“田端雅弘”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN201910116964.5有效
发明人： 田端雅弘;熊仓翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域的蚀刻方法。一实施方式的蚀刻方法中，相对于含有硅和/或锗的第二区域，有选择地蚀刻含有硅和氮的第一区域。在该蚀刻方法中，使用氢等离子体，对包含第一区域的表面的第一区域的至少一部分进行改性，形成第一改性区域，使用氧等离子体，对包含第二区域的表面的第二区域的至少一部分进行改性，形成第二改性区域，使用氟等离子体，相对于第二改性区域，有选择地蚀刻第一改性区域。由此，能够相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]处理基板的方法-CN201811565044.3有效
发明人： 田端雅弘;久松亨;熊仓翔;浅子竜一;石川慎也;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：[课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
处理方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201810971378.4有效
发明人： 田端雅弘;久松亨;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。
处理方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201780068805.1有效
发明人： 田端雅弘;久松亨;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
处理方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201810448503.3有效
发明人：熊仓翔;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。
蚀刻方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN202310384766.3在审
发明人：木原嘉英;久松亨;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
处理方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201810349214.8有效
发明人：木原嘉英;久松亨;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
处理方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN202211541768.0在审
发明人： 田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
处理方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201810329352.X有效
发明人：熊仓翔;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种能够良好地进行立体图案的形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中，提供被处理体的蚀刻方法。被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从所述主面上看时露出。该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤；和将通过第二步骤而露出的端面按每一原子层进行各向异性蚀刻的第三步骤，其中，被处理层包含硅氮化物，膜包含硅氧化物。
蚀刻方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201810971368.0有效
发明人： 田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
处理方法

[发明专利]成膜方法-CN201810329353.4有效
发明人：熊仓翔;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中提供了对被处理体的蚀刻方法，被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从主面上看时露出，该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；和对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤。
方法

[发明专利]半导体制造方法和等离子体处理装置-CN201810167763.3有效
发明人：中谷理子;本田昌伸;久松亨;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至‑20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。
半导体制造方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻装置-CN202111453386.8在审
发明人： 田端雅弘;熊仓翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻装置，其包括：具有气体导入口和排气口的腔室；设置在所述腔室内的基片支承部，该基片支承部包括电极，可对该电极供给高频偏置电力；等离子体产生部；和进行下述的a控制～c控制的控制部，a控制，将包括由氮化硅形成的第一区域和由氧化硅形成的第二区域的基片放置在所述基片支承部上，b控制，供给所述高频偏置电力，从含氢的第一气体产生第一等离子体以对所述第一区域进行改性，c控制，停止所述高频偏置电力的供给，从含氟的第二气体产生第二等离子体以除去改性了的所述第一区域。
蚀刻装置

[发明专利]相对于氧化硅区域有选择地蚀刻氮化硅区域的方法-CN201711326482.X有效
发明人： 田端雅弘;熊仓翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤。
相对于氧化区域选择蚀刻氮化方法

[发明专利]等离子体处理装置和被处理体的处理方法-CN202110653982.4在审
发明人： 田端雅弘;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种在被处理体上的图案形成中能够应对伴随高度集成化的微细化和多样的形状图案的形成的等离子体处理装置和被处理体的处理方法。在实施方式的被处理体的处理方法中，被处理体包括第一凸部、第二凸部、被蚀刻层和槽部，槽部设置在该被处理体的主面并设置在该被蚀刻层，被夹在该第一凸部和该第二凸部之间，槽部的内侧的表面包含在该被处理体的该主面，该方法反复执行N次第一流程，其中，N为2以上的整数，第一流程包括：(a)在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内在该被处理体的该主面保形地形成保护膜的步骤；和(b)在上述步骤(a)的执行后，由在处理容器内产生的气体的等离子体对被处理体中的槽部的底部蚀刻的步骤。
等离子体处理装置方法

1
2
下一页»
尾页
共 22 条