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[发明专利]摄像装置-CN202180071456.5在审
发明人： 留河优子;西村佳寿子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：摄像装置具备第1光电转换部、第2光电转换部和第1电容元件。第1光电转换部将第1波段的光转换为第1电荷。第2光电转换部将第2波段的光转换为第2电荷。第2光电转换部在摄像装置的厚度方向上被配置在与第1光电转换部不同的高度。第1电容元件积蓄第1电荷及第2电荷。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202180054992.4在审
发明人：矶野俊介;留河优子;境田良太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开的摄像装置具备第1电极、光电转换膜和第2电极。光电转换膜位于比第1电极更靠下。第2电极位于比第1电极更靠下。第2电极由多个层来构成。多个层包含含有氮化钽的第1层。多个层中的最上层包含金属氮化物。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202180047482.4在审
发明人： 留河优子;山田翔太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备第1电极、第2电极、光电转换层和电荷积蓄区域。光电转换层位于第1电极与第2电极之间。电荷积蓄区域与第1电极电连接。平面图中的电荷积蓄区域的面积为0.04μm2以下。
摄像装置

[发明专利]摄像元件-CN202080070972.1在审
发明人：宍戸三四郎;留河优子;町田真一;土居隆典 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备：第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与第1光电转换部连接的第1像素电极；以及第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与第2光电转换部连接的第2像素电极。第1波段的中心波长与第2波段的中心波长不同。第1像素阵列与第2像素阵列被层叠。在平面图中，通过第1像素电极与第2像素电极重叠而规定的重叠区域的面积，小于从第1像素电极去除重叠区域后的剩余区域的面积。
摄像元件

[发明专利]摄像装置-CN202080070971.7在审
发明人：若林大介;留河优子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备像素部、以及被设置在像素部的周围的周边电路部。像素部包括光电转换膜、位于光电转换膜的上方的上部电极、与上部电极对置且与上部电极之间隔着光电转换膜的下部电极、以及在平面图中与光电转换膜的上表面的一部分重叠且与上部电极电连接的导电性的第1遮光膜。周边电路部包括周边电路、以及在平面图中与周边电路的至少一部分重叠的第2遮光膜。第1遮光膜与第2遮光膜被分离。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202080027074.8在审
发明人： 留河优子;佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备半导体基板以及多个像素。多个像素中的各个像素包括第1电容元件，该第1电容元件包括被设置于半导体基板的上方的第1电极、被设置于半导体基板的上方的第2电极、以及位于第1电极与第2电极之间的介电体层。第1电极及第2电极中的至少一方具有：与第1电气元件电连接的第1电接点、以及与不同于第1电气元件的第2电气元件电连接的第2电接点。第1电容元件包括具有沟槽形状的至少1个沟槽部。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202110890091.0在审
发明人： 留河优子;玉置德彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的摄像装置，具备：半导体基板，设有电路元件；光电转换元件，被半导体基板支承，对入射光进行光电转换，具有形成在受光面侧的第1电极、遮光性的第2电极以及配置在第1电极与第2电极之间的光电转换膜；多层配线构造，设在半导体基板与光电转换元件的第2电极之间，包括将第2电极与设于半导体基板的电路元件电连接的连接部；以及电容元件，形成在多层配线构造内。电容元件具有下部电极、上部电极以及配置在上部电极与下部电极之间的电介质膜。下部电极及上部电极的至少一方具有连接部所贯通的开口或切缝，开口或切缝从半导体基板的法线方向来看时与第2电极重叠。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202080007020.5在审
发明人：宍戸三四郎;小柳贵裕;留河优子;町田真一 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的摄像装置具备第1像素以及与第1像素邻接的第2像素。第1像素及第2像素分别包括：第1电极；第2电极，位于第1电极的上方，与第1电极对置；光电变换层，位于第1电极与第2电极之间；以及第1电荷阻挡层，位于第1电极与光电变换层之间。第1像素的第1电荷阻挡层和第2像素的第1电荷阻挡层被分离。光电变换层跨第1像素和第2像素而配置。在平面视图下，第1像素的第1电荷阻挡层的面积比第1像素的第1电极的面积大，第2像素的第1电荷阻挡层的面积比第2像素的第1电极的面积大。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201610086746.8有效
发明人： 留河优子;玉置德彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：有关本发明的一方式的摄像装置具备：半导体基板；光电转换元件，包括第1电极、第2电极及上述第1电极与上述第2电极之间的光电转换膜，被上述半导体基板支承，通过对入射光进行光电转换而生成信号；多层配线构造，包括设在上述半导体基板与上述光电转换元件的上述第2电极之间的上部配线层及下部配线层；信号检测电路，设在上述半导体基板及上述多层配线构造内，包括信号检测晶体管及第1电容元件，检测上述信号；上述信号检测晶体管包括栅极、以及设在上述半导体基板上的源极区域及漏极区域；上述第1电容元件包括第1下部电极、第1上部电极、及配置在上述第1上部电极与上述第1下部电极之间的电介质膜；上述上部配线层配置在上述光电转换元件的上述第2电极与上述信号检测晶体管的上述栅极之间；上述上部配线层包含上述第1上部电极。
摄像装置

[发明专利]具备控制电极、透明电极和将上述控制电极与上述透明电极的侧面电连接的连接层的图像传感器-CN201980025746.9在审
发明人： 留河优子;能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开一实施方式的图像传感器，具备：多个像素电极；控制电极；光电转换膜，配置在上述多个像素电极上；透明电极，配置在上述光电转换膜上；绝缘层，配置在上述透明电极的上表面的至少一部分上；以及连接层，将上述控制电极和上述透明电极进行电连接。上述连接层与上述透明电极的至少1个侧面接触，在与上述透明电极的上述上表面垂直的剖面中，上述绝缘层的端部相比于上述透明电极的端部而言位于上述透明电极的内侧。
具备控制电极透明上述侧面连接图像传感器

[发明专利]电子设备-CN201880087504.8在审
发明人：高濑雅之;矶野俊介;留河优子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的电子设备具备：电容元件、绝缘层、被设置于所述绝缘层的至少1个沟槽、以及至少一部分被所述绝缘层包围的第1导电插塞。所述电容元件包含：第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及上部电极，被设置在所述介电体层上。所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面与所述至少1个沟槽的最下部之间。
电子设备

[发明专利]摄像装置-CN201910043060.4在审
发明人：小柳贵裕;留河优子;网川裕之;远藤康行 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一个方式的摄像装置，具备半导体基板、配置在所述半导体基板内的多个光电变换部、配置在所述半导体基板上方的配线层以及配置在所述配线层内的至少一个电容元件。所述至少一个电容元件包括第一电极、第二电极、以及配置在所述第一电极与所述第二电极之间的电介质层。所述电介质层的至少一部分在平面视中具有配置在所述多个光电变换部中的相邻的两个光电变换部之间的沟槽形状。从由第一电极和第二电极组成的组中选择的至少一个电极具有遮光性。
半导体基板光电变换部第二电极第一电极配置电介质层电容元件摄像装置配线层沟槽形状电极遮光性

[发明专利]摄像装置-CN201910038971.8在审
发明人： 留河优子;小柳贵裕;网川裕之;远藤康行 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：有关本公开的一技术方案的摄像装置具备：半导体基板；第1光电变换部，配置在上述半导体基板内；与上述第1光电变换部不同的第2光电变换部，配置在上述半导体基板内；布线层，配置在上述半导体基板的上方；以及电容元件，配置在上述布线层内，在俯视时将上述第1光电变换部包围。上述电容元件包括第1电极、第2电极、以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的电介体层。上述第1电极连接至上述第1光电变换部或上述第2光电变换部。
光电变换部半导体基板电极配置电容元件摄像装置布线层电极连接电介体层俯视包围

[发明专利]电容元件和电容元件的制造方法-CN201811579957.0在审
发明人：小柳贵裕;留河优子;原田刚史;川岛良男 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与所述第一电极相向；以及电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极接触。在所述第一电极中的与所述第一电极和所述电介质层的界面接触的第一部分、以及所述电介质层中的与所述界面接触的第二部分含有硅。沿着所述第一部分和所述第二部分的厚度方向的所述硅的浓度分布包含横切所述界面的凸部。
第一电极电介质层第二电极电容元件界面接触浓度分布横切凸部相向制造

[发明专利]摄像装置-CN201811256952.4在审
发明人：高濑雅之;留河优子;佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备包括多个像素的像素区域和信号线。像素分别包括半导体基板、光电变换部、第1晶体管、布线层和电容元件。光电变换部包括第1电极、第2电极、以及第1第2电极之间的光电变换层。第1晶体管包括第1及第2杂质区域。布线层在半导体基板与第2电极之间，并包含信号线的一部分。电容元件在半导体基板的法线方向上配置在布线层与半导体基板之间，并且包括第3电极、第4电极、电介体层。第1及第2杂质区域的一方作为第1晶体管的源极区域、另一方作为漏极区域发挥功能。第1杂质区域电连接至第2电极；第4电极电连接至第1及第2杂质区域的某一方；沿半导体基板的法线方向观察时第3及第4电极的至少一方将第1杂质区域覆盖。
电极半导体基板杂质区域布线层晶体管光电变换部电容元件法线方向摄像装置信号线像素电极电连接光电变换层电介体层漏极区域像素区域源极区域电连接覆盖观察配置

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