专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]自动涨缩收线轮盘-CN201320380113.X有效
  • 赵成;石倩;于笛;范晔平 - 上海广为电器工具有限公司;上海广为美线电源电器有限公司;上海广为拓浦电源有限公司
  • 2013-06-28 - 2014-01-29 - B65H75/22
  • 本实用新型涉及一种自动涨缩收线轮盘,其中通过联轴器向该固定轮盘传递能够带动其转动的外部旋转动力;中心轴的第一端连接至固定轮盘;所述中心轴的第二端穿过活动轮盘后,将所述锁紧螺母旋紧在中心轴的第二端上,以形成所述中心轴与活动轮盘之间可拆卸的连接,以便于使各个所述绕线柱的第二端能够插入到所述活动轮盘上开设的环形槽中或从其中脱出;各个所述绕线柱的第一端连接至固定轮盘,以使所述绕线柱能随固定轮盘的转动而绕中心轴转动,进而将电线等绕在处于涨开状态的绕线柱上;绕好的线卷则通过自身张力从处于收缩状态的绕线柱上卸下。本实用新型结构简单,有效提高绕线时的工作效率。
  • 自动收线轮盘
  • [发明专利]一种橄榄种子处理剂-CN201210099673.8无效
  • 石倩 - 石倩
  • 2012-04-06 - 2013-10-23 - A01N57/20
  • 本发明公开一种橄榄种子处理剂,涉及一种坚硬种子的处理方法,属于农业技术领域。其特征在于:其原料组分为:IBA、糖、琼脂、乙烯利、丙二醇、玉米素、木质素磺酸钠、吲哚乙酸、谷氨酸锌、甘氨酸、维生素E、维生素D、柠檬酸,余量为水以上为重量比,pH调节至5.4~5.6。其有益效果在于:微波发生器激活种子胚胎细胞的生长机制,辅以含有IBA、糖、赤霉素、萘乙酸、玉米素、吲哚乙酸、谷氨酸钠、甘氨酸、维生素E、维生素D、柠檬酸等的培养基提高种子发芽率,提高作物产量,植物调节剂,增强作物的防倒伏能力,制备工艺简单且易于操作,制备成本低。
  • 一种橄榄种子处理
  • [实用新型]一种用于矫正坐姿的课桌-CN201220588996.9有效
  • 石倩 - 上海市格致初级中学
  • 2012-11-09 - 2013-09-04 - A47B39/00
  • 本实用新型涉及一种桌子,尤其涉及一种用于矫正坐姿的课桌,包括课桌和课椅,课桌的前面两个桌腿底端通过一金属杆相连,金属杆设置有与金属杆相垂直的两个金属滑套;课椅左右两侧的桌腿底端设置有一滑座,滑座可插入金属滑套并可在金属滑套内滑动。本实用新型简单实用,可有效地规范青少年的坐姿,有利于骨骼的健康发育和成长,便于携带,实用性强。
  • 一种用于矫正坐姿课桌
  • [发明专利]一种LED散热基板及其制造方法-CN201310140041.6有效
  • 韦春贝;代明江;候惠君;林松盛;胡芳;石倩;赵利;曾威 - 广州有色金属研究院
  • 2013-04-22 - 2013-08-14 - H01L33/48
  • 一种LED散热基板及其制造方法,包括由金刚石-铜合金材料制成的基板主体,在基板主体上开设有凹槽,在凹槽内镶嵌有金刚石片,在金刚石片的上表面设有电极导线区和用于连接LED芯片的芯片连接层。本发明由于采用了将金刚石片与金刚石-铜合金材料制成的基板主体结合成LED散热基板的结构,有效地避免了现有的LED散热器因引入绝缘层而存在的散热瓶颈的问题,而且将金刚石片紧密地镶嵌在基板主体上开设的凹槽内,增加了金刚石片与基板主体的接触面积,使LED芯片传到金刚石片上的热量能快速地传导出去,同时金刚石片与基板主体、LED芯片与金刚石片分别通过钎焊的方式连接为一体,能够获得致密的合金界面,使界面的热导率高。
  • 一种led散热及其制造方法
  • [发明专利]一种ZnO透明导电膜层的制备方法-CN201210443951.7无效
  • 石倩;周克崧;代明江;林松盛;侯惠君;韦春贝;胡芳 - 广州有色金属研究院
  • 2012-11-08 - 2013-03-13 - C23C14/08
  • 一种ZnO透明导电膜层的制备方法。由以下步骤组成:(1)衬底除油、清洗、烘干后放入真空室中,本底真空度<4.0×10-3Pa,工作温度为室温,气压0.2~0.6Pa,离子源200~400W和偏压200~800V下,用氩离子轰击清洗衬底5~20min;(2)Ga2O3和ZnF2掺杂的ZnO作为靶材,氩气流量50-250sccm,氩气压为0.1~1.0Pa,衬底温度为室温,中频靶功率为2~20W/cm2,沉积时间5~20min,中频磁控溅射沉积Ga-F双掺杂ZnO(GFZO)膜层。本发明所沉积的GFZO膜层晶粒大小均匀、组织致密,可见光透过率高达90%,电阻率低至6.4×10-4Ω·cm。本发明的方法清洁环保,对人体无害,工艺简单,可以实现大面积工业化生产。
  • 一种zno透明导电制备方法

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