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[发明专利]一种轴承高精度滚子倒角无磁磨削的方法及设备-CN202311123399.8在审
发明人：李庆;周志伟;闫继山;李培楠;宋志远;张随升;赵建清;白志阳;雷汝辉;董建军 -专利权人：洛阳LYC轴承有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种轴承高精度滚子倒角无磁磨削的方法及设备，滚子由进料道落入工位放置的V型支承上，伸缩杆将滚子顶料至加工位后，缩杆至设定位置进行限位，滚子倒角的磨削加工以外径V型支承定位；导轮对滚子有倾斜压力角，驱动滚子时产生轴向作用力，使滚子端面由球形硬质合金块定位。在外径方向上施加一个压轮，抵消滚子磨削倒角带来的翻转力；滚子采取水平45°进给方式，切入砂轮磨削一侧倒角R，完成后工件经提升旋转180°后再落入工位，磨削另一侧倒角R。该粒滚子下料后再加入另一工件，继续进行下一磨削循环。此方法具有无磁、自动化程度高、磨削精度高的特点，极大的节省了加工时间及成本。且此方法可以延伸至相似结构的如滚轴的倒角磨削。
一种轴承高精度滚子倒角磨削方法设备

[发明专利]一种适合多种材质的轴承钢球研磨方法-CN202310862434.1在审
发明人：李庆;闫继山;刘友国;周志伟;李凌霄;刘强;段喜川;杨雨峰;白志阳;赵建清;朱碧然 -专利权人：洛阳LYC轴承有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/025 文献下载
摘要：本发明提出一种适合多种材质的轴承钢球研磨方法，包括以下步骤：步骤S1、制备研磨料A；步骤S2、制备研磨料B；步骤S3、使用普通磨料加工钢球，至剩余0.01～0.03mm留量到钢球成品尺寸公差时，更换使用研磨料A进行钢球的研磨加工，至钢球成品尺寸公差范围的上限；步骤S4、根据钢球的光洁度要求，使用煤油清除研磨盘内70％～80％的研磨料A，再将研磨料B分1～5次加入研磨盘，与剩余研磨料A同时对钢球进行研磨加工；步骤S5、研磨加工至钢球达到公差范围。本发明提出的研磨料A与研磨料B组合使用的方案适用于多种材质及硬度的轴承钢球的研磨加工，对钢球产品无腐蚀性，可为钢球研磨工序提供较为统一的操作工艺，可提高钢球的研磨精度及外观质量，提高生产效率。
一种适合多种材质轴承钢研磨方法

[实用新型]一种测量调心滚子轴承轴向游隙的辅助装置-CN202120668868.4有效
发明人：闫继山;刘友国;李凌霄;段喜川;曲红利;刘强;徐卫东;王宗根;白志阳;赵建清;朱碧然 -专利权人：洛阳LYC轴承有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种测量调心滚子轴承轴向游隙的辅助装置，包括外引导套，所述外引导套中心为空腔结构；所述空腔的内径为上大下小的台阶内径，在空腔底部与外引导套内壁固定连接有垂直设置的心轴；所述心轴整体为上小下大的圆柱形凸台结构，在心轴的上部套设有被测轴承；所述被测轴承的上部通过心轴套设有垫圈；所述垫圈的上部压设有内螺纹压板；所述内螺纹压板的外侧套设有外螺纹压板，且外螺纹压板的底部压紧被测轴承的外圈端面。本实用新型在不改变轴承游隙测量的准确度前提下，不影响原仪器的测量，从而限定了该轴承的内圈的轴向移动，可快速准确的测量轴承的游隙；从而提高了测量效率，降低劳动强度。
一种测量滚子轴承轴向游隙辅助装置

[发明专利]金属-绝缘层-金属电容结构-CN201810211593.4有效
发明人：黄致凡;白志阳;萧远洋;萧琮介;陈蕙祺;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供金属‑绝缘层‑金属电容结构与其形成方法。金属‑绝缘层‑金属电容结构包括基板、底电极层、第一介电层、顶电极层、与第一介电间隔物。底电极层位于基板上。第一介电层位于底电极层上。顶电极层位于第一介电层上。第一介电间隔物位于底电极层其两侧的侧壁上。第一介电层具有第一介电常数。第一介电间隔物具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。
金属绝缘电容结构

[发明专利]一种在轴承外径连续激光标识的方法-CN202210519323.6在审
发明人：闫继山;于海波;刘友国;李凌霄;段喜川;曲红利;刘强;徐卫东;王宗根;白志阳;赵建清;朱碧然;文婧 -专利权人：洛阳LYC轴承有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本发明属于轴承制造技术领域，具体涉及一种在轴承外径连续激光标识的方法。一种在轴承外径连续激光标识的方法利用分度盘可数控无极旋转功能，将轴承通过芯轴固定在分度盘上，依托数控软件，同时控制激光刻字机和分度盘，在刻字的同时旋转分度盘，实现在轴承外径上批量标识的目的；此方法提高了加工效率，节省了加工时间及成本；且此方法不仅可以单个轴承标识，还可以多个轴承同时标识。
一种轴承外径连续激光标识方法

[实用新型]一种推力球轴承钢制薄壁实体保持架锁点压印装置-CN202121587870.5有效
发明人：闫继山;刘友国;李凌霄;段喜川;曲红利;刘强;徐卫东;喻胜堃;白志阳;赵建清;朱碧然 -专利权人：洛阳LYC轴承有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B44B5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种推力球轴承钢制薄壁实体保持架锁点压印装置，包括压印机、支撑板、垫板、定位套筒、弹簧销和冲头，所述的垫板整体为圆盘形结构，其上端面设有环形台阶槽，所述环形台阶槽的底面设有的均布的轴向通孔；所述的支撑板其上端面一侧设有上端开口的孔D，孔D内可拆卸的设有定位套筒，所述定位套筒的上端面低于垫板的下端面，在定位套筒内设有可竖向移动的弹簧销。本实用新型提供的垫板和弹簧销可在压印时对保持架形成有效定位，定位套筒的设计便于更换，具有一定的通用性，通过本装置，可在保持架端面上连续进行锁点压印，压印时保持架变形量小，加工一致性好，能极大的提高加工的效率和产品合格率。
一种推力球轴承钢制薄壁实体保持架锁点压印装置

[实用新型]一种防水板瓦条打孔定位器-CN202021617959.7有效
发明人：米星;刘建国;司书坚;朱巍;李伟;徐宏;王达;田伟;宋连亮;刘海军;张志;马连友;白志阳;王宇;李俊忠;金增华;李建涛;李国勇;王胜男 -专利权人：北京金鑫雅居工程技术有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B28D1/14 文献下载
摘要：一种防水板瓦条打孔定位器，有效的解决了挂瓦条调平、调直困难，打孔不能定位，提高施工效率的问题；包括定位标尺杆，定位标尺杆上端固定连接有上预制构件，上预制构件的上端设有与定位标尺杆平面垂直的上定位板，定位标尺杆的下端滑动套接有下预制构件，下预制构件的下端设有与定位标尺杆平面垂直的下定位板，定位标尺杆上固定有位于靠近上预制构件的把手，把手与上预制构件之间套接有弹力固定件，弹力固定件与把手之间设有弹簧，弹力固定件上设有位于定位标尺杆下方的固定钮，上预制构件上设有定位套筒；本实用新型结构巧妙，使得每个开孔固定点的间距尺寸一致并在同一直线上，保证挂瓦条安装水平直线的安装要求。
一种防水板瓦条打孔定位器

[实用新型]一种坡屋面凸出瓦面阴脊-CN202021617964.8有效
发明人：米星;刘建国;司书坚;朱巍;李伟;徐宏;王达;金增华;李建涛;王志勇;白志阳;李国勇;田伟;安宏飞;聂雷;王宇;宋连亮;刘栋 -专利权人：北京金鑫雅居工程技术有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： E04D1/30 文献下载
摘要：一种坡屋面凸出瓦面阴脊，包括顶板，顶板的下方两侧对称设置有板面结构，板面结构包括与顶板的端部连接的第一侧板，第一侧板的侧方设有倾斜的第二侧板，第一侧板和第二侧板的连接处设有排水槽；本实用新型结构巧妙，结构巧妙，可加快施工速度，可实现使从屋面瓦流到阴脊处的水从坡屋面凸出瓦面阴脊处排出，而且本实用新型可阻挡小三角瓦掉落，还可以遮挡阴脊部位，使房屋阴脊处美观；提高了施工效率，解决了不美观的问题和裁切后的小三角形瓦会掉落的问题。
一种屋面凸出瓦面阴脊

[实用新型]一种悬停固定托木锚栓-CN202021619730.7有效
发明人：米星;刘建国;司书坚;朱巍;李伟;徐宏;王达;李俊忠;李国勇;张志;田伟;马连友;刘海军;安宏飞;白志阳;金增华;聂雷;李建涛 -专利权人：北京金鑫雅居工程技术有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： E04D1/34 文献下载
摘要：一种悬停固定托木锚栓，有效的解决了坡屋面不平整时施工速度慢，效率低，影响工期的问题；包括套管，套管为中空结构，套管上方设有安装板，套管下方设有空心的胀口，套管内穿设有螺杆，螺杆长度大于套管长度，螺杆下端螺纹连接有胀母；本实用新型结构巧妙，可提升施工速度，提升施工品质，在不做找平层的条件下施工，节省了整体工期。
一种悬停固定托木锚栓

[实用新型]一种隧道堵漏泄压装置-CN202021498720.2有效
发明人：刘世波;李亮辉;张志;马连友;皮海涛;白志阳;李国勇;李建涛;王志勇;傅庆志;张海龙;安宏飞;王宇;李俊忠;王胜男 -专利权人：北京立高立德工程技术有限公司;北京市首发高速公路建设管理有限责任公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： F16L55/07 文献下载
摘要：一种隧道堵漏泄压装置，其目的在于解决隧道堵漏后泄压的问题；包括管体，管体前端为尖锥形，管体内中部设有固定轴，管体上开设有多个开口，开口上活动设置有挡块，管体外壁内设有与开口连通的水道，挡块在开口上滑动后开启或封堵水道，固定轴上滑动设置有滑套，滑套上设有连接挡块的连杆，滑套在固定轴上滑动控制挡块在开口的移动，管体后端开设有多个排水孔；本实用新型结构简单巧妙，使用方便，能够将隧道堵漏施工封堵后混凝土内部水压过高的水排出，避免水压过高对隧道的破坏，提升防水堵漏的效果。
一种隧道漏泄装置

[发明专利]一种使用渗透类防水防腐喷涂材料修复桥梁的施工工艺-CN202011117803.7在审
发明人：刘世波;冷春秀;白志阳;古文奇;张志;张巍;安宏飞;聂雷;王志勇;田伟 -专利权人：北京立高立德工程技术有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： E01D22/00 文献下载
摘要：一种使用渗透类防水防腐喷涂材料修复桥梁的施工工艺，其目的在于解决桥梁工程中防水施工不到位造成的桥梁腐蚀损坏的问题；其解决技术问题的技术方案是：一种使用渗透类防水防腐喷涂材料修复桥梁的施工工艺，包括步骤：第一步，高压喷水清洗；第二步，混凝土缺陷清理修补；第三步，打磨；第四步，渗透类硅烷防水防腐涂覆体系涂装；本发明采用渗透型硅烷类桥梁防水防腐剂和涂膜材料相结合的复合体系的防护方式，既可以即时防水防腐止漏，又有防水防腐止漏时间长的优点，是一种较为理想的防水防腐止漏方法，该工法在工程实践中，取得了明显效果。
一种使用渗透防水防腐喷涂材料修复桥梁施工工艺

[发明专利]形成嵌入式存储器件的方法-CN201210518071.1有效
发明人：丁裕伟;黄国钦;白志阳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明描述了一种形成存储器件的方法。该方法包括接收晶圆衬底，在该晶圆衬底上形成多晶硅堆叠图案，执行离子注入工艺，以在晶圆衬底中形成源极和漏极，在限定出的多晶硅堆叠图案中形成存储器栅极和控制栅极，以及在控制多晶硅堆叠图案中形成控制栅极。形成存储器栅极进一步包括实现存储器栅极凹部，以将存储器栅极埋置在氧化物层中。本发明还提供了一种形成嵌入式存储器件的方法。
形成嵌入式存储器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210552090.6有效
发明人： 白志阳;涂国基;江文铨;周仲彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]嵌入式动态随机存取存储器装置及其接触插塞的形成方法-CN200810081334.0无效
发明人： 白志阳;江文铨;喻中一;杜友伦;刘源鸿;李祥帆;王铨中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)装置及其接触插塞的形成方法。该形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一半导体基底上；形成一接触孔于该介电层中，以暴露出一部分的该半导体基底；沉积一钨材料层于该介电层上以填入该接触孔，其中形成一钨缝隙于该接触孔内的钨材料层中；实施一干式蚀刻制造工艺以移除该介电层的上表面的钨材料层，且凹陷该钨材料层于该接触孔中，以于该介电层的上表面下方，形成具一深度的凹陷区，因而形成一凹陷的钨插塞于该接触孔内；沉积一导电层于该介电层和该凹陷的钨插塞上，以填入该凹陷区；及移除该介电层的上表面的该导电层，以形成一导电插塞于该接触孔内的凹陷的钨插塞上。
嵌入式动态随机存取存储器装置及其接触形成方法

[发明专利]半导体元件-CN200710193224.9有效
发明人：曾国权;丁国强;王铨中;蒋敏雄;白志阳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种新颖的系统单晶片结构、半导体元件及其制造方法。系统单芯片包括逻辑区、静态随机存取存储器区、及动态随机存取存储器区。动态随机存取存储器单元中的储存电容形成在金属－绝缘体－金属结构中的第一介电层中，其具有巨大的垂直表面积。形成在第一介电层的对接接点包括在静态随机存取存储器单元中接合至第一及第二导电区的底端部分与连接至第一金属层的垂直排列顶端部分。顶端部分具有实质上比底端部分更深的深度且实质上较小的尺寸。形成此系统单芯片结构不需增加复杂且有错误倾向的额外工艺于已知的CMOS工艺中，因此对整体系统单芯片的合格率的冲击很微小。
半导体元件

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