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[发明专利]半导体器件-CN201810124748.0有效
发明人： 绵贯真一;中柴康隆;若林胜 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，实现内置有硅光调制器的半导体器件的小型化。半导体器件具有光调制器，该光调制器将第1光波导路、相位调制部(PM)、第2光波导路依次连接，沿第1方向(Y)对光进行引导，其中，相位调制部具有：半导体层(SL)，其由单晶硅构成，第1方向上的长度(L1)比与第1方向正交的第2方向(X)上的宽度(W1)大；芯部(CR)，其是形成于半导体层的光波导区域，沿第1方向延伸；一对板部(SB)，其在第2方向上配置于芯部的两侧；第1电极(Mp)，其与一个板部连接；和第2电极(Mn)，其与另一个板部连接。并且，芯部具有沿第1方向延伸的p型半导体区域和n型半导体区域，第2方向与半导体层的晶体取向100一致。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811612795.6有效
发明人：中柴康隆;绵贯真一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制造方法。一体形成了与微型光学器件形成在同一层上的光波导和尺寸大不相同的光斑尺寸转换器。半导体器件具有用作光斑尺寸转换器的光波导部分。光波导部分包括在厚度方向上穿透层间绝缘层的多个光波导本体。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201811553671.5有效
发明人： 绵贯真一;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。在绝缘层之上形成两个光波导以及被设置为覆盖光波导的绝缘膜。经由与上述绝缘膜不同的绝缘膜，在绝缘膜上方形成两个布线和加热器金属线。后一个绝缘膜薄于前一个绝缘膜，并且具有的折射率高于前一个绝缘膜的折射率。来自两个光波导中任一个的泄露光可以被抑制或防止被两个布线、加热器金属线等中的任一个反射，以通过利用两个绝缘膜的折射率之间的差再次朝向两个光波导行进。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201811504759.8有效
发明人：中柴康隆;绵贯真一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。在具有在第一半导体层上方堆叠第二半导体层且插入有电介质层的配置的SIS型光波导部分中，第一半导体层在没有堆叠第二半导体层的第一引出部分处电耦合到第一电极。此外，第二半导体层在不与第一半导体层重叠的第二引出部分处电耦合到第二电极。结果，当通过干法刻蚀形成用于形成第二电极的接触孔时，第一半导体层和第二半导体层之间的电介质层不会被损坏或破坏，并且因此可以防止第一半导体层和第二半导体层之间的短路故障。因此，可以提高光波导部分的可靠性。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610423517.0有效
发明人： 绵贯真一;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种具有硅波导的光的传播特性不会发生劣化的中介层的半导体器件。中介层(IP1)具有例如沿着x方向配置的多个相同的功能块(MD)，该功能块(MD)具有搭载有半导体芯片的第一区域(R1)、搭载有发光元件芯片的第二区域(R2)、搭载有受光元件芯片的第三区域(R3)以及多个硅波导(PC)。而且，第二区域(R2)以及第三区域(R3)配置于第一区域(R1)与中介层(IP1)的沿着x方向的第一边之间。另外，多个硅波导(PC)配置于第二区域(R2)以及第三区域(R3)与上述第一边之间，并从第二区域(R2)以及第三区域(R3)向上述第一边延伸，没有形成于在x方向上彼此相邻的功能块(MD)之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610391363.1有效
发明人：中柴康隆;绵贯真一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：本发明涉及使半导体器件的性能提高的半导体器件及其制造方法。具有光波导路和p型半导体部的半导体器件以如以方式构成。光波导路具有：形成在绝缘层上的第1半导体层、形成在第1半导体层上的绝缘层以及形成在绝缘层上的第2半导体层。此外，p型半导体部具有第1半导体层。而且，p型半导体部的膜厚比光波导路的膜厚小。这样，在第1半导体层和第2半导体层之间形成有绝缘层，因此，使得光波导路的膜厚和p型半导体部的膜厚的控制变得容易。特别是，在p型半导体部的形成工序中，在利用蚀刻除去不需要的第2半导体层之际，使下层的绝缘层作为蚀刻阻挡层发挥作用，从而能够容易地调整p型半导体部的膜厚。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光学半导体器件-CN201510520035.2有效
发明人：国岛浩之;中柴康隆;若林胜;绵贯真一;小泽健;宇佐美达矢;山本悦章;坂本圭司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学半导体器件。提供了可防止在光学半导体器件中电信号的质量降低的技术。在与电信号传输线的延伸方向垂直的横截面中，电信号传输线被包括第一噪声截止布线、第二插塞、第一层布线、第一插塞、屏蔽半导体层、第一插塞、第一层布线、第二插塞和第二噪声截止布线的屏蔽部包围，屏蔽部被固定到参考电位。由此，屏蔽部阻挡由于源自半导体衬底的磁场或电场的作用而导致的影响电信号传输线的噪声。
光学半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811583471.4在审
发明人：中山知士;绵贯真一;小松大士;桑岛照弘;小仓卓;奥秋广幸;清水繁明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及半导体装置及其制造方法。为了改善半导体装置的性能，在p型半导体PR之上形成半导体层EP。在半导体层EP之上形成n型半导体层NR1。半导体层PR、半导体层EP和半导体层NR1分别配置光接收器的一部分。在半导体层EP之上形成与半导体层EP的材料不同的材料的盖层，并且在盖层内形成硅化物层，该硅化物层是金属与被包括在盖层中的材料的反应产物。穿过硅化物层在盖层之上形成具有阻挡金属膜BM1的插塞。这里，在半导体层NR1内未形成金属与被包括在半导体层NR1中的材料的反应产物。
半导体层盖层半导体装置硅化物层阻挡金属膜金属光接收器插塞制造穿过配置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810690111.8在审
发明人：桑岛照弘;绵贯真一;小松大士;中山知士 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的可靠性得到改进。在绝缘层上方形成光波导和p型半导体部分。在p型半导体部分上方形成包括n型半导体部分和盖层的多层本体。在覆盖光波导、p型半导体部分和多层本体的第一层间绝缘膜上方，形成位于光波导上方的加热器。在第一层间绝缘膜中，形成第一接触孔和第二接触孔。与p型半导体部分电耦合的第一接触部分连续地形成在第一接触孔中和第一层间绝缘膜上方。与盖层电耦合的第二接触部分连续地形成在第二接触孔中和第一层间绝缘膜上方。形成在第二层间绝缘膜上方的布线经由嵌入第二层间绝缘膜中的插塞而与加热器以及第一接触部分和第二接触部分电耦合。
第一层接触孔绝缘膜半导体器件电耦合光波导加热器层间绝缘膜部分连续多层盖层绝缘层中和布线插塞嵌入制造覆盖申请改进

[发明专利]半导体器件-CN201711064521.3在审
发明人： 绵贯真一;小松大士;中山知士;小仓卓;桑岛照弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。对半导体制造装置的锗(Ge)污染被抑制。锗是硅半导体工艺中的异种材料。半导体器件被提供有包括n型锗层的Ge光电二极管和与n型锗层电容耦合的插塞。换句话说，Ge光电二极管的n型锗层和插塞彼此不直接接触，而是彼此电容耦合。
半导体器件光电二极管电容耦合插塞导体制造装置硅半导体工艺不直接接触异种材料污染

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201610172326.1在审
发明人： 绵贯真一;稻田充郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置以及其制造方法，谋求半导体装置的高集成化，并实现半导体芯片的小型化。该半导体装置包括半导体基板(SUB)、在半导体基板(SUB)上形成的由氧化硅构成的绝缘层(CL)以及在绝缘层(CL)上形成的由硅构成的半导体层(SL)，通过半导体层(SL)而形成有光信号用传输线路部(A)的光波导(PO)以及光调制部(B)的光调制器(PC)。并且，绝缘层(CL)成为留下其一部分而具有空洞的中空构造，构成光波导(PO)以及光调制器(PC)的半导体层(SL)各自的两侧面以及下表面露出而被空气覆盖。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]设计和制造LSI的系统和方法以及电子束数据生成系统-CN200510084888.2无效
发明人： 绵贯真一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种LSI设计系统，包括：存储器；数据库，用于存储布图层定义文件；以及控制部件，用于参考数据库以根据所述布图层定义文件在所述存储器中建立多个布图层。多个布图层在要形成的LSI的物理层的一个中具有图案的延伸方向。控制部件根据延伸方向将每个图案分成图案结构，并且将每个图案结构指定到多个布图层的对应的一个。
设计制造 lsi 系统方法以及电子束数据生成

[发明专利]有硅化物层的半导体器件的制造方法-CN98120147.4无效
发明人：松原义久;石上隆史;山田义明;绵贯真一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-10-09 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件制造方法，在一个硅区上形成一第一难熔金属薄膜。在其上形成第二难熔金属薄膜。第二难熔金属薄膜含有与第一难熔金属薄膜相同的难熔金属以及氮元素。第一和第二难熔金属薄膜在不含氮的保护气中被热处理，从而在硅区与第一难熔金属薄膜之间的界面上发生硅化反应而形成一个难熔金属硅化物层。对第二难熔金属薄膜的应力值进行设置，使其在硅化反应期间难熔金属硅化物层所发生的塑性变形不影响。
有硅化物层半导体器件制造方法

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