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[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法-CN201980007421.8有效
发明人：兼松大二;益子庆一郎;中井出;片山博贵 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能单电池(1)包括：具有受光面(10a)和背面(10b)的半导体基片(10)；在半导体基片(10)的背面(10b)上在第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻设置的n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)；和设置在n型半导体层(13n)和p型半导体层(12p)上的基底层(14)。基底层(14)包括：通过具有第一分离部(17a)和第二分离部(17b)的第一分离槽(17)被彼此分离的n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)；和将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开的第一桥部(18)。第一桥部(18)在n侧基底层(14n)和p侧基底层(14p)的在第一方向上的边界中的至少一处，将第一分离部(17a)和第二分离部(17b)分隔开。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池单元的制造方法-CN201680058003.8有效
发明人： 益子庆一郎;角村泰史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池单元的制造方法，其包括：在半导体基板(10)上形成导电性薄膜层(20)的第1工序；在导电性薄膜层(20)上形成绝缘膜(22)的第2工序；通过将绝缘膜(22)的一部分除去而形成导电性薄膜层露出部的第3工序；在导电性薄膜层露出部形成电镀覆膜(24)的第4工序；以及将不与电镀覆膜(24)重叠的区域的绝缘膜(22)和导电性薄膜层(20)除去的第5工序；其中，在第4工序中形成的电镀覆膜(24)以覆盖绝缘膜(22)的方式形成。
太阳能电池单元制造方法

[发明专利]太阳能电池单元的制造方法-CN201680017598.2有效
发明人： 益子庆一郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：太阳能电池单元的制造方法包括如下工序：在半导体层之上设置绝缘层(23)，其中，该半导体层被设置在半导体基板(10)的主面上的至少一部分；在绝缘层(23)之上设置掩模层(31)；利用激光照射来除去掩模层(31)的一部分而形成使绝缘层(23)露出的第一开口部(41)；利用蚀刻剂来除去在第一开口部(41)露出的绝缘层(23)而形成使半导体层露出的第二开口部。
太阳能电池单元制造方法

[发明专利]太阳能电池模块及太阳能电池模块的制造方法-CN201780079084.4在审
发明人： 益子庆一郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：太阳能电池模块(100)包括：在一主表面上设有n侧电极(14)及p侧电极(15)的第1太阳能电池单元(10a)；在一主表面上设有n侧电极(14)及p侧电极(15)第2太阳能电池单元(10b)；将第1太阳能电池单元(10a)的一主表面与第2太阳能电池单元(10b)的一主表面相连接的连接构件(20)；将第1太阳能电池单元(10a)的n侧电极(14)与连接构件(20)相连接的第1导电性粘接部(34)；将第2太阳能电池单元(10b)的p侧电极(15)与连接构件(20)相连接的第2导电性粘接部(35)；以及被设在连接构件(20)的表面上的第1导电性粘接部(34)与第2导电性粘接部(35)之间的位置，并被设为与第1太阳能电池单元(10a)及第2太阳能电池单元(10b)的至少一者分离的中间绝缘部(30)。
太阳能电池单元导电性连接构件粘接部主表面太阳能电池模块中间绝缘部制造

[发明专利]太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池-CN201811589712.6在审
发明人： 益子庆一郎;村上洋平;平野浩一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：太阳能单电池(1)的制造方法包括：在光电转换部(20)的背面上形成p型表面(20bp)和n型表面(20bn)的工序；在p型表面和n型表面上形成基底层(13)和导电层(14)的工序；在导电层的与分离槽(70)对应的区域上形成抗蚀剂膜(71)的工序；将形成了抗蚀剂膜(71)的导电层(14)作为种子层，通过电解镀依次形成n侧导电层(45)和p侧导电层(55)、含锡的n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的工序；在n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)上形成将n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的表面合金化的n侧金属层(47)和p侧金属层(57)的工序；和分别对导电层和基底层进行蚀刻的工序。
导电层单电池太阳能抗蚀剂膜基底层金属层蚀刻表面合金化光电转换部电解镀分离槽种子层制造背面

[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法-CN201780058948.4在审
发明人：藤田和范;益子庆一郎;矢野步 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：作为实施方式的一例的太阳能单电池(10)的制造方法包括：在晶体硅晶片(11z)的一个主面上形成钝化层(12z)的工序；在钝化层(12z)上形成实质上本征的i型硅层(13z)的工序；使n型掺杂剂在钝化层(12z)、i型硅层(13z)和晶体硅晶片(11z)热扩散，在该晶片的各主面及其附近形成n⁺层(20)，并使i型硅层(13z)成为n型晶体硅层(13)的工序；和在形成了n⁺层(20)的晶体硅晶片(11z)(n型晶体硅晶片(11))的另一个主面侧形成p型非晶硅层(17)的工序。
晶体硅晶片单电池钝化层硅层太阳能晶片主面热扩散本征制造

[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法-CN201780012714.6在审
发明人：藤田和范;藤嶋大介;角村泰史;田口干朗;益子庆一郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：作为实施方式的一例的太阳能单电池(10)包括：n型晶体硅晶片(11)；形成于n型晶体硅晶片(11)的受光面上的、以氧化硅、碳化硅或者氮化硅为主要成分的第1钝化层(12)；形成于第1钝化层(12)上的n型晶体硅层(13)；形成于n型晶体硅晶片(11)的背面上的第2钝化层(16)；和形成于第2钝化层(16)上的p型非晶硅层(17)。
钝化层单电池晶片太阳能氮化硅碳化硅氧化硅受光背面制造