专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储装置-CN201910994616.8有效
  • 白川政信 - 铠侠股份有限公司
  • 2015-03-06 - 2023-10-27 - G11C16/04
  • 本发明的实施方式提供一种高品质半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括:非易失性存储单元晶体管(MT),相对于半导体衬底沿垂直方向延伸且具备多个存储单元晶体管(MT)的多个串单元(SU),具备多个串单元(SU)的多个区块(BLK),具备多个区块的存储单元阵列(130),在同一区块(BLK)内连接于多个存储单元晶体管(MT)的栅极电极的多条字线(WL),对存储单元晶体管(MT)进行数据的编程的控制电路(122),以及设置在控制电路(122)内且存储连接于存储单元晶体管(MT)的每条字线的编程条件数据的寄存器(122c)。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]存储系统-CN202010122745.0有效
  • 白川政信;山田英树;高田万里江;山城遼;鸟井修;武田奈穗美 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-02-27 - 2023-08-29 - G06F9/30
  • 实施方式实现能够使数据的可靠性提高的存储系统。实施方式的存储系统对移位寄存器型存储器进行控制,将包含多个纠错码帧的编码数据写入移位寄存器型存储器的块。存储系统在第1数据保持移位列内的与第1层对应的位置保存第1纠错码帧所包含的第1数据,在第1数据保持移位列内的与第2层对应的位置保存第2纠错码帧所包含的第2数据,在第2数据保持移位列内的与第2层对应的位置保存第1纠错码帧所包含的第3数据。
  • 存储系统
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201910419667.8有效
  • 白川政信 - 铠侠股份有限公司
  • 2014-09-05 - 2023-07-07 - G11C16/04
  • 本发明提供一种可提高动作速度的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备多个串单元、第1寄存器BS_REG、第2寄存器FS_REG、第3寄存器PS_REG、及控制电路14。串单元是积层多个存储存储单元而成且为NAND串的集合。第1寄存器BS_REG可保持表示串单元为不可使用串的信息。第2寄存器FS_REG可保持表示串单元验证失败的信息。第3寄存器PS_REG可保持表示串单元为通过验证的串的信息。控制电路基于第1至第3寄存器内的信息,而跳过对任一串单元的删除验证动作。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]存储装置及其控制方法-CN201910531428.1有效
  • 阿部健一;白川政信 - 铠侠股份有限公司
  • 2013-09-13 - 2023-01-03 - G11C11/56
  • 实施方式涉及存储装置及其控制方法。存储装置包括:第一字线,其位于半导体基板上方;第二字线,其位于第一字线上方;第一存储单元,其与第一字线连接;第二存储单元,其与第二字线连接;以及控制器,其配置为执行第一至第六读出工作;第一至第三读出工作针对与第一存储单元对应的第一地址执行,第四至第六读出工作针对与第二存储单元对应的第二地址执行,在第一至第三读出工作中分别将第一至第三电压施加给第一字线,在第四至第六读出工作中分别将第四至第六电压施加给第二字线,第四电压和第五电压之间的第一差值与第四电压和第六电压之间的第二差值不同,第一电压和第二电压之间的第三差值与第一差值不同。
  • 存储装置及其控制方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201710141118.X有效
  • 皆川絋惠;白川政信 - 铠侠股份有限公司
  • 2017-03-10 - 2022-03-04 - G11C16/10
  • 实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1存储单元、第2存储单元、连接于第1存储单元的第1字线、及连接于第2存储单元的第2字线,且对第1字线施加第1编程电压,在施加第1编程电压之后,对第2字线施加小于第1编程电压的第2编程电压,在施加第2编程电压之后,对第1字线施加第1验证电压,在施加第1验证电压之后,对第2字线施加小于第1验证电压的第2验证电压。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]存储器系统以及存储器控制器-CN202110093276.9在审
  • 樱田健次;武田奈穗美;白川政信;高田万里江 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-01-25 - 2021-12-07 - G11C16/04
  • 实施方式提供即使在不充分具有存储管理信息的RAM区域的存储器控制器中也能够以较小的等待时间读出管理信息的存储器系统以及存储器控制器。实施方式的存储器系统具有:非易失性的存储单元阵列(110);控制器(200),控制数据的读出及写入;数据锁存器群(XDL),被使用于在控制器(200)与存储单元阵列(110)之间输入输出数据;以及数据锁存器群(ADL),在由控制器(200)从存储单元阵列(110)读出数据时维持被保存的数据,控制器(200)在从存储单元阵列(110)的数据的读出处理的执行时或执行之前,将在数据的读出中使用的管理信息(MI)存储于数据锁存器群(ADL)。
  • 存储器系统以及控制器
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201580082673.9有效
  • 二山拓也;白川政信 - 东芝存储器株式会社
  • 2015-11-10 - 2021-08-10 - G11C16/06
  • 本发明的实施方式涉及的半导体存储装置具备:第1至第32存储单元;第1至第16位线,连接于第1至第16存储单元;第17至第32位线,连接于第17至第32存储单元;第1字线,连接于第1至第32存储单元的栅极;第1至第16读出放大器,在第1时序判定第1至第16存储单元中读出的数据;以及第17至第32读出放大器,在第2时序判定第17至第32存储单元中读出的数据。第1时序和所述第2时序不同。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置及存储系统-CN201610772128.9有效
  • 沙納德·布什納克;赤嶺公之;白川政信 - 东芝存储器株式会社
  • 2016-08-30 - 2021-02-26 - G11C16/08
  • 本发明涉及一种半导体存储装置及存储系统。实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含:第1存储器单元(SU0),包含依次积层在半导体衬底的上方的第1至第4存储单元(MT);第2存储器单元(SU1),包含依次积层在半导体衬底的上方的第5至第8存储单元(MT);第1字线(WL1),连接于第1及第5存储单元的栅极;第2字线(WL2),连接于第2及第6存储单元的栅极;第3字线(WL3),连接于第3及第7存储单元的栅极;及第4字线(WL4),连接于第4及第8存储单元的栅极。在写入动作中,按照第4存储单元(MT)、第1存储单元(MT)、第8存储单元(MT)、第5存储单元(MT)的顺序进行写入。
  • 半导体存储装置存储系统

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