定框的外壁粘接有密封条，且固定框的四角端部焊接有固定板，所述固定板与防护膜之间通过铆钉相固定，且防护膜的底部粘接有主体，所述耐磨层粘接于主体的底部，所述固定板的内部开设有卡槽，且卡槽的内部固定有磁铁块，所述磁铁块的端部粘接有卡块，所述固定板的前端外壁焊接有定位柱，且定位柱偏离固定框竖直中轴线的一端熔接有定位板，所述定位板的中部穿设有限位杆，且限位杆的左右端外壁均旋接有限位环。该多层式耐压ETFE膜体设置将密封条粘接于固定框的外壁，利用密封条，使得两个固定框之间得以密封连接，从而避免渗水情况的发生，加强密封性能。
一种多层耐压 etfe 膜体

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