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[发明专利]MRAM制备方法-CN202210328369.X在审
发明人：郑泽杰;王跃锦;何世坤 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N59/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM制备方法，包括：提供预制的衬底结构，其上有形成于阵列区的阵列区底部互连线、底电极、磁性隧道结，以及形成于逻辑区的逻辑区底部互连线，以及第一介质层；在磁性隧道结表面形成顶部电极材料层和硬掩膜材料层；光刻和刻蚀顶部电极材料层和硬掩膜材料层，形成顶部电极和硬掩膜层；回填介质，以硬掩膜层作为研磨停止层，研磨回填的介质至与硬掩膜层等高；选择性去除硬掩膜层，以自对准形成阵列区顶部通孔；单独制备逻辑区通孔。本发明能够提高MRAM制备工艺稳定性。
mram 制备方法

[发明专利]一种基于MRAM的一次性可编程存储器-CN202210332881.1在审
发明人： 王跃锦;何世坤;于志猛;郑泽杰 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MRAM的一次性可编程存储器，涉及半导体制造领域，该基于MRAM的一次性可编程存储器包括存储单元、参考单元及比较电路，其中存储单元中包括第一磁性隧道结，并且存储单元中的第一金属柱的等效电阻远小于所述第一磁性隧道结为平行态时的等效电阻，所以存储单元的等效电阻主要由第一磁性隧道结的状态决定，本发明中的存储单元的存储原理和结构与MRAM一致，因此可以利用相同的生产工艺生产MRAM、一次性可编程存储单元及一次性可编程存储器，降低了生产成本，简化了生产工艺。
一种基于 mram 一次性可编程存储器

[发明专利]一种PUF模块及集成PUF功能的MRAM-CN202210213777.0在审
发明人：何世坤;王跃锦;黄张英;张楠;郑泽杰 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明提供了一种PUF模块及集成PUF功能的MRAM，该PUF模块包括PUF数据阵列和PUF数据读电路。PUF数据阵列由多个PUF数据单元组成，每个PUF数据单元包含有一个磁性隧道结，每个PUF数据单元中的磁性隧道结能够被随机的形成为三种或四种逻辑状态中的一种逻辑状态。这三种或四种逻辑状态包括平行态和反平行态，还包括短路态或/和断路态。PUF数据读电路用于读取PUF数据阵列中每个磁性隧道结的逻辑状态，形成PUF数据。本申请有利于提高PUF安全系数，通过节省PUF数据单元所占用的面积利于芯片集成。
一种 puf 模块集成功能 mram

[发明专利]一种集成PUF电路的STT-MRAM及基于其的PUF数据生成方法-CN202111673294.0在审
发明人：黄张英;何世坤;王跃锦;周亚星 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成PUF电路的STT‑MRAM及基于其的PUF数据生成方法，通过利用STT‑MRAM不可预测的工艺变化、设定累计写入概率对应的设定电压值的写电压，生成PUF数据，依据PUF数据读电路准确的输出PUF数据。使生成的PUF数据是完全随机的，因不同PUF阵列间的特性不同，从而不可移植；同一PUF阵列的再现性好、一致性强。通过将PUF阵列集成在STT‑MRAM芯片上，在单颗芯片中同时实现STT‑MRAM存储和PUF相关功能，降低系统成本。相比现有技术，具有面积小、功耗小、速度快的特点，且能够提高PUF安全性和复杂性。
一种集成 puf 电路 stt mram 基于数据生成方法

[发明专利]MRAM器件及其制作方法-CN202111509295.1在审
发明人：何世坤;王跃锦;郑泽杰 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种MRAM器件及其制作方法，该MRAM器件包括基底、阵列区以及逻辑区，其中，基底包括衬底以及位于衬底上的介质层；阵列区位于介质层中，阵列区包括间隔设置的多个阵列器件，阵列器件包括依次叠置的第一金属线、第一MTJ、第一通孔以及第二金属线；逻辑区位于介质层中且位于阵列区的外围，逻辑区包括多个互连结构，互连结构包括依次叠置的第三金属线、第二MTJ、第二通孔以及第四金属线，其中，阵列器件与互连结构同时形成，第二MTJ的面积大于或者等于预定阈值。本申请解决了MRAM结构的阵列区与逻辑区的工艺差异较大，影响工艺稳定性的问题。
mram 器件及其制作方法

[发明专利]MRAM芯片存储阵列-CN202111309988.6在审
发明人：何世坤;郑泽杰;王跃锦;侯嘉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片存储阵列，包括：呈阵列形式排布的多个存储位元，每个存储位元包括存取晶体管、磁性隧道结、顶部互连结构以及底部互连结构，磁性隧道结通过顶部互连结构与对应位线连接，磁性隧道结通过底部互连结构与存取晶体管连接；其中，在连接于同一条位线的多个存储位元中，各存储位元具有不同的顶部互连结构和/或不同的底部互连结构，以从各磁性隧道结顶部和/或底部引入不同的补偿电阻。本发明通过引入补偿电阻，能够稳定磁性隧道结两端分压。
mram 芯片存储阵列

[发明专利]MRAM芯片结构的制作方法-CN202110957154.X在审
发明人：郑泽杰;王跃锦;何世坤 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MRAM芯片结构的制作方法。制作方法包括：提供表面具有阵列区和逻辑区的衬底，阵列区和逻辑区中具有底电极和磁性隧道结；在磁性隧道结上形成层叠设置的顶电极和掩膜层，底电极、磁性隧道结和顶电极构成磁性隧道结单元；在衬底上形成包裹掩膜层和磁性隧道结单元的第一介质层；沿第一介质层的表面进行平坦化处理，以使掩膜层或顶电极具有裸露表面；在磁性隧道结单元远离衬底的一侧形成互连线，使互连线分别与阵列区中的磁性隧道结单元以及逻辑区中的衬底连接。通过使阵列区和逻辑区中的介质层在研磨后厚度具有均一性，再在介质层上形成互连线，避免了由于阵列区和逻辑区中介质层的厚度差而导致的对后续工艺稳定性的影响。
mram 芯片结构制作方法

[发明专利]一种MRAM读取电路及其制备方法、一种电子设备-CN202110741551.3在审
发明人：郑泽杰;王跃锦;何世坤 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种MRAM读取电路，包括MTJ单元、比较电路、参考电路；所述参考电路及所述MTJ单元设置于同一基体硅上；所述MTJ单元通过顶部金属通孔与所述顶部金属层电连接，通过底部金属通孔与所述底部金属层电连接；所述参考电路包括参考电阻及参考金属通孔；所述参考电阻与所述MTJ单元的顶部电极或底部电极设置于所述硅基体的同一待处理层，并与对应的电极材料相同；所述参考电阻通过所述参考金属通孔与所述顶部金属层或所述底部金属层电连接。本发明使所述参考电阻的可控性大大提高，参考电阻的设置精度更高。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的电子设备及MRAM读取电路的制备方法。
一种 mram 读取电路及其制备方法电子设备

[发明专利]一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法-CN201811339108.8有效
发明人：蔡端俊;王跃锦;刘国振;郝卓然 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法，首先通过先在富氮气氛下促进六方氮化硼晶体中形成B空位的受主能级，再通过Mg在六方氮化硼晶格中的替位掺杂，两者按顺序进行，进而增强六方氮化硼薄膜p型导电性能。
一种氮气增强氮化薄膜导电掺杂方法

[发明专利]色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及制造方法-CN201910611191.8有效
发明人：蔡端俊;刘国振;王跃锦 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件，实现色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制造方法。该LED器件为肖特基势垒的LED器件，透明电极材料作为金属层，超薄介质材料作为势垒绝缘层，n或p型GaN作为有源层。通过调节透明金属层功函数，使得载流子可以隧穿至有源层与不同能级载流子复合发出宽谱白光，以此可以获得一种结构简单，色温可调、显色性高的单芯片无荧光粉的白光LED器件。其具有体积小、寿命长、稳定性好、发光效率高、显色性高、响应速度快等优点，将成为未来高温工作、高稳定性、高性能的极简洁单芯片白光LED的重要器件结构。
色温可调荧光粉芯片白光 led 器件制造方法

[发明专利]一种金属纳米线核壳结构的制备方法-CN201910709300.X有效
发明人：蔡端俊;刘国振;王跃锦;王君 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米线核壳结构的制备方法，本发明通过将金属纳米线样品及壳层前驱物用金属箔片密封，间歇性推入低压化学气相沉积系统，同时通入气体前驱物。使得金属纳米线在高温下保持形貌稳定，从而可以获得一种包裹有二维原子层六方氮化硼的金属纳米线，有助于大幅提高金属纳米线的稳定性，保护金属纳米线免受融化、氧化、钝化、刻蚀和腐蚀等损坏。
一种金属纳米线核壳结构制备方法

[实用新型]一种薄层透明紫外光电子器件-CN201920033622.2有效
发明人：蔡端俊;王跃锦;刘国振 -专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种薄层透明紫外光电子器件，包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层。上述的光电子器件可以实现紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。
电导层势垒绝缘层透明紫外光电子器件金属电极电连接光探测薄层衬底宽禁带半导体层本实用新型光电子器件透明电极层发光性能双面发光制作工艺暴露

[发明专利]一种透明紫外光电子器件的制造方法-CN201910019560.4在审
发明人：蔡端俊;王跃锦;刘国振 -专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明提供了一种透明紫外光电子器件的制造方法，包括如下步骤：1)在衬底上生长单电导层，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层，2)在单电导层上生长势垒绝缘层，或者将生长好的势垒绝缘层转移至单导电层上；4)在所述势垒绝缘层上形成透明电极层，所述透明电极层为纳米线或原子级厚的导电透明二维材料；5)形成与所述单电导层电连接的金属电极。利用上述方法制备的电子器件可以实现器件的紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，以此可以获得一种单电导层的透明紫外光电子器件以及光探测器，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。
电导层电子器件透明紫外光势垒绝缘层透明电极层光探测绝缘层宽禁带半导体层二维材料发光性能光探测器金属电极双面发光制作工艺生长导电层电连接纳米线生长势原子级导电衬底制备制造透明

[发明专利]一种单电导层紫外光电子器件-CN201910020024.6在审
发明人：蔡端俊;王跃锦;刘国振 -专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种单电导层紫外光电子器件，包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层，所述透明电极层为纳米线或原子级厚的导电透明二维材料。上述的光电子器件可以实现紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。
电导层势垒绝缘层紫外光电子器件透明电极层金属电极电连接光探测衬底宽禁带半导体层光电子器件二维材料发光性能双面发光制作工艺纳米线原子级导电暴露透明

[发明专利]一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法-CN201711485913.7在审
发明人：蔡端俊;郝卓然;孙飞鹏;王跃锦 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法，涉及半导体薄膜p型电导。设置三温区双管路化学气相沉积系统；第一温区第一管路放置BN前驱物，第二温区第二管路放置Mg源前驱物，第三温区放置反应衬底；生长阶段开始前先将真空度控制至低于10‑4torr；氢气和氩气的氛围中对衬底进行800～1000℃退火处理；三温区分别加温至设置温度，第一温区为低温区，温度70～100℃；第二温区为中温区，温度400～900℃；第三温区为高温反应区，温度900～1200℃；第一管路和第二管路通载气，携带前驱物和杂质源至反应区混合反应；生长结束，在保护气体中自然冷却到室温，得二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导。
温区电导六方氮化硼薄膜前驱物二维掺杂衬底化学气相沉积系统半导体薄膜高温反应区真空度控制保护气体混合反应生长阶段退火处理氢气氩气低温区反应区双管路杂质源中温区加温载气携带生长

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