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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]燃料电池单元及其制造方法-CN202180090123.7在审
发明人： 笹子佳孝;佐久间宪之;横山夏树;藤崎耕司;三濑信行;杉本有俊 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于，抑制在形成薄膜固体电解质层时在基底存在的异物所导致的输出电力的降低，提高使燃料电池单元的面积增加的情况下的成品率，降低燃料电池的成本。本发明的燃料电池单元在支撑基板上形成有由下部电极层、第一固体电解质层、第二固体电解质层以及上部电极层构成的膜电极接合体，第一固体电解质层与第二固体电解质层之间的界面比下部电极层与固体电解质层之间的界面平坦，第二固体电解质层具有即使在产生了上述燃料电池单元的输出电压时上述第一固体电解质层与上述第二固体电解质层之间的漏电流也小于允许值的程度的膜厚(参照图5)。
燃料电池单元及其制造方法

[发明专利]燃料电池单体以及其制造方法-CN202080099981.3在审
发明人： 笹子佳孝;佐久间宪之;横山夏树;宇根本笃;堤贵志;杉本有俊;荒卷彻;三濑信行 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01M8/1097 文献下载
摘要：燃料电池单体(1)具备硅基板(2)、多孔质的支撑材料层(5)、多个孔(60)或柱(40)和层叠体。层叠体具备上部电极层(10)、固体电解质层(100)和下部电极层(20)。上部电极层(10)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)形成的上部电极层(10)连续，或者下部电极层(20)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)的下部电极层(20)连续。在多个孔(60)或柱(40)的至少上端部以及下端部，通过多孔质的支撑材料层(5)来支承层叠体。
燃料电池单体及其制造方法

[发明专利]燃料电池单元、燃料电池单元制造方法-CN201980102022.X在审
发明人：佐久间宪之;笹子佳孝;安斋由美子;右高园子;横山夏树;堤贵志;杉本有俊;荒卷彻 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01M8/1097 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种维持燃料电池单元的发电效率且电解质膜不易产生破损的高可靠性的燃料电池单元。本发明的燃料电池单元在与支撑基板相比靠上方的位置具备覆盖开口部的应力调整层，所述应力调整层对所述支撑基板具有拉伸应力，且具有晶界沿着与膜厚方向平行的方向延伸的柱状晶体结构(参照图2)。
燃料电池单元制造方法

[发明专利]燃料电池单元、燃料电池单元制造方法-CN201980101696.8在审
发明人：佐久间宪之;笹子佳孝;安斋由美子;右高园子;横山夏树;堤贵志;杉本有俊;荒卷彻 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种燃料电池单元，为高发电输出，在确保燃料电池单元的机械强度的同时增大有助于发电的有效发电区域的面积。本发明的燃料电池单元在支撑基板与第一电极之间具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述支撑基板具有第一开口部，所述第一绝缘膜具有第二开口部，所述第二绝缘膜具有第三开口部，所述第一开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，所述第三开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，参照图2。
燃料电池单元制造方法

[发明专利]燃料电池单元、燃料电池系统、泄漏检测方法-CN201980095297.5在审
发明人：出川宗里;佐久间宪之;笹子佳孝;杉本有俊;三濑信行;堤贵志 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01M8/1286 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种燃料电池系统，其通过在燃料电极气体或空气电极气体泄漏时对其高精度地检测，从而提高了可靠性。参照图3，本发明的燃料电池单元在支承基板上层叠了第一电极、电解质膜、第二电极，并且通过绝缘部件将所述第一电极、所述电解质膜及所述第二电极中的至少任一个电分离而形成第一区域和第二区域，所述绝缘部件配置在所述支承基板上不与开口部分重叠的位置。
燃料电池单元系统泄漏检测方法

[发明专利]燃料电池单体-CN201880097820.3在审
发明人：佐久间宪之;笹子佳孝;杉本有俊;三濑信行;渡边成一 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01M8/1286 文献下载
摘要：提供使燃料电池单体的发电效率提升并且难以在电极以及电解质膜出现破损的高可靠的燃料电池单体。燃料电池单体具有：具有设置了俯视观察下具有网眼形状的支承部的区域的支承基板(2、3)；支承基板上的第1电极(4)；第1电极上的电解质膜(5)；和电解质膜上的第2电极(6)，第1电极具有：第1薄膜电极(4A)，其至少覆盖区域而形成；和第1网眼状电极(4B)，其与第1薄膜电极连接，与支承部对应而设，具有比第1薄膜电极厚的膜厚，在俯视观察下具有网眼形状。
燃料电池单体

[发明专利]半导体存储器件-CN201180030368.7有效
发明人： 笹子佳孝;峰邑浩行;小林孝;新谷俊通;半泽悟;木下胜治 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高相变存储器的重写传送速率和可靠性。为了达到上述目的，对于串联设置于字线(2)与位线(3)之间、各自具有彼此并联连接的选择元件和存储元件的多个相变存储器单元(SMC或USMC)，在将其全部被设为置位状态之后，将与数据图案相应的一部分单元设为复位状态。或者与其相反地进行设置。
半导体存储器件

[发明专利]车载装置-CN200910138963.7无效
发明人：寺尾元康;於保茂;笹子佳孝 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： B60R16/023 文献下载
摘要：本发明涉及车载装置，能够得到使用脑波信号的控制装置及控制方法，能够使用脑波，对汽车导航装置等电子设备、与机械装置组合的机器人手臂、电动轮椅等进行控制。装置至少具有脑波传感检测开始机构、选项图形显示机构、脑波强度显示机构、脑波检测机构。在汽车的情况下，首先按下安装在方向盘或车内的脑波传感检测开始的按钮，于是显示多个表示选项的图形或文字。用规定的方法进行思考并选择。选项是1级最多6个的分级结构，阶段性地多次进行该操作。脑波检测电极设置在靠近头靠(枕)或从顶棚吊下的部件的位置。对检测到的脑波进行放大或信号处理，然后存储，对控制信号进行有线或无线发送。
车载装置

[发明专利]半导体器件-CN200810130306.3无效
发明人：寺尾元康;松冈秀行;入江直彦;笹子佳孝;竹村理一郎;高浦则克 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200610168710.0无效
发明人：长部太郎;石垣隆士;笹子佳孝 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，实现非易失性半导体存储器件的存储单元的微型化。在构成非易失性半导体存储器件的半导体衬底(1)的主面上隔着第1栅绝缘膜(4)形成有多个浮栅(7)。在各浮栅(7)的一个邻接侧形成有辅助栅(9)，上述辅助栅(9)隔着第3栅绝缘膜(6)形成在半导体衬底(1)的主面上。而且，在各浮栅(7)的另一邻接侧形成有沟(Tr1)，在该沟(Tr1)的底部侧形成有n型扩散层(3)。该非易失性半导体存储器件的数据线，由在对辅助栅(9)施加了所希望的电压时形成在与该辅助栅(9)相对的半导体衬底(1)的主面部分的反型层、和上述n型扩散层(3)构成。
半导体器件

[发明专利]非易失性半导体存储器及其制造方法-CN200510003847.6有效
发明人： 笹子佳孝;小林孝 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-01-07 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性半导体存储器及其制造方法。在90nm级以后的进一步微细化的非易失性半导体存储器中，提供一种能够降低相邻的浮栅间的静电电容、且降低因相邻的存储单元间的干扰而产生的阈值变化的技术。通过将存储单元的浮栅(3)的形状设置为凸型，使浮栅(3)的通过控制栅(4)和第二绝缘膜(8)的部分具有比浮栅(3)的低部小的尺寸，既能够充分确保浮栅(3)与控制栅(4)之间的面积，又能降低相邻的字线(WL)下的浮栅(3)间的对置面积，在确保浮栅(3)与控制栅(4)之间的电容耦合比的同时，降低相邻的浮栅(3)间的对置面积，进而降低阈值变动的影响。
非易失性半导体存储器及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200410082115.6无效
发明人：石井智之;峰利之;笹子佳孝;长部太郎 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在将半导体衬底表面的反型层作为数据线利用的非易失性半导体存储装置中，可兼顾存储单元间特性离散的降低和位成本的降低。在p型阱3内经氧化硅膜4以被埋入的形态形成多个辅助电极A(An、An+1)，在硅衬底表面1a上形成的氧化硅膜(隧道绝缘膜)5的上部紧密地形成存储信息的平均粒径约为6nm的互不接触的硅微小结晶粒6，进而在与辅助电极A实质上垂直的方向上形成多条字线W，使字线W的间隔小于等于字线W的宽度(栅长)的1/2。由此，由于可将辅助电极A的侧面的反型层作为局部数据线来使用，故可降低电阻，此外，可降低存储器矩阵内的存储单元的特性离散。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法-CN200310117021.3有效
发明人：小林孝;笹子佳孝;有金刚;池田良广;金光贤司 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供涉及使用3层多晶硅栅极的虚拟接地式存储单元的微细化、高性能化和成品率提高的新的非易失性快擦写半导体存储器件及其制造方法。在本发明的存储单元中，在浮置栅极115b的端面之中分别与字线117a和沟道垂直的方向上存在的2个端面的各自的一部分，被形成得使之中间间隔绝缘膜110a地置于第3栅极109a的上部之上。尚采用本发明，则可以缩小非易失性半导体存储器件的存储单元面积，提高动作速度，还可以实现成品率的提高。
非易失性半导体存储器件及其制造方法

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