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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储单元的制造方法-CN202211392884.0在审
发明人： 王惠姿;汪柏澍;王伟民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种存储单元的制造方法，包括：提供衬底；在衬底中形成晶体管的源极/漏极部件；在衬底上方形成第一介电层；在第一介电层中形成晶体管的栅极；在第一介电层上方形成第二介电层；在第二介电层中形成第一接触部件；形成完全包围并直接接触第一接触部件的顶面、底面和侧面的第一阻挡层；形成设置在第一接触部件上方的电阻材料层；形成设置在电阻材料层上方的第二接触部件；形成完全包围并直接接触第二接触部件的顶面、底面和侧面的第二阻挡层；在第一介电层内形成导电插塞，其中，导电插塞将第一接触部件电连接至源极/漏极部件。
存储单元制造方法

[发明专利]半导体结构和用于形成存储器结构的方法-CN202010267913.5在审
发明人：王伟民;刘家玮;杨仁盛;朱文定;廖钰文;王惠姿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明针对一种用于在金属化层之间或内形成具有低轮廓的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构的方法。例如，该方法包括：在衬底上形成具有导电结构和第一介电层的第一金属化层，第一介电层邻接导电结构的侧壁表面；蚀刻第一介电层的部分以暴露导电结构的侧壁表面的部分；在第一金属化层、导电结构的侧壁表面的暴露部分和顶面上沉积存储器堆叠件；图案化存储器堆叠件以形成覆盖导电结构的侧壁表面的暴露部分和顶面的存储器结构；沉积第二介电层以密封存储器堆叠件；以及在第二介电层上形成第二金属化层。本发明的实施例还涉及半导体结构和用于形成存储器结构的方法。
半导体结构用于形成存储器方法

[发明专利]新型电阻式随机存取存储器件、存储单元及其制造方法-CN201810762749.8在审
发明人： 王惠姿;汪柏澍;王伟民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种存储器单元包括：部分地嵌入到第一介电层中的第一接触部件；加衬里于第一接触部件的阻挡层，其中，阻挡层包括设置在第一接触部件和第一介电层之间的第一部分以及设置在第一介电层之上的第二部分；设置在第一接触部件之上的电阻材料层，电阻材料层通过阻挡层的第二部分连接至第一接触部件；以及嵌入到位于第一介电层之上的第二介电层中的第二接触部件。本发明还提供了新型电阻式随机存取存储器件以及存储单元的制造方法。
接触部件介电层阻挡层随机存取存储器件电阻材料层存储单元新型电阻嵌入衬里存储器单元制造

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