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[发明专利]液体处理装置-CN201710826009.1在审
发明人：岩永顺子;高柳哲也;石田昌宏 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：本申请提供一种液体处理装置，具备：容器，用于储存液体；第一电极；第二电极，至少一部分配置在容器内；筒状的第一绝缘体，隔着第一空间包围第一电极的侧面，在与液体相接的端面具有第一开口；筒状的第二绝缘体，在第一绝缘体的内侧包围第一电极的侧面；气体供应装置，向第一空间内供应气体，从而经由第一开口将气体排出至液体中；以及电源，向第一电极和第二电极之间施加电压，从而产生等离子体。第二绝缘体与第一绝缘体隔着第二空间配置，使用气体供应装置向第一空间内供应气体，从而第一电极之中位于容器内的部分及第二绝缘体之中位于容器内的部分被气体覆盖。
绝缘体第一电极第一空间气体供应装置液体处理装置第二电极供应气体筒状开口等离子体包围储存液体第二空间气体覆盖施加电压侧面排出配置电源申请

[发明专利]氮化物半导体结构物-CN201380047498.0有效
发明人：梅田英和;石田昌宏;上田哲三;上田大助 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体结构物，对使用氮化物半导体结构物而制造的设备的电流崩塌进行抑制。氮化物半导体结构物具备硅基板；和形成在硅基板上且由多个氮化物半导体构成的层。硅基板从由多个氮化物半导体构成的层侧起依次具有表面区域以及内部区域。表面区域的电阻率为0.1Ωcm以上，内部区域的电阻率为1000Ωcm以上。
氮化物半导体结构

[发明专利]氮化物半导体装置-CN201180048171.6无效
发明人：好田慎一;石田昌宏;山田康博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体装置，其具有依次形成于基板(1)之上的第1氮化物半导体层(3)、第2氮化物半导体层(4)、第3氮化物半导体层(5)及第4氮化物半导体层(6)。在第3氮化物半导体层(5)中的与第4氮化物半导体层(6)的界面附近形成蓄积有载流子的沟道。第2氮化物半导体层(4)的带隙比第3氮化物半导体层(5)的带隙大。第1氮化物半导体层(3)，其带隙与第2氮化物半导体层(4)的带隙相同或比其大，且被导入比第2氮化物半导体层(4)更高浓度的碳。
氮化物半导体装置

[发明专利]化合物半导体的制造方法-CN201180040477.7无效
发明人：铃木朝实良;梅田英和;石田昌宏;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物半导体的制造方法，在包含硅的基板的上部，形成硅氧化膜。其后，通过对基板(101)中的硅氧化膜的下侧的区域进行离子注入，接着进行热处理，而形成包含注入了离子的单晶硅的基底层(102)。接下来，通过除去硅氧化膜，而露出基底层(102)。其后，在基底层(102)上形成GaN层(105)。
化合物半导体制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN201180037480.3有效
发明人：胁田尚英;田中健一郎;石田昌宏;田村聪之;柴田大辅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。
场效应晶体管

[发明专利]充气轮胎-CN201210272776.X有效
发明人：甲田启;石田昌宏 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B60C13/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够维持轮胎的性能的同时，还能够提高轮胎的外观品质的充气轮胎。为解决上述课题，本发明的充气轮胎，其侧壁部在轮胎径向上的一定区域内具有装饰区域，该装饰区域在轮胎周向和所述轮胎径向上分别邻接地连续配置有两个以上的装饰部，该装饰部在外表面于所述轮胎周向上邻接地配置有凸起的多个凸脊，凸脊与轮胎径向的内侧端缘的所述装饰区域的切线所成的角即凸脊排列角度在同一所述装饰部中相同，与邻接的所述装饰部的凸脊排列角度不同，并且连接凸脊的位于邻接装饰部的附近侧的端部的第1虚拟界线与连接邻接的装饰部的凸脊的位于第1虚拟界线的附近侧的端部的第2虚拟界线的距离不足1mm。
充气轮胎

[发明专利]充气轮胎-CN201210076570.X有效
发明人： 石田昌宏 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B60C13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够维持轮胎的性能同时也能够提高轮胎的外观的品质的充气轮胎。胎侧部在轮胎径向的一定区域具有在轮胎周向上相邻地连续配置有2个以上装饰部的装饰区域，装饰部在轮胎周向上相邻地配置有向外表面凸的多个隆起；隆起在同一所述装饰部，隆起排列角度相同，角度与相邻装饰部的隆起排列角度相差20°以上且160°以下；装饰部，在轮胎周向的整个区域，其轮胎径向的至少一方与相邻的装饰部重叠；第1假想边界线与第2假想边界线的距离不足1mm。
充气轮胎

[发明专利]充气轮胎-CN201210019539.2有效
发明人： 石田昌宏 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：本发明公开了充气轮胎(1A)，该充气轮胎(1A)在胎面部具备向轮胎周向延伸的至少4个周向主槽(21～24)、以及由这些周向主槽(21～24)划分而成的多个条状环岸部(31～35)。此外，外侧第二环岸部(32)具备：锯齿形细槽(321)，其具有锯齿形状并向轮胎周向延伸，在轮胎宽度方向上分割外侧第二环岸部(32)；以及多个第一刀槽花纹(322)，其以一定间隔配置在轮胎周向上，并从外侧第二环岸部(32)的轮胎宽度方向外侧边缘部向轮胎宽度方向内侧延伸，在锯齿形细槽(321)前面空出通气用间隙后终止。提供一种能够改善驾驶稳定性能和噪音性能的充气轮胎。
充气轮胎

[发明专利]充气轮胎-CN201210101960.8有效
发明人： 石田昌宏 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：本发明涉及充气轮胎(1)，该充气轮胎在胎面部具备向轮胎周向延伸的至少4个周向主槽、以及由这些周向主槽划分而成的多个条状环岸部。此外，外侧第二环岸部(32)具备：L字形细槽(321)，其由从外侧第二环岸部中轮胎宽度方向外侧边缘部向轮胎宽度方向内侧延伸的宽度方向槽部(3211)、以及与轮胎周向大致平行地延伸并在外侧第二环岸部内终止的周向槽部(3212)连接而成；以及贯通刀槽花纹(322)，其在轮胎宽度方向上贯通外侧第二环岸部，同时与周向槽部交叉。此外，多个L字形细槽和多个贯通刀槽花纹以一定间隔配置在轮胎周向上。此外，相邻的L字形细槽相互独立配置。本发明提供一种能够改善驾驶稳定性能和噪音性能的充气轮胎。
充气轮胎

[发明专利]氮化物半导体元件-CN201110042078.6无效
发明人：清水顺;好田慎一;山田康博;胁田尚英;石田昌宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体元件，可提高在Si基板上形成的氮化物半导体元件的生产性和工作特性。氮化半导体元件具备：在硅基板(101)上隔着初始层(102)形成变形抑制层(110)、在变形抑制层上形成的工作层(120)。变形抑制层(110)具有：第1分隔层(111)、在第1分隔层上相接形成的第2分隔层(112)、在第2分隔层上相接形成的超晶格层(113)。第1分隔层的晶格常数比第2分隔层大。超晶格层中交替层叠了第1层(113A)以及晶格常数比第1层小的第2层(113B)。超晶格层的平均晶格常数比第1分隔层的晶格常数小，并且比第2分隔层的晶格常数大。
氮化物半导体元件

[发明专利]充气轮胎-CN200380104776.8有效
发明人：山根贤司;石田昌宏 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： B60C11/13 文献下载
摘要：在轮胎旋转方向被指定为一个方向的胎面的中心区域，由在轮胎中心线的侧方配置的沿轮胎周向延伸的至少1条第1周向槽、和从该第1周向槽向轮胎宽方向外侧向反旋转方向侧倾斜地延伸并且在轮胎周向上以规定的间隔配置的第1横向槽，划分形成具有钝角状的角部和锐角状的角部的块。使前述块的面向前述第1周向槽的钝角状的角部两侧的槽壁面，以向该钝角状的角部倾斜角度逐渐变大的方式倾斜，且在前述钝角状的角部倾斜角度成为最大。
充气轮胎

[发明专利]充气轮胎-CN200380103497.X有效
发明人： 石田昌宏 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2003-11-11 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： B60C11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种可在确保良好的排水性能的同时，改善噪音性能和操纵稳定性能的充气轮胎。在胎面中心区域的中央配置周方向的直线主槽1，同时在该直线主槽1的两侧分别配列以多个弧状槽沿周方向连续地重复的方式形成的弧状弯曲主槽3，进而在两胎肩区域分别配置槽宽比前述直线主槽1及弧状弯曲主槽3的任意一个都窄的周方向的辅助槽4。
充气轮胎

[发明专利]半导体基板的制造方法-CN200510056521.X无效
发明人：中村真嗣;石田昌宏;折田贤儿;今藤修;油利正昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-10-08 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
半导体制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体基板-CN200410063346.2无效
发明人：中村真嗣;石田昌宏;折田贤儿;今藤修;油利正昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-10-08 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
半导体装置

[发明专利]半导体晶片、半导体装置及其制造方法-CN03141115.0无效
发明人：上田哲三;石田昌宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-06-09 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种半导体晶片、半导体装置及其制造方法。本发明在由蓝宝石构成的基板(1)上面根据结晶生长成膜厚度约5μm的氮化镓半导体膜(2)。接着，从基板(1)的半导体膜(2)的相反侧面照射如波长355nm的YAG激光的第三高谐波光。根据该激光照射，在半导体膜(2)的与基板(1)的界面的附近区域激光被吸收，根据所吸收激光的发热，与基板(1)相接的氮化镓被热分解，在半导体膜(2)与基板(1)的界面形成含金属镓的析出层2a。根据本发明确实而大幅度减少形成于半导体膜(晶体取向附生膜)的单晶基板的弯曲。
半导体晶片装置及其制造方法

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