“白枭龙”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果81个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种石英坩埚制备方法-CN201910959337.8有效
发明人：杨俊;张涛;白枭龙;汪沛渊;何丽珠;刘礼猛;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英坩埚制备方法，由于液位线处的硅溶液与坩埚壁反应剧烈，通过相对加厚液位线处透明层的厚度，减少了透明层在硅熔液长时期处于高温区时，被腐蚀破损的可能，避免了硅溶液进入气泡层，避免了气泡层的杂质进入硅溶液之中，使得拉晶过程中的晶棒整棒率提升，品质提升，降低了单晶制备成本。
一种石英坩埚制备方法

[发明专利]拉晶方法-CN202310790173.7在审
发明人：万雪健;尚伟泽;白枭龙;欧子杨 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及晶体生长领域，提供一种拉晶方法，包括：依次由熔接步骤、引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤和收尾步骤组成的拉晶过程，在拉晶过程的每一步骤中炉压均小于等于500Pa，且抽气速率均大于等于1000m3/h。本申请实施例提供的拉晶方法至少有利于降低晶体中的氧含量。
方法

[发明专利]单晶硅制备设备及其冷却方法-CN202110625936.3有效
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种单晶硅制备设备及其冷却方法，其中，该设备包括单晶炉和冷却装置，单晶炉内设置有加热装置和第一保温结构，第一保温结构位于加热装置的上方；冷却装置包括顶升机构和出气管，出气管上设有出气孔，出气管可移动地进入或抽离单晶炉；当出气管进入单晶炉时，出气管与第一保温结构相连，出气管通过顶升机构抬升第一保温结构以使第一保温结构与加热装置之间的距离增大，并通过出气孔输出惰性气体以对单晶炉降温。本申请通过设置冷却装置，可以通过出气管带动第一保温结构同步上升，以增大第一保温结构与加热装置之间的距离，使惰性气体能够通过出气管的出气孔吹向至加热装置与第一保温结构之间的区域以及单晶炉的内壁，实现快速降温。
单晶硅制备设备及其冷却方法

[发明专利]一种单晶拉晶方法以及单晶拉晶设备-CN202210629430.4在审
发明人：赵磊;白枭龙 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶拉晶方法以及单晶拉晶设备，方法包括以下步骤：在第一阶段，利用摄像装置获取籽晶轴以及热屏罩下沿的像素图像，利用图像处理装置根据热屏罩下沿的像素图像拟合一参考圆，参考圆具有一沿第二方向延伸的参考线，参考圆的圆心落于参考线上，当籽晶轴下降时，籽晶轴的像素图像逐步靠近参考线；当籽晶轴的像素图像的底边与参考线相交时，籽晶轴的底面与热屏罩下沿平齐。与现有技术相比，本发明以热屏罩下沿位置作为标定，利用摄像装置以及图像处理装置来对籽晶轴位置进行定位，使得籽晶轴的底端与热屏罩下沿平齐，接着下降籽晶轴一个固定高度，实现了籽晶轴准确下降熔接，避免了籽晶轴位置偏差大导致的熔接异常问题。
一种单晶拉晶方法以及设备

[发明专利]单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质-CN202110221238.7有效
发明人：杨俊;万雪健;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种单晶硅制造的方法，应用于直拉法，该方法包括：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径；根据放肩角度、放肩工序中起始的直径以及晶体的平均拉速，生成放肩角度对应的触发直径阈值；检测所述放肩直径是否达到与所述放肩角度对应的触发直径阈值，若检测到所述放肩直径达到所述触发直径阈值，则触发执行转肩工序。本发明实施例解决了转肩工序结束后单晶硅的直径与目标直径误差大的问题以及单晶硅的制造效率低的问题。
单晶硅制造方法电子设备存储介质

[发明专利]硅片标识的识别方法、硅片打标方法以及硅片-CN202011062986.7有效
发明人：欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅片标识的识别方法，包括：通过距离感应装置扫描硅片的标识区域，得到表征硅片标识的起伏结构特征的距离信息，其中，起伏结构为硅片表面的凹陷和/或凸起；将距离信息反馈给处理模块，以使处理模块根据距离信息识别硅片标识。本发明实施例还提供一种硅片打标方法以及硅片。本发明实施例提供的硅片标识的识别方法、硅片打标方法以及硅片，解决了流水线造价昂贵、成本较高的问题。
硅片标识识别方法以及

[发明专利]单晶炉的炉外辅助装置、单晶炉及炉外辅助装置使用方法-CN202111567150.7在审
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种单晶炉的炉外辅助装置、单晶炉及炉外辅助装置使用方法。该单晶炉的炉外辅助装置，包括：定位杆，所述定位杆用于在单晶炉加料口的高度范围内架设位于单晶炉内的保温筒；设置于所述定位杆的顶端的导向部，所述导向部与所述定位杆相交设置，所述导向部用于架设所述保温筒的开口方向与所述加料口的开口方向一致；设置于所述定位杆的底端的卡紧部，所述卡紧部与所述定位杆相交设置，所述卡紧部用于将定位杆与单晶炉连接。至少有利于解决减少保温筒的开口与加料口对中所用时间的问题。
单晶炉辅助装置使用方法

[发明专利]单晶硅制备方法及装置-CN202110396723.8有效
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供单晶硅制备方法及装置，其中，单晶硅制备装置至少包括单晶炉、坩埚、加热器、导流筒、晶体提拉装置及热盖板；坩埚用于收容硅原料，在加热器的作用下所述硅原料熔化形成硅熔体；热盖板可拆卸连接在晶体提拉装置上，热盖板包括沿周向依次间隔设置的多个扇叶，多个扇叶沿水平方向倾斜设置；晶体提拉装置用于带动热盖板向靠近导流筒下端开口处移动，并带动热盖板旋转。本申请的单晶硅制备方法及装置，能够抑制热量散失，显著提高熔料效率；有效压制硅熔体中的挥发物从顶部挥发，改善单晶硅的拉晶环境，提升单晶硅品质。
单晶硅制备方法装置

[发明专利]提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置-CN202110347711.6有效
发明人：郑来奇;欧子杨;白枭龙;尚伟泽;杨俊 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，提供一种提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，其中，方法包括以下步骤：在拉制成型的单晶硅取出单晶炉之后，且在复投硅料之前，通过晶体提拉装置将复投钡粉装置下降至坩埚内的硅液面上方，使得复投钡粉装置的出粉口与坩埚底部的圆角处相对；控制晶体提拉装置的转速达到预设值，在保护气体的作用下将放置于复投钡粉装置内的钡粉吹向坩埚底部圆角处。本申请提出提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，能够降低连续拉制单晶硅过程中坩埚的腐蚀程度，提高坩埚使用寿命，提升复投单晶硅品质。
提高单晶硅成晶率方法制备装置

[发明专利]晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质-CN202110235676.9有效
发明人：万雪健;杨俊;白枭龙 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种晶体硅的制备方法，包括：获取关系模型，其中，所述关系模型的变量因子包括晶体的重量、晶体的长度、垂直于晶体提拉方向的截面的直径；获取晶体生长过程中的收尾工序中多个时刻下的晶体的重量和晶体的长度；其中，对于所述多个时刻中的每一时刻，基于晶体的当前重量、晶体的当前长度以及所述关系模型，计算晶体的当前直径；检测所述晶体的当前直径是否达到预设阈值；若检测到所述晶体的当前直径达到预设阈值，结束所述收尾工序。本发明实施例有利于对收尾过程中晶体的状态进行准确的估计，从而稳定、准确且高效地完成收尾工序。
晶体制备方法装置电子设备存储介质

[发明专利]用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺-CN202110220696.9有效
发明人：杨俊;何丽珠;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于晶体生长装置的加料设备、晶体生长装置及加料工艺，其中，该加料设备包括本体和开合机构，本体由下至上包括至少两层的腔室，开合机构设置于相邻两层腔室之间，相邻两层腔室通过开合机构导通或分隔；本体上设置有出料口和进料口，出料口与位于底层的腔室连通，进料口与位于顶层的腔室连通。本申请通过在加料设备中设置至少两层的腔室，可以使该加料设备能够单独进行备料、抽真空及充入保护气的操作，而不会占用工艺用时，同时可以实现在晶棒冷却过程中对单晶炉进行加料，由此缩短了晶棒制备工艺的整体时长，提升了生产效率。
用于晶体生长装置加料设备工艺

[发明专利]氢、磷、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池-CN202010967786.X有效
发明人：肖贵云;白枭龙;尚伟泽;何丽珠 -专利权人：新疆晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，本申请提供氢、磷、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池，所述氢、磷、氮掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×105～1×1016atoms/cm3，磷掺杂浓度为1×1015～5×1017atoms/cm3，氮掺杂浓度为0.1×1012～1×1016atoms/cm3；所述氢、磷、氮掺杂单晶硅的电阻率为0.1～10Ω·cm。本申请的氢、磷、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池，可以有效提升单晶硅中的少子寿命，有利于提升电池钝化效果，提升硅片机械强度，提高太阳能电池的转换效率。
掺杂单晶硅及其制备方法太阳能电池

[实用新型]一种防掉棒装置及单晶炉-CN202222928561.0有效
发明人：刘怀玉;欧子杨;尚伟泽;白枭龙 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种防掉棒装置及单晶炉，涉及光伏技术领域，所述防掉棒装置用于防止上提拉机构所夹持的晶棒掉落，上提拉机构用于夹持并提拉晶棒，防掉棒装置包括：重量监测装置，设于上提拉机构上，用于实时监测晶棒的重量；位置检测装置，用于检测晶棒在提拉过程中所处的位置；夹持机构，夹持机构与重量监测装置及位置检测装置均电连接，夹持机构位于晶棒周围，具有防护状态和夹持状态，当位置检测装置检测到晶棒处于预设位置时，夹持机构处于防护状态；当重量监测状态监测到的晶棒的重量减小时，夹持机构处于夹持状态。有效防止了晶棒在拉晶过程中掉落，避免了对单晶炉及整个热系统造成损坏，同时避免了安全事故的发生。
一种防掉棒装置单晶炉

[发明专利]一种隔热装置、单晶炉、以及单晶炉的使用方法-CN202110626191.2在审
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能单晶硅制造技术领域，特别涉及一种隔热装置，应用在设有悬挂杆、导流筒以及坩埚的单晶炉中，包括：保温盒以及连接件；所述保温盒用于设置保温材料；所述连接件与所述保温盒连接以将所述保温盒悬挂在预定位置，且所述连接件还用于与悬挂杆连接，以使所述保温盒处于导流筒的下沿、且使所述保温盒底部与所述坩埚中硅液的液面之间的距离为50～200mm。本申请实施例还提供一种单晶炉及其使用方法。本申请实施例提供的隔热装置、单晶炉、以及单晶炉的使用方法，可提升单晶炉的保温效果，进而提升单晶炉的熔硅效率。
一种隔热装置单晶炉以及使用方法

[实用新型]一种开方机上下料台-CN202221659947.X有效
发明人：苏腾;白枭龙;陈养俊;魏琤 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开方机上下料台，包括:基座，基座上形成有第一位置以及第二位置；夹持座，可移动的设于基座上；第一驱动件，用于驱动夹持座沿第一方向往复移动；第二驱动件，用于驱动硅棒从上料位置移动到位于第一位置处的基座上；第三驱动件，用于驱动硅棒从位于第二位置处的基座上移动到下料位置。与现有技术相比，本实用新型通过设置多个驱动件，第二驱动件驱动硅棒从上料位置移送到第一位置的基座，开方作业后，夹持座在第一位置处对硅棒进行夹持，第一驱动件驱动夹持座连通硅棒到达第二位置，夹持座释放硅棒，第三驱动件再驱动硅棒从基座上移送到下料位置，从而实现了硅棒的自动上下料，方便快捷，省时省力。
一种开方上下

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 81 条