“王玮冰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果108个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]气压传感器封装结构、检测系统及自测试方法-CN202210391230.X在审
发明人：谢诚;李佳;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01L19/14 文献下载
摘要：本申请技术方案公开了一种气压传感器封装结构、检测系统及自测试方法，本申请技术方案无需施加外界物理激励的情况下执行子诊断功能，通过所述电热执行器实现工作模式的切换，能够在第二工作模式下对传感器进行维护测试，以确定所述扩散硅压力传感器是否失效，可以实现扩散硅压力传感器及其所属设备不停机自测试。
气压传感器封装结构检测系统测试方法

[发明专利]一种MEMS-CMOS集成的压力传感器及其制备方法-CN202210228548.6在审
发明人：林春燕;尚海平;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01L1/26 文献下载
摘要：本公开提供了一种MEMS‑CMOS集成的压力传感器的制备方法，包括：S1，将第一晶圆片进行刻蚀，形成空腔结构；S2，采用键合工艺在形成空腔结构的第一晶圆片表面上键合第二晶圆片；S3，利用扩散工艺在第二晶圆片表面注入杂质原子形成MEMS压力传感器；采用CMOS工艺在第二晶圆片上未形成MEMS的表面上制作CMOS器件；S4，在步骤S3形成的器件表面上生长介质层，并通过光刻及刻蚀工艺在介质层上形成接触孔；S5，在接触孔内及部分介质层上沉积金属材料，完成CMOS与MEMS互联；S6，在步骤S5形成的器件表面生长钝化层；S7，在CMOS器件上方多次层叠介质层及金属层形成金属互联层，并刻蚀MEMS压力传感器上方的介质层，完成MEMS‑CMOS集成的压力传感器制备。本公开还提供了一种MEMS‑CMOS集成的压力传感器。
一种 mems cmos 集成压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种压电式压力传感器-CN202210161818.6在审
发明人：周凯月;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电式压力传感器，涉及传感器技术领域。用于解决现有的压电式压力传感器测试或校准复杂、成本高、效率低的技术问题。方案包括：敏感结构，敏感结构包括压电薄膜，压电式压力传感器还包括驱动结构和处理器；驱动结构在接收激励信号时驱动压电薄膜发生形变，以使敏感结构输出压电响应信号；处理器基于压电响应信号对压电式压力传感器进行评测和/或校准。本发明可以不采用ATE设备，进行自测试，可以降低测试成本，提高测试效率，提高产品良率。
一种压电压力传感器

[发明专利]一种压力传感器及其制作方法-CN202010347092.6有效
发明人：李婷;尚海平;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种压力传感器及其制作方法，该压力传感器包括具有相对的第一面及第二面的衬底、设置在衬底的第一面上的感压膜、设置在衬底的第二面上的压力腔、设置在衬底的第二面上的盖板。感压膜上设置有由四个压敏电阻组成的惠斯通电桥。四个压敏电阻包括两个纵向电阻和两个横向电阻；两个纵向电阻的电阻阻值相等，两个横向电阻的电阻阻值相等。纵向电阻的电阻阻值大于横向电阻的电阻阻值。通过设置两个纵向电阻的电阻阻值大于两个横向电阻的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性在电路层面补偿压力传感器的整体非线性，从而减小压力传感器的非线性误差。
一种压力传感器及其制作方法

[发明专利]半导体器件和制作方法-CN201811314954.4有效
发明人：尚海平;曹治;王英辉;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的表面上；电极层，位于第一绝缘层的远离衬底的表面上；第二绝缘层，位于电极层的远离第一绝缘层的表面上，第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔，各通孔使得电极层的部分表面裸露，第二绝缘层的材料和/或第一绝缘层的材料包括非晶碳化硅。该半导体器件中第一绝缘层的材料和/或第二绝缘层的材料为非晶碳化硅，该材料可以有效防止由于海水腐蚀造成的器件失效的问题，极大的提高了半导体器件的使用寿命。此外，碳化硅对于强酸强碱等强腐蚀性溶液，也有很好的抗腐蚀性，可以较好的满足海水原位检测的应用。
半导体器件制作方法

[发明专利]室内定位方法及装置-CN202111646931.5在审
发明人：郑佳瑶;邹一凡;李佳;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本公开提供一种室内定位方法及装置，方法包括：采集运动目标足部的加速度、角速度、高度以及所述运动目标所处环境的磁场信息；对所述加速度、角速度以及高度所述运动目标所处环境的磁场信息进行融合，以估计所述运动目标的姿态信息、速度信息和位置信息；对所述姿态信息、速度信息和位置信息进行误差修正，得到定位信息；根据所述定位信息复现所述运动目标的运动轨迹。该室内定位方法及装置定位方式简单、定位精度高，定位速度快。
室内定位方法装置

[发明专利]一种电导率传感器的制备方法及电导率传感器-CN201811295869.8有效
发明人：尚海平;曹治;王英辉;王玮冰 -专利权人：昆山微电子技术研究院
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电导率传感器，在衬底中设置有沿厚度方向贯穿衬底的通孔，该通孔会被设置在衬底表面的四个电极中的一个所覆盖，同时在该通孔中会设置有与电极电连接的引线。通过该通孔以及引线可以沿衬底厚度方向引出电极的电信号，从而避免引线与电极处于同一平面，进而使得设置在衬底表面的第二电极、第三电极以及第四电极可以呈完整的环形，保证测量时信号的稳定性。本发明还提供了一种导电率传感器的制备方法，所制备而成的电导率传感器同样具有上述有益效果。
一种电导率传感器制备方法

[发明专利]一种碳化硅压力传感器及其制造方法-CN202110313788.1在审
发明人：尚海平;田宝华;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅压力传感器及其制造方法，所述方法包括：形成感压结构，包括：提供衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面及第二表面；在所述第一表面形成电路层；对所述第二表面进行减薄及抛光处理，以形成感压膜；形成支撑结构，包括：提供基底；在所述基底的表面上形成与所述感压膜的变形区域对应的凹槽；在所述基底形成通孔；将所述感压结构与所述支撑结构键合，且使得所述电路层朝向所述凹槽，以形成碳化硅压力传感器芯片。本发明制备得到的碳化硅压力传感器的电路结构不易损坏，且可降低SiC材料的加工难度，提高加工效率，实现高质量的碳化硅压力传感器。
一种碳化硅压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种传感器的补偿电路、方法及设备-CN202110181582.8在审
发明人：张永生;尚海平;王玮冰;田宝华;李婷;柴鑫成 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种传感器的补偿电路，包括：微控制单元、分压电路及传感器电路；所述分压电路的输出端与所述微控制单元的输入接口连接，以输入多组参考电压及环境参数；所述传感器电路的输出端与所述微控制单元的输入输出接口连接，以实现信息交换；其中，所述微控制单元接收所述分压电路输入的环境参数和所述传感器电路输入的电压信号，并基于所述环境参数，确定所述传感器的基准电压；从而能基于所述基准电压与所述传感器输入的电压信号的关系，确定所述传感器的测量结果。
一种传感器补偿电路方法设备

[发明专利]一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法-CN202011616465.1在审
发明人：朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明涉及压阻传感器技术领域，具体涉及一种差压式MEMS压阻传感器及其自测试方法。该传感器中，金属导线模组设置在第二保护层远离薄膜层的一侧；固定支架设置在第一保护层远离薄膜层的一侧；第一磁场发生装置和第二磁场发生装置设置在压阻传感模组周围；信号处理电路的信号输入端连接压阻传感模组的信号输出端；信号处理电路分别供电连接金属导线模组和压阻传感模组本发明提供了差压式MEMS压阻传感器能的压力自测试功能，省去了搭建片外测试设备、反复拆卸测试的过程，提高了差压式MEMS压阻传感器的检测效率。
种差 mems 传感器及其测试方法

[发明专利]一种绝压式压阻传感系统及其自测试方法-CN202011616563.5在审
发明人：朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明涉及压阻传感器技术领域，具体涉及一种绝压式压阻传感系统及其自测试方法。该传感系统中，压阻传感模组包括：叠放设置的保护层、薄膜层、硅衬底层和玻璃层；硅衬底层中设置有空腔结构；薄膜层靠近保护层的一侧设有压阻条；保护层远离薄膜层的一侧设有金属电极；金属电极与压阻条电连接；金属板设置在保护层远离薄膜层的一侧；交变磁场发生装置设置在玻璃层远离硅衬底层的一侧；信号处理电路的信号输入端连接压阻传感模组的信号输出端；信号处理电路分别供电连接交变磁场发生装置和压阻传感模组。本发明提供了绝压式压阻传感系统能的压力自测试功能，省去了搭建片外测试设备、反复拆卸测试的过程，提高了绝压式压阻传感系统的检测效率。
一种绝压式压阻传感系统及其测试方法

[发明专利]一种绝压式MEMS压阻传感器及其自测试方法-CN202011620944.0在审
发明人：朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明涉及压阻传感器技术领域，具体涉及一种绝压式MEMS压阻传感器及其自测试方法。该传感器中，金属导线模组设置在保护层远离薄膜层的一侧；第一磁场发生装置和第二磁场发生装置均设置在压阻传感模组周围；信号处理电路的信号输入端连接压阻传感模组的信号输出端；信号处理电路分别供电连接金属导线模组和压阻传感模组。本发明提供了绝压式MEMS压阻传感器能的压力自测试功能，省去了搭建片外测试设备、反复拆卸测试的过程，提高了绝压式MEMS压阻传感器的检测效率。
一种绝压式 mems 传感器及其测试方法

[发明专利]一种差压式压阻传感系统及其自测试方法-CN202011621025.5在审
发明人：朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及压阻传感器技术领域，具体涉及一种差压式压阻传感系统及其自测试方法。该传感系统中，薄膜层靠近第一保护层的一侧设有压阻条；第一保护层远离薄膜层的一侧设有金属电极；金属电极与压阻条电连接；金属板设置在第二保护层远离薄膜层的一侧；固定支架设置在第一保护层远离薄膜层的一侧；交变磁场发生装置设置在固定支架远离第一保护层的一侧；信号处理电路的信号输入端连接压阻传感模组的信号输出端；信号处理电路分别供电连接交变磁场发生装置和压阻传感模组。本发明提供了差压式压阻传感系统能的压力自测试功能，省去了搭建片外测试设备、反复拆卸测试的过程，提高了差压式压阻传感系统的检测效率。
种差压式压阻传感系统及其测试方法

[发明专利]感测装置及对应的测试方法-CN202011621043.3在审
发明人：朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明公开一种感测装置及对应的测试方法，所述装置包括：压阻传感器、自测结构以及控制模块；所述控制模块包括：磁性单元，所述磁性单元用于提供均匀磁场，使得所述压阻传感器处于所述均匀磁场中；以及CPU，与磁性单元及所述压阻传感器相连，所述CPU用于控制所述磁性单元产生所述均匀磁场，以及输出控制信号至所述自测结构，所述自测结构在磁场作用下产生压力，所述压力使得所述敏感层发生形变，进而使得所述压敏电阻的阻值发生变化，所述电极输出代表所述压敏电阻阻值变化的电压值，所述CPU接收所述电压值，并根据所述电压值判断所述压阻传感器的性能参数是否正常。本发明具有传感器性能自测功能。
装置对应测试方法

[发明专利]感测装置及对应的测试方法-CN202011621049.0在审
发明人：朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明公开一种感测装置及对应的测试方法，所述装置包括：压阻传感器、自测结构以及控制模块；所述控制模块包括：磁性单元，所述磁性单元用于提供均匀磁场，使得所述压阻传感器处于所述均匀磁场中；以及CPU，与磁性单元及所述压阻传感器相连，所述CPU用于控制所述磁性单元产生所述均匀磁场，以及输出控制信号至所述自测结构，所述自测结构在磁场作用下产生压力，所述压力使得所述敏感层发生形变，进而使得所述压敏电阻的阻值发生变化，所述电极输出代表所述压敏电阻阻值变化的电压值，所述CPU接收所述电压值，并根据所述电压值判断所述压阻传感器的性能参数是否正常。本发明具有传感器性能自测功能。
装置对应测试方法

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 108 条