专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法-CN202110772080.2有效
  • 王艳力;张文佳;闫大帅;张振华 - 哈尔滨工程大学
  • 2021-07-08 - 2023-07-21 - C23F11/16
  • 本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法,通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器,接着将缓蚀剂2‑巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中,制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式,本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护,又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外,通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系,不仅节约了成本,简化了制备过程,而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。
  • 一种镁合金表面mbt修复体系制备方法
  • [发明专利]一种硝酸根插层的镁铝水滑石制备方法-CN201910954363.1有效
  • 王艳力;刘嘉亮;闫大帅;宋大雷;张萌 - 哈尔滨工程大学
  • 2019-10-09 - 2022-04-05 - C01F7/00
  • 本发明提供一种硝酸根插层的镁铝水滑石制备方法,将NaOH溶液滴定在L‑组氨酸溶液中等到L‑组氨酸底液;将L‑组氨酸底液倒入容器中,通入氮气,在氮气保护、20‑30℃的温度和剧烈搅拌的条件下,将硝酸镁、硝酸铝混合溶液滴加到L‑组氨酸底液中,之后恒温搅拌得到得到镁铝水滑石悬浊液;将制得的镁铝水滑石悬浊液倒入反应釜中,水热处理;将水热处理后的镁铝水滑石悬浊液离心,洗涤,烘干得到硝酸根插层的镁铝水滑石;本发明所制得的镁铝水滑石产量高,结晶度好,可以代替传统的以硝酸钠为硝酸根来源的硝酸根插层的镁铝水滑石的制备方法。
  • 一种硝酸根插镁铝水滑石制备方法
  • [发明专利]一种在镁合金表面制备致密电泳涂层的方法-CN201911084743.0有效
  • 张萌;闫大帅;王艳力;陈俐蔓;王迪;刘一博 - 哈尔滨工程大学
  • 2019-11-08 - 2021-10-26 - C25D3/44
  • 本发明公开一种在镁合金表面制备致密电泳涂层的方法,属于金属材料表面处理领域。具体包括以下步骤:对镁合金进行前处理;对镁合金表面离子液体电镀铝;制备电泳涂料;涂装电泳涂料。在涂装电泳涂层前,利用离子液体电镀的方式在镁合金表面沉积一层铝镀层,在制备的铝镀层上进行电泳涂装,该铝镀层可有效解决镁合金表面电位不均匀以及镁合金在电泳液中容易腐蚀的问题,使得制备的电泳涂层更致密。本发明制作过程简单、高效,对整个实验过程要求不高,且制备出的镁合金表面电泳涂层均匀、致密、平整,可有效的保护镁合金免受腐蚀的危害。进行中性盐雾试验的结果表明,在中性盐雾环境中500h后镁合金表面并没有出现腐蚀,电泳涂层完整无破坏。
  • 一种镁合金表面制备致密电泳涂层方法
  • [发明专利]一种提高Ce3+-CN202010232997.9有效
  • 王艳力;刘嘉亮;闫大帅;张振华;张萌;宋大雷 - 哈尔滨工程大学
  • 2020-03-28 - 2021-09-10 - C09C1/28
  • 本发明一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法,包括如下步骤:步骤一:制备中空介孔SiO2微球;步骤二:向中空介孔SiO2微球中负载Ce3+制备Ce3+/SiO2微球:步骤三:使用硅烷对负载三价铈的中空介孔SiO2微球进行改性:步骤四:向改性的中空介孔SiO2微球中再次负载Ce3+制备硅烷改性Ce3+/SiO2微球。本发明提供的这种制备方法绿色环保、温和可控,环境污染小,制得的改性中空介孔二氧化硅微球对Ce3+的负载量有明显提高。
  • 一种提高cebasesup
  • [发明专利]插层有甲硫氨酸的镁铝水滑石纳米容器及其制备方法-CN201810913884.8有效
  • 王艳力;闫大帅;张萌 - 哈尔滨工程大学
  • 2018-08-10 - 2020-09-25 - C09D5/08
  • 本发明提供一种插层有甲硫氨酸的镁铝水滑石纳米容器及其制备方法,将Mg(NO3)2·6H2O和Al(NO3)3·9H2O按照摩尔比=2‑3:1形成溶液A;将NaOH溶解形成溶液B;将甲硫氨酸和Mg(NO3)2·6H2O按照摩尔比=2‑3:5形成溶液C;将溶液A以滴式方式滴加到溶液C中,并用溶液B调节PH使混合溶液与溶液C初始酸碱度保持一致,温度为30‑35摄氏度;待滴加完毕后,将混合溶液继续搅拌30分钟;将混合溶液升温至60摄氏度并静置老化5‑8小时,然后将所得悬浊液离心并用去离子水反复洗涤至中性,最后所得的固体产物在60摄氏度下干燥25‑30小时。本发明制作过程简单、成本低廉,可操作性强,制作周期短,且制备出的纳米容器所含抑制剂环境友好、能够进行可控释放且修复性能优异,在金属防腐领域具有良好的前景。
  • 插层有甲硫氨酸镁铝水滑石纳米容器及其制备方法
  • [发明专利]一种真空控制装置-CN201410083111.3无效
  • 黎亚明;宋莎;王君;宋启龙;王艳力;刘金胜 - 哈尔滨工程大学
  • 2014-03-08 - 2014-07-02 - G05D16/00
  • 本发明提供的是一种真空控制装置。第一控制阀。一端与真空泵连接、另一端与干燥管连接,干燥管与第一三通的一端连接,第一三通另外两端分别连接第一真空表和四口结构控制管的第一口,四口结构控制管第二口与三口结构控制管第一口连接,四口结构控制管第三口通过第二控制阀接外界大气,三口结构控制管第二口与节流阀连接,节流阀再与第二三通连接,第二三通另外两端分别与第二真空表和系统相连接,四口结构控制管的第四口和三口结构控制管的第三口上带有排液阀。本发明结构简单、便于制造、实用性强、用途广,能够满足绝大部分的减压系统方面的需求,特别适用于教学、科研、化工实验等相关领域。
  • 一种真空控制装置

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