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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有源极镇流的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201910876410.5有效
发明人： 维平达斯·帕拉 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成器件和制作所述集成器件的方法。该集成器件包含多个平面金属氧化物半导体场效应晶体管，后者具有于多个源极区的第一源极区中形成的第一接触区，以及于多个源极区的第二源极区中形成的第二接触区。第一接触区和第二接触区具有掺杂第二导电类型的源极区相应部分，且第一接触区和第二接触区经由结型场效应晶体管区域分离；其中结型场效应晶体管区域的一个平面尺寸长于另一个，且第一接触区和第二接触区经由较长平面尺寸分离。结型场效应晶体管区域通过导电接触至少一个接触区的源极区和体区，界定于对应较长平面尺寸的至少一侧。
有源极镇流碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]高压CMOS器件与共享隔离区的集成-CN201910755949.5有效
发明人： 维平达斯·帕拉 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：功率器件，包括：具有第一导电类型基片层的半导体基体，以及形成在基片层中的一个或多个横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。将LDMOS晶体管结构集成入高电压阱的隔离区。每一LDMOS晶体管通过由基片层形成的隔离器结构与功率器件基片区相隔离。每一LDMOS晶体管包括至少部分于绝缘厚层上形成的连续场电极，越过一个或多个LDMOS晶体管中的每一个，且与功率器件基片区发生导电接触。
高压 cmos 器件共享隔离集成

[发明专利]一种单沟道台面型功率结型场效应晶体管-CN202180051586.2在审
发明人： 维平达斯·帕拉;苏达尔桑·乌皮利 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：公开了一种结型场效应晶体管(Junction Field Effect Transistors，JFET)及其相关制作方法。公开的JFET包括位于台面内的垂直沟道区以及位于台面第一侧的第一沟道控制区。第一沟道控制区至少为栅区和第一基区中的一个。该JFET还包括位于台面第二侧的第二基区，该第二基区穿过台面延伸至与垂直沟道区接触。该垂直沟道可为注入式垂直沟道。该垂直沟道可不对称地位于台面中，并朝向台面第一侧。
一种沟道台面功率场效应晶体管

[发明专利]沟槽型碳化硅器件及其制造方法-CN202211068769.8在审
发明人：杨海锋;陈志勇;维平达斯·帕拉;乔伊·迈克格雷格;姚泽强 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：公开了一种沟槽型碳化硅器件及其制造方法，该沟槽型碳化硅器件的制造方法包括在碳化硅衬底上形成沟槽，淀积形成第一氧化层，所述第一氧化层包括二氧化硅以及致密过程，通入氧气，所述氧气和碳化硅衬底发生反应生成二氧化硅。该沟槽填充的，使得第一氧化层和碳化硅衬底结合更紧密，第一氧化层和碳化硅衬底之间不容易分离。
沟槽碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]半导体晶圆的激光刻蚀方法-CN202210681528.4在审
发明人：苏达尔桑·乌皮利;维平达斯·帕拉;卡尔·强森;吴喜泉;约翰·特雷普 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：公开了一种半导体晶圆处理方法，包括：采用激光烧蚀工艺烧蚀半导体晶圆的背面；以及采用刻蚀工艺刻蚀半导体晶圆的背面；其中，所述激光烧蚀工艺在半导体晶圆的背面形成图案；以及所述刻蚀工艺保留了激光烧蚀工艺在半导体晶圆背面烧蚀的图案。本发明公开的半导体晶圆处理方法，在不需要引入掩膜的情况下，可以在半导体晶圆的背面制作出具有不同深度的图案。
半导体激光刻蚀方法

[发明专利]结型场效应晶体管-CN202210437056.8在审
发明人： 维平达斯·帕拉 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种结型场效应晶体管。所述结型场效应晶体管包括：漏极区；漏极端，耦接至漏极区；绝缘电极；绝缘端，耦接至绝缘电极；其中：所述结型场效应晶体管具有有源区；所述绝缘电极向漏极端呈现一个电容，该电容的电容值介于有源区每平方厘米0.1纳法到有源区横向范围每平方厘米10纳法之间。所述结型场效应晶体管减小了晶胞尺寸、具有更好的屏蔽性能，且使器件具有更强的耐压。
场效应晶体管

[发明专利]制造宽带隙器件的方法-CN202210368993.2在审
发明人： 维平达斯·帕拉;苏达尔桑·乌皮利 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了制造宽带隙器件的方法。在同质衬底的表面生长外延层。在生长外延层后，将操作衬底通过界面层附着于同质衬底的另一表面。通过操作衬底提供机械支撑，使用低温制造工艺在外延层中制造宽带隙器件。在宽带隙器件制造完成后，将操作衬底从同质衬底分离。
制造宽带器件方法

[发明专利]碳化硅沟道半导体器件-CN202110041843.6在审
发明人：大卫·谢里丹;维平达斯·帕拉;马督儿·博德 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅沟道半导体器件，具有一个重掺杂第一导电类型的碳化硅衬底和一个轻掺杂第一导电类型的碳化硅漂流区，碳化硅漂流区位于碳化硅衬底上方。漂流区中的第一本体区掺杂第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。第一本体区中的第一源极区重掺杂第一导电类型。栅极沟槽形成在第一源极区和第一本体区中。栅极沟槽的至少一个侧壁并行于碳化硅衬底的一个晶面，该晶面的载流子迁移率比C‑面更高。栅极沟槽将第一本体区和源极区的长度延伸到分离区域，分离区域位于第一区横向附近，其中分离区域形成在漂流区中。
碳化硅沟道半导体器件

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