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[发明专利]一种磁存储单元及磁存储器件-CN202210279340.7在审
发明人： 石以诺;张文彪;迟克群;李州;孟皓 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储单元及磁存储器件，该磁存储单元包括：依次层叠设置的第一自由层、第一耦合层、第二自由层、势垒层和参考层。其中，磁存储单元的逻辑存储状态根据磁存储单元两端的电阻状态确定；且通过向磁存储单元两端施加电压脉冲宽度超过脉冲宽度阈值，使磁存储单元两端的电阻状态发生单极性切换。本申请采用脉冲电压驱动磁存储单元翻转，具有功耗低、存储密度高的优点，无需精确控制电压脉冲的脉冲宽度，降低脉冲宽度控制难度。
一种存储单元磁存储器

[发明专利]一种存算器件、计数器、移位累加器和存内乘加结构-CN202210279290.2在审
发明人： 石以诺;张文彪;迟克群;李州;孟皓 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明提供了一种存算器件、计数器、移位累加器和存内乘加结构，该存算器件通过采用包含有磁性轨道层和磁性记录层组成存算器件，利用磁性记录层区域中是否存在斯格明子，而导致磁性轨道层与磁性记录层组成的磁性隧道结阻态大小不同的特性，实现存储。相比现有技术中通过翻转自由层的磁化方向方式，本申请所公开的存算器件，基于磁性斯格明子的纯自旋电子体系，具有自旋电子器件高速、低功耗的特点，同时存算器件的物理尺寸小，可以实现较高的存储密度。
一种器件计数器移位累加器存内乘加结构

[发明专利]SOT-MRAM存储单元及其制备方法-CN202210168985.3在审
发明人：迟克群;孟皓;刘波;石以诺;张文彪;李州;冯向;张龙龙 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，SOT‑MRAM存储单元包括：SOT电极层，用于产生自旋轨道矩效应；插入层，覆盖于SOT电极层表面；磁性隧道结，位于插入层上；其中插入层用于在形成磁性隧道结的刻蚀过程中，保护SOT电极层不受损伤。
sot mram 存储单元及其制备方法

[发明专利]差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器-CN202111196395.3在审
发明人：李州;石以诺;孟皓;冯向 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种差分存储单元和多阻态存储单元，均包括：自旋轨道矩产生层和两个磁性隧道结，两个磁性隧道结保持一定间隔地并列设置于自旋轨道矩产生层的同一侧表面，两个磁性隧道结的截面形状均为优弧弓形，且优弧弓形的弦的方向保持平行，其中每个磁性隧道结均包括自由层、势垒层和参考层，自由层靠近自旋轨道矩产生层，自由层和参考层均为垂直磁化。通过改变自旋轨道矩产生层中写电流的方向，可以分别实现差分存储和多阻态存储。
存储单元多阻态磁性存储器

[发明专利]多阻态磁性存储单元及磁性存储器-CN202111200632.9在审
发明人：李州;孟皓;迟克群;石以诺 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种多阻态磁性存储单元及磁性存储器。该多阻态磁性存储单元包括：分开设置的两个自旋轨道矩产生层，在每个自旋轨道矩产生层上分别有一个磁性隧道结，两个磁性隧道结各自的自由层靠近对应的自旋轨道矩产生层，并在参考层侧通过可导电的连接层进行连接。从第一自旋轨道矩产生层和第二自旋轨道矩产生层分别引出一个端口。本发明的多阻态磁性存储单元为双端口结构，利用STT结合SOT，实现多态存储。
多阻态磁性存储单元存储器

[发明专利]一种磁存储器件及其写入方法、逻辑器件-CN202010583721.5有效
发明人： 石以诺;迟克群;李州;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器件及其写入方法、逻辑器件，该磁存储器件包括重金属层以及磁隧道结，磁隧道结包括层叠在重金属层上的自由层、层叠在自由层上的磁道阻挡层、以及层叠在磁道阻挡层上的参考层，且自由层与参考层通过磁道阻挡层相隔开。磁隧道结上与重金属层平行的截面为非圆截面，重金属层与自由层的相互作用为SOT效应及DMI耦合效应。通过使重金属层与自由层之间的界面的相互作用为SOT效应及DMI耦合效应，在应用时，向重金属层通电流值为设定范围内的电流时，由于截面为非圆截面的磁隧道结的形状各向异性，其破坏了电流和磁化的对称性，激励自由层进行磁极性翻转，实现磁隧道结的极性翻转。
一种磁存储器及其写入方法逻辑器件

[发明专利]电压调控的SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器-CN202111077321.8在审
发明人：迟克群;石以诺;孟皓;张文彪;李州;冯向 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N59/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调控的SOT‑MRAM存储单元及SOT‑MRAM存储器，该SOT‑MRAM存储单元包括：自旋轨道矩产生层、顶部电极以及位于自旋轨道矩产生层和顶部电极之间的磁性隧道结，该磁性隧道结包括：自由层，位于自旋轨道矩产生层上，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上的势垒层；位于势垒层上的参考层，具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上的间隔层；位于间隔层上的偏置层，具有与参考层磁化方向相反的磁化，用于对自由层产生一个偏置场，其中偏置层的饱和磁化强度高于参考层的饱和磁化强度；位于偏置层上的调节层，用于当顶部电极和自旋轨道矩产生层之间施加跨磁性隧道结的电压时，利用VCMA效应改变偏置层的磁各向异性。
电压调控 sot mram 存储单元存储器

[发明专利]电压调控的磁性存储单元及磁性存储器-CN202111029362.X在审
发明人：张文彪;石以诺;孟皓;迟克群;冯向;李州 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调控的磁性存储单元及磁性存储器。该磁性存储单元包括：底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结，磁性隧道结包括：位于底电极上方的参考层，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上方的势垒层；位于势垒层上方的自由层，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上方的磁性偏置层，磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化，与自由层具有层间交换耦合；位于自由层和磁性偏置层之间的调节层，用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。
电压调控磁性存储单元存储器

[发明专利]磁性存储单元及磁性存储器-CN202110854299.7在审
发明人： 石以诺;迟克群;李州;张文彪;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储单元，包括：磁性隧道结、有磁性的自旋轨道矩效应层及连接层，磁性隧道结自由层垂直磁化，自旋轨道矩效应层靠近自由层设置，并具有形状各向异性，通过形状各向异性与自由层形成静磁耦合，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向相同，当自旋轨道矩效应层中通过电流时，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向同步翻转；连接层设置于自由层和自旋轨道矩效应层之间。
磁性存储单元存储器

[发明专利]一种磁性存储器及电子设备-CN202110667674.7在审
发明人： 石以诺;迟克群;李州;冯向;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性存储器，从上至下依次包括磁性自旋阀、耦合层及磁性隧道结；所述磁性自旋阀从上至下依次包括自旋参考层、非磁性间隔层及自旋自由层；所述磁性隧道结从上至下依次包括隧道自由层、势垒层及隧道参考层；所述磁性隧道结通过所述耦合层与所述磁性自旋阀磁耦合。本发明的磁性自旋阀为所述磁性存储器提供了额外的自旋转移矩，大大提高了STT效率，使用较小的电流即可驱动所述磁性存储器发生翻转，进而显著降低了所述磁性存储器的功耗，此外，磁性自旋阀对器件整体的隧道磁阻的影响较小，使器件仍能维持高隧道磁阻。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的电子设备。
一种磁性存储器电子设备

[发明专利]存算一体的磁性存储单元-CN202110284592.4在审
发明人： 石以诺;迟克群;李州;冯向;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种存算一体的磁性存储单元，包括：重金属层、位于重金属层表面的磁性隧道结以及磁性隧道结表面的电极，磁性隧道结包括：依次层叠设置的自由层、势垒层和参考层，所述自由层与所述重金属层相邻设置，所述重金属层与所述自由层之间的相互作用为自旋轨道矩及DMI效应；所述重金属层具有至少三个通电端口，包括两个输入端和一个控制端，两个所述输入端和所述控制端的状态共同决定所述重金属层电流方向，以进一步决定所述磁性隧道结的阻态信息。本发明能够充分利用SOT‑MRAM的物理特性进行存内计算。
一体磁性存储单元

[发明专利]自旋存储单元以及存储器-CN202011569976.2在审
发明人：迟克群;石以诺;李州;张文彪;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋存储单元，包括：自旋轨道矩提供层；第一偏置层，形成在所述自旋轨道矩提供层上；所述第一偏置层用于提供第一偏置磁场；第二偏置层，形成在所述第一偏置层上；所述第二偏置层用于提供第二偏置磁场；磁隧道结叠层结构，形成在所述第二偏置层上；所述磁隧道结叠层结构的自由层和参考层的磁化方向与所述第一偏置层和所述第二偏置层的磁化方向垂直。本发明能够通过第一偏置层的磁化方向的改变，使偏置磁场具有两种不同的状态，两种状态下的偏置磁场分别用于STT‑MRAM降低读写功耗和提高非易失性。
自旋存储单元以及存储器

[发明专利]磁性存储单元及磁性存储单元的存内计算方法-CN202011643846.9在审
发明人：李州;石以诺;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储单元及存内计算方法。所述磁性存储单元包括：自旋轨道矩提供层及其上方的磁性隧道结，与磁性隧道结同侧或不同侧的磁性偏置层，磁性隧道结上方的氧化层和顶电极，以及用于提供写入信号的四个端子，第一端子连接至自旋轨道矩提供层一端并配置为施加第一写入信号，第二端子连接至自旋轨道矩提供层另一端并配置为施加第二写入信号，第三端子连接至顶电极并配置为施加第三写入信号，第四端子连接至自旋轨道矩提供层底端并配置为连接开关器件后接地。本发明的磁性存储单元可实现存内计算。
磁性存储单元计算方法

[发明专利]磁隧道结叠层结构、存储器及神经网络计算装置-CN202011468695.8在审
发明人：李州;孟皓;迟克群;石以诺;张文彪 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结叠层结构，包括：由下向上依次层叠的自旋轨道矩提供层、第一自由层、耦合层、第二自由层、势垒层和参考层；其中，所述第一自由层和所述第二自由层的其中一个为面内磁化方式，另一个为垂直磁化方式；所述参考层的磁化方式与第二自由层的磁化方式相同。将第一自由层和第二自由层的磁化方式设置为不同的磁化方式，利用两者的组合，能够适应多种应用。
隧道结叠层结构存储器神经网络计算装置

[发明专利]磁性隧道结器件-CN202011257149.X在审
发明人：孟皓;石以诺;李州;迟克群 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件、存储器和集成电路，磁性隧道结器件包括：重金属层、在重金属层上方叠置的自由层、势垒层和参考层，设置于重金属层与自由层之间并与重金属层相邻设置的垂直强化层，垂直强化层的材料具有高垂直磁各向异性；以及设置于垂直强化层与自由层之间的第一耦合层。本发明的磁性隧道结器件，在较小尺寸下自由层依然具有高热稳定性。
磁性隧道器件

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