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[发明专利]半导体受光元件及其制造方法-CN201780094754.X有效
发明人：竹村亮太;石村荣太郎;山口晴央 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：n型半导体基板(1)之上的倍增层(2)含有Al原子。倍增层(2)之上的电场控制层(3)呈p型。电场控制层(3)包含高浓度区域(3H)和设置于高浓度区域(3H)的外侧且具有比高浓度区域(3H)的杂质浓度低的杂质浓度的低浓度区域(3L)。电场控制层(3)之上的光吸收层(4)具有比高浓度区域(3H)的杂质浓度低的杂质浓度。光吸收层(4)之上的窗层(5)具有比光吸收层(4)的带隙大的带隙，呈n型。受光区域(6)与窗层(5)的外缘(ED)分离地设置，受光区域(6)隔着窗层(5)以及光吸收层(4)与高浓度区域(3H)至少局部性地相对，呈p型。保护环区域(7)通过窗层(5)与受光区域(6)隔开，贯穿窗层(5)而到达光吸收层(4)内，该保护环区域呈p型。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光集成器件-CN201880089522.X有效
发明人：中村直干;石村荣太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：目的在于提供能够对光强度进行监视，不会对在光波导传播的光的光分布造成影响，不会使入射侧的光元件的特性恶化的半导体光集成器件。半导体光集成器件(200)为将传播光的第一光元件(61)、监视用光波导(62)、第二光元件(63)形成于相同的半导体基板(1)的半导体光集成器件，监视用光波导(62)与第一光元件(61)连接，第二光元件(63)与监视用光波导(62)连接。监视用光波导(62)具有光散射部(7)，该光散射部(7)构成为，组合了具有不同的模场直径的光波导，使光的一部分散射，对由光散射部(7)散射后的散射光进行受光的光检测器(65)设置于监视用光波导(62)的外周或半导体基板(1)的与光散射部(7)相反侧的背面。
半导体集成器件

[发明专利]半导体光集成元件-CN201880092469.9有效
发明人：松本启资;石村荣太郎;加治屋哲;西川智志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：半导体放大器和多个半导体激光器被单片集成于同一导电性的半导体基板，半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层通过第一电绝缘层及第二电绝缘层被电绝缘，该第一电绝缘层形成于半导体基板和多个半导体激光器的n侧包层之间，该第二电绝缘层形成于半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层之间，并且用于与多个半导体激光器的n侧包层电连接的n侧接触层设置于多个半导体激光器的n侧包层和所述第一电绝缘层之间，构成为n侧接触层和半导体放大器的p侧包层电连接。
半导体集成元件

[发明专利]半导体装置-CN201710507493.1有效
发明人：永尾龙介;笹畑圭史;石村荣太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：涉及被用作波长可变光源的半导体装置，目的是获得能够提高光电二极管的配置自由度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具备前端面、后端面及在该前端面和该后端面两侧配置的侧面；设置于该基板的多个半导体激光器；前方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的前方输出光进行合波，向该前端面输出；后方光合波器，其设置于该基板，对该多个半导体激光器的后方输出光进行合并，向该后端面输出；以及多个后方波导，其设置于该基板，与该后方光合波器的输出部连接，该多个后方波导包含：主波导，其配置于该输出部的中央部：及多个侧部波导，其配置于该主波导两侧，向该侧面弯曲，从该侧面以相对于该侧面倾斜的方式输出光。
半导体装置

[发明专利]雪崩光电二极管及其制造方法-CN201310168139.2无效
发明人：竹村亮太;石村荣太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及雪崩光电二极管及其制造方法。得到一种能改善高速响应性并且能减少特性的随时间变化的雪崩光电二极管。在n型InP衬底（1）上依次层叠有AlInAs雪崩倍增层（3）、p型AlInAs电场控制层（4）、未掺杂光吸收层（5）以及窗层（6）。在窗层（6）和未掺杂光吸收层（5）的一部分设置有p型区域（7）。使用碳作为p型AlInAs电场控制层（4）的掺杂物。使用Zn作为p型区域（7）的掺杂物。P型区域（7）的底面比未掺杂光吸收层（5）与窗层（6）的界面位于下方。
雪崩光电二极管及其制造方法

[发明专利]半导体感光元件-CN201310050035.1有效
发明人：笹畑圭史;石村荣太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明得到一种温度依赖性小、不需要在原子层等级的膜厚控制等并且灵敏度高的半导体感光元件。在n型InP衬底（1）上设置有至少具有光吸收层（4）的半导体层叠构造（2）。光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成。由于InGaAsBi的带隙小，所以得到高的感光灵敏度。此外，由于InGaAsBi的带隙相对于温度变化为固定，所以感光灵敏度的温度依赖性变小。此外，由于光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成，所以不需要在原子层等级的膜厚控制等。
半导体感光元件

[发明专利]光调制器-CN201110215013.7有效
发明人： 石村荣太郎;高木和久;松本启资;斎藤健 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种能够充分地扩大调制频带的光调制器。在半导体芯片（10）内设置有波导（12）。经由第一导线（18）将供电线（20）连接到行波型电极（14）的输入部（14a）。经由第二导线（22）以及终端线（24）将终端电阻（26）连接到行波型电极（14）的输出部（14b）。输出部（14b）和接地点之间的电容比输入部（14a）和接地点之间的电容大。
调制器

[发明专利]雪崩光电二极管-CN200910252308.4无效
发明人：柳生荣治;石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：在以往的雪崩光电二极管中，由于光吸收层为未掺杂型时，工作时的偏置电压高，而光吸收层仅微量掺杂时，其掺杂量难以控制，所以不能容易地制造。为此，本发明提供一种雪崩光电二极管，包括：第一导电类型的衬底；在衬底的主面上从衬底侧依次层叠设置的雪崩倍增层、光吸收层和窗层，窗层的一部分是第二导电类型区，光吸收层包括第一光吸收层和导电率比第一光吸收层高的第二光吸收层。
雪崩光电二极管

[发明专利]半导体受光元件-CN200910128969.6有效
发明人： 石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低量子效率的波长依赖性的半导体受光元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)的下表面上，从n型InP衬底(10)侧起依次形成有n型第一多层反射层(12)、n型第一光谐振层(14)、n型第二多层反射层(16)、i型InGaAs光吸收层(18)、和阳极电极(22)(反射膜)。在n型InP衬底(10)的上表面上形成有反射防止膜(26)。第一光谐振层(14)比构成第一、第二的多层反射层(12、16)的各半导体层厚，在将在第二多层反射层(16)和阳极电极(22)之间具有的膜的光学膜厚作为第一光学膜厚Lopt1，将第一光谐振层(14)的光学膜厚作为第二光学膜厚Lopt2时，Lopt1和Lopt2不同。
半导体元件

[发明专利]光半导体装置-CN200910128112.4有效
发明人：中路雅晴;石村荣太郎;柳生荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明得到元件特性偏差少、量子效率高的光半导体装置。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上依次形成n型DBR层(12)(第一导电型的分布布拉格反射层)、n型InP应变缓冲层(14)(第一导电型的应变缓冲层)、低载流子浓度的i-InGaAs光吸收层(16)(光吸收层)以及p型InP窗层(18)(第二导电型的半导体层)。n型InP应变缓冲层(14)由与n型InP衬底(10)相同的材料构成。形成于n型DBR层(12)与i-InGaAs光吸收层(16)之间的层的总光学长度为入射光的波长λ的半波整数倍。
半导体装置

[发明专利]光半导体装置-CN200910008169.0有效
发明人： 石村荣太郎;中路雅晴;柳生荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供光半导体装置，其响应的线性良好，量子效率高。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上，依次形成有n型DBR层(12)(第一导电型的分布布喇铬反射层)、低载流子浓度的i-InGaAs光吸收层(14)(光吸收层)、和p型InP窗口层(16)(第二导电型的半导体层)。在n型DBR层(12)中交替地层叠有折射率低的n型InP层(12a)(第一半导体层)和折射率高的n型InGaAs层(12b)(第二半导体层)。在n型InP层(12a)中，带隙波长大于入射光的波长λ，不吸收入射光。另一方面，在n型InGaAs层(12b)中，带隙波长小于入射光的波长λ，吸收入射光。n型InP层(12a)的光学层厚度大于n型InGaAs层(12b)的光学层厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体受光元件-CN200810149949.2有效
发明人： 石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体受光元件。得到制造容易、受光灵敏性较高且不从外部施加偏置电压就能够高速动作的半导体受光元件。在n型InP衬底(11)(第一导电型的半导体衬底)上依次形成有InGaAs光吸收层(12)(第一光吸收层)、P型InP层(13)(第一个第二导电型半导体层)、n型InP层(14)(第一个第一导电型半导体层)、InGaAs光吸收层(15)(第二光吸收层)及p型区域(17)(第二个第二导电型半导体层)。阳极电极(18)(第一电极)与P型区域(17)连接，阴极电极(19)(第二电极)与n型InP衬底(11)连接。金属电极(23)(第三电极)将n型InP层(14)和p型InP层(13)电连接。阳极电极(18)、阴极电极(19)及金属电极(23)分别电独立。金属电极(23)形成在受光区域的外侧。
半导体元件

[发明专利]半导体受光元件-CN200810160917.2有效
发明人： 石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种能够提高波长稳定性的半导体受光元件。n型InP衬底(11)(半导体衬底)具有彼此对置的下表面(第一主面)和上表面(第二主面)。在n型InP衬底11的下表面从n型InP衬底(11)侧依次形成的n型多层反射层(12)(第一反射层)、吸收层(13)、p型相位调整层(14)和阳极电极(15)(第二反射层)。在n型InP衬底(11)的上表面上形成的防反射膜(17)。n型多层反射层(12)是层叠了折射率不同的半导体层的多层反射层。吸收层(13)的带隙比n型InP衬底(11)小。p型相位调整层(14)的带隙比吸收层(13)大。n型多层反射层(12)和吸收层(13)不通过其他层地接触。
半导体元件

[发明专利]雪崩光电二极管-CN200810188598.6有效
发明人：柳生荣治;石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供能够提高量产性的雪崩光电二极管。在InP衬底上作为半导体层而至少依次层叠光吸收层、雪崩倍增层和半导体窗口层，在上述半导体窗口层中形成扩散了Zn的导电区域；在上述半导体窗口层中，上述导电区域周边具有p型周边区域；上述p型周边区域与上述导电区域的外围离开；上述导电区域的端部向上述p型周边区域突出。
雪崩光电二极管

[发明专利]光半导体装置-CN200810005763.X有效
发明人： 石村荣太郎;田中芳和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：得到一种能够提高耐湿性的光半导体装置。在n型InP衬底(11)上依次层叠n型InGaAs光吸收层(12)、作为窗层和倍增层的n型InP层(13)(第一导电型半导体层)。选择性地进行杂质扩散或者离子注入，由此，在n型InP层(13)的上表面的一部分上形成p型InP区域(14)(第二导电型半导体区域)。n型InP层(13)以及p型InP区域(14)的上表面被表面保护膜(15)覆盖。在n型InP衬底(11)的下表面连接阴极电极(16)(第一电极)。在p型InP区域(14)的上表面连接环状的阳极电极(17)(第二电极)。以包围阳极电极(17)的方式，配置低电压电极(19)。对该低电压电极(19)施加比阴极电极(16)低的电压。
半导体装置

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