专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种包装机的烟包翻转器-CN202221476216.1有效
  • 王盛茂;简金领;姚武昊;李萌辉;王朋;范孟杰;艾建;代晓光 - 河南中烟工业有限责任公司
  • 2022-06-13 - 2022-09-20 - B65B35/44
  • 本申请公开了一种包装机的烟包翻转器,设置在输送带两侧的内导轨和外导轨,以及设置在内导轨或外导轨的端部的转向滚轮;位于转向滚轮相对侧的第一导轨包括垂直于输送带的第一板状主体,第一板状主体包括高度相同的第一段和第二段,在输送带的运动方向上,相对于第一段,第二段更靠近转向滚轮;第二段与第一段之间具有预设夹角,第一段平行于输送带的运动方向,第二段向输送带的外侧倾斜。本申请与转向滚轮相对的第一导轨呈板状,加大了导轨与烟包的接触面,使烟包翻转时受到的单位面积撞力减小,有效预防挤烟、撞痕、划痕等产品质量问题,提升烟包质量的稳定性,并且烟包进入通道后输送过程更加平稳,不易出现挤烟和导轨移位变形现象。
  • 一种装机翻转
  • [发明专利]一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器-CN201710095598.0有效
  • 汤彬;朱志甫;邹继军;王盛茂;邓文娟;彭新村 - 东华理工大学
  • 2017-02-22 - 2018-04-17 - H01L31/0304
  • 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器,为PIN结构,以自支撑n型GaN作为衬底,在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层;在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极;在p型GaN层上沉积10BC4或6LiF作为中子转换层。AlGaN/GaN变掺杂变组分结构内部具有内建电场,当中子照射到10BC4或6LiF后发生核反应产生α粒子,α粒子电离AlGaN/GaN产生电子空穴对,该电场驱动电子、空穴分别向n型和p型电极两端定向运动,有利于收集效率的提高和漏电流的减小,从而提高了中子探测器的灵敏度以及探测效率。
  • 一种掺杂组分algangan中子探测器
  • [实用新型]一种变掺杂变组分AlGaAsGaAs核辐射探测器-CN201720159498.5有效
  • 邹继军;汤彬;王盛茂;朱志甫;邓文娟;彭新村 - 东华理工大学
  • 2017-02-22 - 2017-09-08 - H01L31/105
  • 本实用新型公开一种变掺杂变组分AlGaAs/GaAs核辐射探测器,该探测器结构为PIN结构,以n型GaAs作为衬底层,在GaAs衬底层上采用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaAs N层、本征GaAs I层、变掺杂变组分p型AlGaAs P层和p型GaAs欧姆接触帽层;在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2钝化层,在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料及衬底上利用电子束蒸发技术分别形成p型和n型电极层;对形成的电极进行退火处理。本实用新型的优点在于使得P区和N区内部产生内建电场,驱动产生的电子、空穴分别向两端定向运动,增加收集效率,提高探测器的灵敏度以及探测效率。该探测器可用于α射线和X射线等高能射线的探测。
  • 一种掺杂组分algaasgaas核辐射探测器
  • [发明专利]一种变掺杂变组分AlGaAsGaAs核辐射探测器-CN201710095563.7在审
  • 邹继军;汤彬;王盛茂;朱志甫;邓文娟;彭新村 - 东华理工大学
  • 2017-02-22 - 2017-05-24 - H01L31/105
  • 本发明公开一种变掺杂变组分AlGaAs/GaAs核辐射探测器,该探测器结构为PIN结构,以n型GaAs作为衬底层,在GaAs衬底层上采用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaAs N层、本征GaAs I层、变掺杂变组分p型AlGaAs P层和p型GaAs欧姆接触帽层;在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2钝化层,在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料及衬底上利用电子束蒸发技术分别形成p型和n型电极层;对形成的电极进行退火处理。本发明的优点在于使得P区和N区内部产生内建电场,驱动产生的电子、空穴分别向两端定向运动,增加收集效率,提高探测器的灵敏度以及探测效率。该探测器可用于α射线和X射线等高能射线的探测。
  • 一种掺杂组分algaasgaas核辐射探测器

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