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[发明专利]存储器件、驱动存储器件的方法以及驱动主机装置的方法-CN202211320610.0在审
发明人： 秋喆焕;黄晙夏;黄斗熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：提供了一种存储器件、驱动存储器件的方法以及驱动主机装置的方法。所述存储器件包括：存储单元，所述存储单元用于存储数据；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为：检查是否使用动态电压频率缩放核(DVFSC)操作，响应于使用所述DVFSC操作检查存储在所述存储器件中的指示主机装置的设置的信息，基于所述信息来确定用于所述DVFSC操作的低电压的电平，并且向所述主机装置发送确定出的用于所述DVFSC操作的所述低电压的电平。
存储器件驱动方法以及主机装置

[发明专利]主机设备和存储设备的操作方法及存储设备-CN202210890030.9在审
发明人：黄晙夏;秋喆焕;吴桂植;李泳斌;赵娍苑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供了一种操作主机设备以控制包括寄存器的存储设备的方法。该方法包括：向存储设备提供指示掩蔽段和非掩蔽段当中的非掩蔽段的部分阵列刷新设置；向存储设备提供刷新命令；以及向存储设备提供针对掩蔽段的写入命令，以控制存储设备在基于刷新命令在存储设备中执行部分阵列刷新的同时存储数据。
主机设备存储操作方法

[发明专利]半导体封装-CN202210937420.7在审
发明人：赵升贤;孙俊植;秋喆焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体封装包括顺序地一个堆叠在另一个上的第一、第二、第三和第四半导体芯片。第一、第二、第三和第四半导体芯片中的每个包括包括在第一方向上交替布置的第一组接合焊盘和第二组接合焊盘以及分别选择性地连接到第一组接合焊盘的输入/输出(I/O)电路。第一、第二和第三半导体芯片中的每个包括电连接到第一组接合焊盘的第一组贯穿电极和电连接到第二组接合焊盘的第二组贯穿电极。
半导体封装

[发明专利]半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法-CN202010915165.7在审
发明人：郑允敬;秋喆焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括存储单元行。所述刷新控制电路对所述存储单元行执行刷新操作。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎，使得所述ECC引擎在读取操作期间通过对至少一个第一存储单元行中的子页面执行ECC解码来生成错误生成信号。所述控制逻辑电路将所述第一存储单元行的错误发生计数与阈值进行比较，并基于所述比较向所述刷新控制电路提供所述第一存储单元行的第一地址作为错误地址。所述刷新控制电路增加在刷新时段期间在所述第一存储单元行中执行的刷新操作的次数。
半导体存储器件操作方法

[发明专利]动态半导体存储器装置及具有其的存储器系统-CN201910644493.5在审
发明人： 秋喆焕;金光贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供了动态半导体存储器装置及包括其的存储器系统。动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括具有连接在第一字线与第一位线之间的多个第一动态存储器单元的第一存储器单元阵列块、具有连接在第二字线与第二位线之间的多个第二动态存储器单元的第二存储器单元阵列块及具有感测放大器的感测放大块，感测放大器被配置为将第一位线和第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的第二感测电源电压；温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及电压生成器，被配置为响应于温度感测信号生成第一或第二感测电源电压，将第一或第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，将感测接地电压施加到存储器单元阵列。
动态半导体存储器装置具有系统

[发明专利]包括彼此间隔开的凸块阵列的存储器和包括其的电子装置-CN201910125511.9在审
发明人： 秋喆焕;宋雄哉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种存储器装置包括：缓冲器管芯，其包括在平行于缓冲器管芯的下表面的第一方向上彼此间隔开的第一凸块阵列和第二凸块阵列；第一存储器管芯，通过多个第一硅通孔堆叠在缓冲器管芯上且包括存储体；和第二存储器管芯，通过多个第二硅通孔堆叠在第一存储器管芯上且包括存储体。第一凸块阵列提供给在第一存储器管芯和第二存储器管芯与第一处理器之间通信的第一信道。第二凸块阵列提供给在第一存储器管芯和第二存储器管芯与第二处理器之间通信的第二信道，且第一信道和第二信道彼此独立，使得分配给第一信道的存储体仅由第一处理器而非第二处理器通过第一信道访问，且分配给第二信道的存储体仅由第二处理器而非第一处理器通过第二信道访问。
信道凸块阵列存储器管芯存储体第二处理器第二存储器第一处理器缓冲器管管芯信道访问硅通孔堆叠存储器装置彼此独立电子装置存储器下表面配给通信平行分配

[发明专利]存储系统、确定其错误的方法及包括其的电子设备-CN201910066323.3在审
发明人：金秀衡;秋喆焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：提供了一种存储系统、确定其错误的方法及包括其的电子设备。存储系统包括：存储装置，包括缓冲器裸片、设置在缓冲器裸片上的核心裸片、多个通道和穿硅通路，穿硅通路被配置为在缓冲器裸片与至少一个核心裸片之间发送信号；存储控制器，被配置为向该存储装置输出命令信号和地址信号，向存储装置输出数据信号，以及从存储装置接收数据信号；以及内插件，包括用于连接存储控制器和多个通道的多个通道路径，其中该存储装置还包括用于改变多个通道与多个通道路径之间的连接状态的路径选择器，当在多个通道与多个通道路径之间的第一连接状态下检测到错误时，路径选择器将第一连接状态改变为第二连接状态。
存储装置裸片连接状态缓冲器存储系统通道路径存储控制器路径选择器穿硅通路电子设备提供接收数据信号输出命令信号输出数据信号地址信号电子设备发送信号内插件配置检测

[发明专利]地址转换器半导体器件和具有它的半导体存储器件-CN200610171271.9无效
发明人： 秋喆焕;宋浩圣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G11C8/18 文献下载
摘要：一种半导体器件的地址转换器包括：时钟产生部分，用于当施加了电源时产生至少一个时钟信号；控制信号设置装置，用于在模式设置操作期间设置控制信号；极性选择信号产生部分，用于响应于所述至少一个时钟信号和所述控制信号，产生至少一个极性选择信号；和地址转换部分，用于响应于所述至少一个极性选择信号来转换从外部部分施加的地址的至少一位以输出转换的地址。
地址转换器半导体器件具有半导体存储器件

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