“王庶民”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果82个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法-CN202310806544.6在审
发明人：顾俊;薛聪;王庶民;董建荣 -专利权人：埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法。所述制备方法包括制作外延结构，所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层；采用电化学腐蚀的方式对所述外延结构进行选择性腐蚀，以在所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层内形成多个多孔层，第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层中的多个多孔层沿第一方向依次间隔设置；制作p电极和n电极，且使所述p电极与所述p型半导体层电连接，所述n电极与n型半导体层电连接。本发明采用一次外延获得两对DBR，且使用一次电化学腐蚀即可获得两对多孔DBR。
多孔 dbr vcsel 芯片及其制备方法

[实用新型]一种晶圆托盘装置-CN202320399288.9有效
发明人：翟勇鹏;王庶民;薛聪;董建荣 -专利权人：埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆托盘装置，包括托盘主体和活动支架，托盘主体上至少设置有一个用于放置晶圆的晶圆槽及至少一个支架槽，每个晶圆槽对应一个或多个支架槽，每个支架槽内设置一活动支架，活动支架设置在晶圆槽的周围，且活动支架转动设置于对应的支架槽内且沿竖直方向上转动；当晶圆放入晶圆槽内，活动支架靠近晶圆的一端被晶圆压下，另一端翘起突出托盘主体上表面；当机械手夹爪压下活动支架的另一端，活动支架靠近晶圆的一端翘起，晶圆被顶起至机械手夹爪内，供机械手搬运晶圆。本实用新型设计简单巧妙、结构紧凑、成本很低、效率很高，且使得机械手可以直接抓取和放置晶圆片。
一种托盘装置

[实用新型]用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手及真空互联设备-CN202223152784.9有效
发明人：杨钢;薛聪;董建荣;王庶民 -专利权人：埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B25J9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手及真空互联设备。所述机械手包括：能够夹取固定、释放样品片的夹爪，所述夹爪包括沿第一方向相对设置的两个夹持臂，两个夹持臂中的至少一者能够沿第一方向活动；每一所述夹持臂具有面向另一夹持臂的夹持面，所述夹持面上设置有一可供样品片的周缘区域的部分进入的限位槽，所述限位槽的槽壁包括侧壁以及槽底，所述侧壁包括与槽底直接连接的连接区域，所述连接区域倾斜设置。本实用新型提供的用于MOCVD与MBE互联设备真空高温多轴传样的机械手与样品片之间的夹持更加稳定可靠，可以确保夹持传输更加精准。
用于 mocvd mbe 设备真空高温多轴传样机械手

[发明专利]优化薄膜外延生长均匀性的装置、方法及外延生长设备-CN202211691086.8有效
发明人：杨钢;王庶民;薛聪;董建荣 -专利权人：埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化薄膜外延生长均匀性的装置、方法及外延生长设备。所述方法包括：使承载衬底的托盘同时绕第一轴线和第二轴线做圆周运动，以使所述衬底上任一点沿一非圆形轨迹做摆线运动，从而使沉积到衬底表面不同位置的原料的量相同，其中，所述第一轴线为托盘自身轴线，所述第二轴线与第一轴线相互平行且不重合。本发明通过使衬底表面点做摆线运动，使衬底表面点可经过更多的路径以覆盖到更大的源炉束流的入射区域，源炉到衬底表面不同位置的入射距离多次取均值后基本保持恒定，从而使衬底表面不同位置的入射通量基本相同，进而提高了薄膜生长的均匀性。
优化薄膜外延生长均匀装置方法设备

[实用新型]用于外延片温降测试的装置-CN202222447142.5有效
发明人：王新;杨钢;薛聪;王庶民;董建荣 -专利权人：埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于外延片温降测试的装置。所述装置包括：真空测试单元，包括第一腔室以及设置在第一腔室内的第一固定支架、均温板，所述第一腔室能够与真空发生机构配合形成真空环境，所述第一固定支架用于可分离地固定外延片，所述均温板用于将加热单元提供的热量均匀地传递至外延片；加热单元，包括第一腔室以及设置在第二腔室内的加热热源，所述加热热源用于加热所述均温板；温度监测单元，用于采集位于所述第一腔室内的外延片的温度信息。本实用新型实施例提供的一种用于外延片温降测试的装置，利用均温板温度的均匀性对外延片进行加热，可以有效解决了发热热源直接加热物体存在的加热不均匀的问题。
用于外延片温降测试装置

[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法-CN202211581456.2有效
发明人：陶章峰;薛聪;王庶民;董建荣 -专利权人：埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法。所述外延片包括依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述p型半导体层包括依次层叠的p型电子阻挡层、p型空穴提供层和p型欧姆接触层，所述p型空穴提供层包括层叠设置的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层中的Al组分含量沿第一方向逐渐降低，所述第一子层与第二子层的界面处形成第一压电极化场，所述第三子层中的Al组分含量沿第一方向逐渐升高，所述第三子层与第二子层的界面处形成第二压电极化场，所述第一压电极化场与第二压电极化场的大小相同而方向相反。本发明提供一种发光二极管的外延片的空穴浓度高且注入能力强，辐射复合发光效率高。
发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]半导体光电子器件的外延片及其制作方法和应用-CN202211575860.9有效
发明人：陶章峰;薛聪;王庶民;董建荣 -专利权人：埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体光电子器件的外延片及其制作方法和应用。所述制作方法包括：在衬底上进行AlN材料的三维生长，以形成间隔分布的多个第一柱状结构，从而形成第一成核子层；改变AlN材料的生长条件，使AlN材料由三维生长向二维生长过渡，以在第一成核子层上形成间隔分布的多个第二柱状结构，从而形成第二成核子层；再次改变AlN材料的生长条件，在第二成核子层上进行AlN材料的二维生长，以使AlN材料在多个第二柱状结构的顶部沿选定方向连续生长并逐渐合并，从而形成第三成核子层，最终获得AlN成核层；之后在AlN成核层生长其它功能层。本发明能够有效降低外延片中的线位错缺陷密度，改善衬底与AlN模板层之间的应力。
半导体光电子器件外延及其制作方法应用

[实用新型]一种紫外发光二极管结构-CN202123363338.8有效
发明人：陶章峰;王庶民;薛聪;董建荣 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外发光二极管结构。所述紫外发光二极管结构包括：外延结构，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的n型层、量子阱发光层和p型层；p电极和n电极，所述p电极与p型层配合，所述n电极与n型层配合；其中，所述p型层包括沿指定方向依次设置的p型电子阻挡层、隧穿层和p型接触层，所述隧穿层包括沿指定方向依次设置的p型Al1‑xInxN层、InN层和n型Al1‑yInyN层，0＜x≤0.6，0＜y≤0.6。本实用新型提供的紫外发光二极管结构，工作电压低，发光效率高。
一种紫外发光二极管结构

[发明专利]一种信息推荐方法及装置-CN202111631981.6在审
发明人：张辉;李俊;张俊春;王庶民;李宇亮 -专利权人：中国电信股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：本申请提供一种信息推荐方法及装置，涉及计算机技术领域，可通过服务器来执行，服务器可确定M个待推荐信息，M为大于等于2的正整数；根据M个待推荐信息的历史曝光情况，确定各待推荐信息的曝光衰减系数；基于M个待推荐信息的优先级以及各待推荐信息的曝光衰减系数，推荐M个待推荐信息。本申请在推荐信息时，不仅考虑了待推荐信息的优先级还考了待推荐信息的曝光情况，该方式考虑的情况比较全面，可以更好地推荐待推荐信息，避免一直推荐某个信息的情况出现。
一种信息推荐方法装置

[发明专利]扫码方法、装置和终端、计算机存储介质和电子设备-CN202111587416.4在审
发明人： 王庶民;沈江明;张俊春 -专利权人：中国电信股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06K7/14 文献下载
摘要：本公开涉及互联网技术领域，涉及了一种扫码方法、装置及终端、存储介质和电子设备。该方法包括：生成当前扫码请求的唯一标识信息，并将所述唯一标识信息提供至浏览器端，以将所述唯一标识信息以唯一码的形式展示，所述唯一标识信息与所述浏览器端的目标填充框对应；若同时接收所述唯一标识信息和扫描待扫条码生成的扫码结果信息，则将所述扫码结果信息提供至所述浏览器端以填入所述目标填充框，所述接收到的所述唯一标识信息通过扫描所述唯一码获得。本公开通过两次扫码操作将待扫条码对应的扫码结果信息传递至浏览器端填入目标填充框，凡具有扫码功能的扫码终端均可满足浏览器端的扫码需求，使扫码功能与被集成系统解耦，操作简单，扫码成本低。
方法装置终端计算机存储介质电子设备

[发明专利]一种硅基无磷激光器及其制备方法-CN202010290079.1有效
发明人：欧欣;梁好;林家杰;游天桂;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基无磷激光器及其制备方法，该方法包括：在InP衬底上生长InGaAs外延层；利用离子注入的方式在所述InGaAs外延层中注入离子形成损伤层；将所述InGaAs外延层与硅衬底键合；通过加热的方式将所述InGaAs外延层于所述损伤层处剥离，得到硅基InGaAs衬底；将所述硅基InGaAs衬底的顶层抛光后外延InGaAs缓冲层、超晶格位错阻挡层、腐蚀阻挡层以及激光器结构。本申请的硅基无磷激光器及其制备方法通过键合技术直接获得高质量的硅基InGaAs衬底，可以避免在硅衬底上直接外延生长III‑V族化合物所产生的的失配位错、缺陷、反相畴等影响后续材料外延生长质量的问题。
一种硅基无磷激光器及其制备方法

[发明专利]一种紫外发光二极管外延片及其制作方法-CN202111625480.7有效
发明人：陶章峰;王庶民;薛聪;董建荣 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制作方法。所述外延片包括沿指定方向依次设置的n型层、量子阱发光层和p型层，其中，所述p型层包括沿指定方向依次设置的p型电子阻挡层、隧穿层和p型接触层，所述隧穿层包括沿指定方向依次设置的p型Al1‑xInxN层、InN层和n型Al1‑yInyN层，0＜x≤0.6，0＜y≤0.6。本发明提供的紫外发光二极管外延片，空穴注入能力强，发光效率高。
一种紫外发光二极管外延及其制作方法

[实用新型]基于分子束外延技术的半导体生长设备-CN202122309913.X有效
发明人：杨钢;薛聪;董建荣;王庶民 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于分子束外延技术的半导体生长设备。所述半导体生长设备包括真空腔室以及旋转单元和倾斜调节单元；所述旋转单元包括旋转台、旋转机构和基片，所述旋转机构包括第一驱动电机和样品托，所述基片设置在所述样品托上，所述样品托上未被基片覆盖的区域还设置有至少一第一校准通孔；所述倾斜调节单元包括倾斜调节机构、分子束源炉和第一激光器，所述倾斜调节机构与分子束源炉连接；所述第一激光器发光的第一激光能够穿过所述第一校准通孔，并在真空腔室内形成第一光斑。本实用新型提供的半导体生长设备，结构简单安装方便，定位快速且准确，可以有效的保证分子束源炉初始时的精确喷射，大大提升样品生长的效率。
基于分子外延技术半导体生长设备

[实用新型]半导体晶片生长转移系统-CN202122343507.5有效
发明人：杨钢;薛聪;董建荣;王庶民 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶片生长转移系统。所述半导体晶片生长转移系统包括：晶片生长单元，其包括样品台，所述样品台的第一表面设置有多个晶片槽，所述晶片槽的槽底面设置有至少一销孔；晶片顶取单元，其包括插销和预顶取机构，所述插销包括沿轴向依次设置的端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段，所述插销活动设置在所述销孔内，所述预顶取机构用于顶推所述插销，以将晶片顶起至取片所需高度；晶片转移单元，其包括机械手，所述机械手用于抓取被顶起的晶片，并将所述晶片转移至预定位置。本实用新型实施例提供的半导体晶片生长转移系统，结构简单紧凑、性能可靠、装卸方便、传输可靠且可重复使用。
半导体晶片生长转移系统

[发明专利]用于顶取晶片的插销及顶取装置-CN202111132595.2在审
发明人：杨钢;薛聪;董建荣;王庶民 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于顶取晶片的插销及顶取装置。所述用于顶取晶片的插销，所述插销与分布在样品台第一表面的晶片槽内的销孔活动配合，所述插销包括沿轴向依次设置的端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段；所述端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段沿轴向方向的长度分别为La、Lb、Lc、Ld。本发明实施例提供的用于顶取晶片的插销，结构简单紧凑、性能可靠、装卸方便、传输可靠且可重复使用。
用于晶片插销装置

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 82 条