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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202080102924.6在审
发明人：吉松直树;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：目的在于提供在将半导体装置螺钉紧固于被安装部件时能够抑制蠕变现象的产生且抑制半导体装置的制造成本上升的技术。半导体装置的制造方法具有工序(a)～工序(e)。在工序(a)中准备具有连结杆(5)、框体(4)、环部(6)和多个引线部(2)、(3)的引线框(1)。在工序(b)中制作组装体。在工序(c)中将组装体配置于型腔(23a)内。在工序(d)中，在销(22)被插入至环部(6)的孔(6a)，环部(6)的上表面与上模(20)的内表面抵接的状态下，向型腔(23a)内注入液态的模塑树脂(10)，使其固化而制作树脂成型体(100)。在工序(e)中，在从模塑模具(23)取出树脂成型体(100)后，将框体(4)、连结杆(5)及连接部(7)切断。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201680079943.5有效
发明人：村井亮司;爱甲光德;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本说明书所公开的技术涉及不使产品尺寸大型化，就能够提高半导体元件的散热性和引线电极的散热性的技术。本技术涉及的半导体装置具有：半导体元件(100)：作为外部端子的引线电极(102)，其一端的下表面与半导体元件(100)的上表面连接；冷却机构(109)，其配置于半导体元件(100)的下表面侧；以及散热机构，其热耦合地配置于引线电极(102)的相对于一端而言的另一端侧的下表面与冷却机构(109)之间，且包含至少1个绝缘层(104)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980097696.5在审
发明人：高山刚;白泽敬昭;爱甲光德 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：目的在于提供能够抑制半导体模块的表面处的凸出部分的高度的技术。半导体装置具有：半导体模块，其具有第1槽部；碟形弹簧，其在外表面具有凹部，在内表面具有凸部；以及螺钉，其穿过碟形弹簧的孔和半导体模块的第1槽部而将半导体模块与被安装体螺合。螺钉的头部被收容于碟形弹簧的凹部，碟形弹簧的凸部的至少一部分被收容于半导体模块的第1槽部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201880095124.9在审
发明人：木本信义;爱甲光德;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：目的在于半导体装置的寿命的均一化。半导体装置(101)具有：半导体元件(1)，其具有正面金属(11)；引线框(2)，其具有第1部分(21)；接合层(5)，其具有第1层(51)以及第2层(52)；以及焊料(31)，其比接合层厚。正面金属、第1部分分别以第1金属、第2金属为材料。第1层、第2层分别是第1金属与锡的合金、第2金属与锡的合金。接合层位于第1部分与正面金属之间。第1层、第2层分别位于正面金属侧、第1部分侧。在第1部分，多个孔避开正面金属的外轮廓而贯通。焊料位于多个孔的内部，与接合层相邻。多个孔包含将第1部分沿其厚度方向贯通的多个第1孔(211)。在与正面金属的外轮廓相比更靠内侧的环状区域(213)存在第1孔。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201580082001.8有效
发明人：村上贵彦;爱甲光德;白泽敬昭;辻夏树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置，其具有在进行树脂封装时，树脂难以侵入至嵌入电极与螺母之间的构造。本发明涉及的半导体装置具有：嵌入电极(102)，其具有供螺栓从外侧插入的嵌入孔(102a)；螺母(103)，其具有与螺栓螺合的螺孔，该螺母(103)以螺孔与嵌入孔(102a)连通的方式配置于嵌入电极(102)的内侧；至少1个半导体元件，其与嵌入电极(102a)电连接；以及树脂(104)，其对嵌入电极(102)的内侧、螺母(103)及至少1个半导体元件进行封装，在螺母(103)的与嵌入电极(102)抵接侧的抵接面(103a)的外周设置裙边(103b)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780097239.7在审
发明人：河面英夫;白泽敬昭;荒木慎太郎;木本信义;王丸武志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制尺寸公差的影响的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：多个冷却板(1)，它们各自在内部具有冷媒通路(11)；间隔件(5)，其使各冷却板(1)分离地层叠；半导体封装件(2)，其设置于至少1个冷却板(1)的至少1个主面之上；以及弹簧板(4)，其设置于相邻的冷却板(1)之间，将半导体封装件(2)向冷却板(1)侧预紧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法-CN201780088769.5在审
发明人：木本信义;爱甲光德;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：目的在于提供能够抑制工时的增加，且缓和在半导体元件的电极处的引线框的接合部的周缘部产生的应力的技术。半导体装置(30)具备：半导体元件(3)，其搭载于散热器(1)之上；引线框(6)，其经由作为接合材料的焊料(2b)而与半导体元件(3)的发射极电极(3a)接合；金属膜(4)，其形成于发射极电极(3a)的表面；以及防氧化膜(5)，其形成于金属膜(4)的表面。金属膜(4)的周缘部在整周均从防氧化膜(5)露出。
半导体元件金属膜发射极电极防氧化膜引线框周缘部散热器焊料半导体装置接合材料接合接合部电极整周缓和

[发明专利]半导体装置-CN201480080464.6有效
发明人：秦佑贵;荒木慎太郎;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体模块，其具有半导体元件、散热板以及树脂，该散热板与该半导体元件连接，在该散热板形成有散热板通孔，该树脂以露出该散热板的下表面的方式将该半导体元件和该散热板覆盖；冷却器；第1绝缘脂，其设置于该散热板的下表面与该冷却器之间，将该散热板与该冷却器热连接；以及第2绝缘脂，其以与该第1绝缘脂连接的方式设置于该散热板通孔。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480072485.3有效
发明人：村井亮司;荒木慎太郎;白泽敬昭;冈本是英 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供下述构造的半导体装置，即，防止、抑制在半导体模块和冷却器之间的填充区域设置的脂状物部件的汲出。并且，在本发明中，在半导体模块(30)的散热材料(32)的底面即散热面、和冷却器(40)的表面之间的填充区域设置将脂状物作为构成材料的脂状物层(61)。并且，在冷却器(40)的表面之上形成密封材料(51)，该密封材料无间隙地覆盖脂状物层(61)的整个侧面区域。密封材料(51)使用液状硬化型密封剂作为构成材料。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201380078314.7有效
发明人：荒木慎太郎;爱甲光德;白泽敬昭;哈利德·哈桑·候赛因 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：具有：由导电体形成的第1基板；第1二极管，其具有第1阴极电极和第1阳极电极，该第1阴极电极与该第1基板电连接；由导电体形成的第2基板；第1开关元件，其具有第1发射极电极以及第1集电极电极，该第1集电极电极与该第2基板电连接；第2开关元件，其具有第2发射极电极以及第2集电极电极，该第2集电极电极与该第2基板电连接；第1端子，其与该第2基板电连接；第2端子，其与该第1阳极电极电连接；第3端子，其与该第1发射极电极、该第2发射极电极以及该第1基板电连接；以及模塑树脂，其使该第1端子、该第2端子以及该第3端子的一部分露出在外部，并将该第1二极管、该第1开关元件以及该第2开关元件覆盖。
电连接发射极电极集电极电极开关元件第2基板第1基板二极管阳极电极阴极电极导电体半导体装置模塑树脂外部覆盖

[发明专利]半导体装置、半导体系统-CN201280071575.1无效
发明人：宫本昇;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够容易地更换的半导体装置以及使用了该半导体装置的半导体系统。本发明的半导体装置具有：半导体芯片(2)；冷却器(4)，其对半导体芯片(2)进行冷却；框体(12)，其收纳半导体芯片(2)及冷却器(4)；封装树脂(11)，其将半导体芯片(2)及冷却器(4)封装在框体(12)内部；电极(10)，其与半导体芯片(2)连接；以及接合管(5)，其安装在冷却器(4)上，用于在与冷却器(4)之间导入/导出制冷剂流。电极(10)和接合管(5)从框体(12)的同一个面向大致相同的方向凸出地形成。
半导体装置系统

[发明专利]树脂密封型半导体装置及其制造方法-CN201210036267.7有效
发明人：上田哲也;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供实现重叠配置元件且散热性较高的树脂密封型半导体的树脂密封型半导体装置及其制造方法。具备：第一半导体开关元件，在表面接合有第一发射极端子，在背面接合有第一集电极端子；第二半导体开关元件，在表面接合有第二发射极端子，在背面接合有第二集电极端子；第一散热板，与该第一集电极端子接合；第二散热板，与该第二集电极端子接合；整体地覆盖该第一半导体开关元件和该第二半导体开关元件的模塑树脂。并且，该第一散热板、该第二散热板从该模塑树脂露出，该第一发射极端子和该第二发射极端子相对并且分离。
树脂密封半导体装置及其制造方法

[发明专利]树脂密封型半导体装置及其制造方法-CN201110079981.X有效
发明人：上田哲也;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供实现重叠配置元件且散热性较高的树脂密封型半导体的树脂密封型半导体装置及其制造方法。具备：第一半导体开关元件，在表面接合有第一发射极端子，在背面接合有第一集电极端子；第二半导体开关元件，在表面接合有第二发射极端子，在背面接合有第二集电极端子；第一散热板，与该第一集电极端子接合；第二散热板，与该第二集电极端子接合；整体地覆盖该第一半导体开关元件和该第二半导体开关元件的模塑树脂。并且，该第一散热板、该第二散热板从该模塑树脂露出，该第一发射极端子和该第二发射极端子相对并且分离。
树脂密封半导体装置及其制造方法

[发明专利]树脂密封型半导体装置及其制造方法-CN200910006437.5有效
发明人：上田哲也;白泽敬昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供实现重叠配置元件且散热性较高的树脂密封型半导体的树脂密封型半导体装置及其制造方法。具备：第一半导体开关元件，在表面接合有第一发射极端子，在背面接合有第一集电极端子；第二半导体开关元件，在表面接合有第二发射极端子，在背面接合有第二集电极端子；第一散热板，与该第一集电极端子接合；第二散热板，与该第二集电极端子接合；整体地覆盖该第一半导体开关元件和该第二半导体开关元件的模塑树脂。并且，该第一散热板、该第二散热板从该模塑树脂露出，该第一发射极端子和该第二发射极端子相对并且分离。
树脂密封半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率半导体装置-CN03107322.0有效
发明人： 白泽敬昭;高武靖夫;高山刚;辻夏树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种没有用导线进行的连接的功率半导体装置。IGBT121及二极管131接合在第一端子构件111的元件配置部分111a上，第二端子构件112的元件配置部分112a接合在IGBT121及二极管131上。另外，IGBT122及二极管132接合在第二端子构件112的元件配置部分112a上，第三端子构件113的元件配置部分113a接合在IGBT122及二极管132上。形成传送模外壳141，以便收容元件121、122、31、132。端子构件111、112、113的外部连接部分111b、112b、113b被引出到外壳141以外。第一及/或第三端子构件111、113的元件配置部分111a、113a从外壳露出。
功率半导体装置

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