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[发明专利]半导体器件-CN201611257527.8有效
发明人：山下侑佑;町田悟;杉山隆英;斋藤顺 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。
半导体器件

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201580023346.6有效
发明人：平林康弘;町田悟;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制回扫的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板，半导体基板具有IGBT区和二极管区。在对从表面朝向背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在阴极区与缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值。在缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值。在缓冲区与阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域。对从表面朝向背面的方向上的晶体缺陷的浓度分布进行观察时的晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与具有n型杂质浓度的极大值的一半的n型杂质浓度的位置相比靠背面侧的区域内。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610363603.7有效
发明人：妹尾贤;添野明高;平林康弘;久野敬史;山下侑佑;町田悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及制造所述半导体装置的方法-CN201480058417.1有效
发明人：大河原淳;山下侑佑;町田悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置(10)包括：半导体基板(12)、上部电极(14)、下部电极(16)和栅电极(42)。在半导体基板中，形成体区(22)、柱区(24)和势垒区(26)。柱区具有n型杂质，形成在体区的横向侧上，并且沿着从半导体基板的顶表面到体区的下端的深度延伸。势垒区具有n型杂质，并形成在体区和柱区的下侧上。势垒区形成在柱区的下侧上。在柱区和势垒区中沿深度方向的n型杂质浓度分布具有在柱区中的极大值。n型杂质浓度分布在比极大值深的侧上具有折点。
半导体装置制造方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极性晶体管-CN201510918997.3有效
发明人：平林康弘;细川博司;安田佳史;添野明高;妹尾贤;町田悟;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。
向导绝缘极性晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201510093283.3有效
发明人：大河原淳;山下侑佑;町田悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其在采用了具有肖特基接触的二极管结构的RC‑IGBT中，对栅极干扰进行抑制。所述半导体装置具有半导体基板(12)，该半导体基板(12)具有二极管区域(92)和IGBT区域(90)。该半导体装置中，二极管区域(92)具有p型的阳极区(34)，其与阳极电极(14)欧姆接触；n型的多个柱区(24)，其与阳极电极(14)肖特基接触；n型的势垒区(26)；n型的二极管漂移区(28)；以及n型的阴极区(36)。第一柱区(24a)相对于阳极电极(14)的导通电阻与位于距IGBT区域(90)较近的位置处的第二柱区(24b)相对于阳极电极(14)的导通电阻相比较高。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201380079133.6有效
发明人：斋藤顺;町田悟;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够对二极管区域中的电压变动进行抑制的技术。半导体装置(102)作为二极管而进行工作时的发射极(148)与下部体区(166)之间的电阻值小于阳极电极(148)与下部阳极区(168)之间的电阻值。此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201280035577.5有效
发明人：山下侑佑;町田悟;杉山隆英;斋藤顺 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。
半导体器件

[发明专利]纵型半导体装置-CN201480066442.4在审
发明人： 町田悟;山下侑佑;妹尾贤;大河原淳;平林康弘;细川博司 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-10-07 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种纵型半导体装置，其中，缓冲层具有n⁺型的第一缓冲区与n⁺型的第二缓冲区。第一缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第二缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的与第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第一缓冲区在半导体层的第一深度的面内划定了开口。第二缓冲区在半导体层的第二深度的面内划定了开口。
半导体装置

[发明专利]内置有二极管的IGBT-CN201380076833.X在审
发明人：斋藤顺;町田悟;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：当在IGBT中附加分离出上部体区(8a)和下部体区(8b)的势垒层(10)时，电导率调制活化从而导通电阻下降，当附加到达至势垒层(10)的肖特基接触区(6)时，能够实现二极管结构，但会附加经由势垒层(10)和肖特基接触区(6)到达至发射区(4)的电流路径，从而饱和电流增大，短路耐量降低。肖特基接触区(6)与发射区(4)通过上部体区(8a)而被分离，通过选择上部体区(8a)的杂质浓度，从而能够避免饱和电流的增大。或者，也可以在分离肖特基接触区(6)和发射区(4)的范围内附加隔断结构，该隔断结构使从肖特基接触区(6)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层和从发射区(4)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层不相连。
内置二极管 igbt

[发明专利]半导体装置-CN201510232850.9在审
发明人：伊藤孝浩;大西徹;山寺秀哉;町田悟;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体层，其含有Si；阳极电极，其与半导体层的一个主面的至少一部分肖特基接触。阳极电极的材料为，含有选自Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo以及V中的至少一种的AlSi合金。
半导体装置

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201280011777.7有效
发明人：斋藤顺;町田悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在IGBT（10）中，以弯曲形状延伸而具有转角的沟槽（70a、70b）形成于半导体衬底的上表面中。沟槽（70a、70b）的内面覆盖有绝缘膜。栅极被置于沟槽（70a、70b）内。发射极和集电极分别形成在半导体衬底的上表面和下表面上。发射极区域、体区域、漂移区以及集电极区域形成于半导体衬底中。发射极区域是由n型半导体形成的，与绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。体区域是由p型半导体形成的，与发射极区域下方的绝缘膜相接触，与沟槽（70a、70b）的内转角部（72-1、72-2）的绝缘膜相接触，并且与发射电极欧姆接触。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710102223.9无效
发明人：石井泰之;桥本孝司;川岛祥之;鸟羽功一;町田悟;片山弘造;齐藤健太郎;松井俊一 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括具有控制栅极和存储栅极的分离栅极型存储单元、低耐压MISFET和高耐压MISFET，其中可以抑制存储单元的阈值电压的变化。控制栅极的栅极绝缘膜比高耐压MISFET的栅极绝缘膜薄，控制栅极比低耐压MISFET的栅电极14厚，且存储栅极的厚度与存储栅极的栅长度的比大于1。控制栅极和栅电极15形成为包括电极材料膜8A和电极材料层8B的多层结构，且栅电极14为与控制栅极的电极材料膜8A同时形成的单层结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710092267.8有效
发明人：鸟羽功一;石井泰之;川岛祥之;町田悟;中川宗克;齐藤健太郎;松井俊一;桥本孝司;奥山幸祐 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：公开一种具有非易失存储器的半导体器件，其干扰缺陷能得到减少或防止。非易失存储器的存储单元具有存储栅电极，该存储栅电极通过用于电荷存储的绝缘膜而在半导体衬底的主表面上方形成。在存储栅电极的侧面上形成第一侧壁，并且在第一侧壁的侧面处形成第二侧壁。在存储单元中源极的n⁺型半导体区域的上表面上形成硅化层，其在存储栅电极MG侧上的端部分由第二侧壁限定。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710092268.2有效
发明人：鸟羽功一;石井泰之;川岛祥之;町田悟;中川宗克;桥本孝司 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，其在半导体衬底上方具有彼此接近并构成非易失性存储器的控制栅电极和存储栅电极。存储栅电极的高度低于控制栅栅电极的高度。金属硅化物膜形成在控制栅电极的上表面上方，但不形成在存储栅电极的上表面上方。存储栅电极在其上表面上方具有由氧化硅制成的侧壁绝缘膜。该侧壁绝缘膜在用于在存储栅电极和控制栅电极的侧壁上方形成相应侧壁绝缘膜的同一步骤中形成。本发明使得可以提高具有非易失性存储器的半导体器件的产品成品率和性能。
半导体器件及其制造方法

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