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[发明专利]一种半导体场效应集成电路及制备方法-CN202211279018.0有效
发明人： 王尧林;林和;洪学天;牛崇实;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体场效应集成电路及制备方法，包括：P型半导体衬底、第一区域、第二区域、绝缘板；所述半导体衬底上左侧设有第一区域，所述第一区域内部形成第一注入区；所述半导体衬底上右侧设有第二区域，所述第二区域内部形成第二注入区，且第一区域与第二区域共面；在第一区域与第二区域上层分别置有绝缘板。通过使用第一注入区、第二注入区对半导体集成电路进行离子注入，改善了N型半导体导电的接触质量，通过设置二氧化硅绝缘层，可以有效防止杂质往衬底表面渗透，提高器件集成电路的可靠性与稳定性。
一种半导体场效应集成电路制备方法

[发明专利]一种半导体器件薄膜结构及制备方法-CN202211225080.1有效
发明人：洪学天;王尧林;林和;牛崇实;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件薄膜结构及制备方法，包括：砷化镓衬底层：在半导体器件薄膜结构的最底层，通过飞秒激光纵向微加工形成纵向凹槽区，并通过横向切割形成横向分割区，获得砷化镓衬底层；氮化镓生长层：在砷化镓衬底层表面，通过异质分子束外延法生长氮化镓生长层；纵向P型沟道及N型栅极层：在氮化镓生长层上的纵向凹槽内进行P型氮化镓沟道生长，并在纵向P型氮化镓沟道面两侧各沉积一个纵向N型氮化镓凸台，最终形成纵向P型沟道及N型栅极层；金属电极薄膜层：在纵向P型沟道及N型栅极层上，通过真空环境蒸发淀积与电镀工艺形成鉻‑铜‑金多层导电层，获得金属电极薄膜层；并最终形成鉻‑铜‑金多层薄膜金属化半导体器件薄膜结构。
一种半导体器件薄膜结构制备方法

[实用新型]一种减少晶圆损伤的揭膜装置-CN202222342693.5有效
发明人：朱焱均;王尧林;燕强;刘康华;赵大国;李雨庭 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种减少晶圆损伤的揭膜装置，涉及半导体封装技术领域，该揭膜装置包括用于为晶圆揭膜的揭膜组件和用于承载晶圆的承载台，揭膜组件可左右滑动地置于承载台的上方，还包括用于抽吸承载台上颗粒物的真空吸尘组件，承载台两侧设有导轨，真空吸尘组件在导轨上左右滑动，用于吸除承载台上的颗粒物。本实用新型的揭膜装置增加了真空吸尘组件，滑动过程中，其能够吸除承载台上的颗粒物，揭膜组件在揭膜过程中，晶圆由于受到真空负压力以及向下压力的作用，颗粒物与晶圆直接接触，避免了造成颗粒物对晶圆背面的损伤，降低晶圆的报废率。
一种减少损伤装置

[发明专利]一种用于光学信息处理系统中的磁光结构及其制备方法、制备设备-CN202210897961.1有效
发明人：林和;王尧林;洪学天;赵大国;陈宏;牛崇实 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光学信息处理系统中的磁光结构及其制备方法、制备设备。该磁光结构包括具有石榴石结构的介电材料制成的衬底；所述衬底上形成的磁光薄膜，所述磁光薄膜的磁化矢量位于所述磁光薄膜的平面中。本发明磁光结构的分辨率和灵敏度可以通过改变铁氧体‑石榴石衬底的晶轴取向进行调节，也可以通过含铋的镓铁氧体石榴石薄膜中的铋离子和镓离子的浓度来改变，本发明显著提高磁光结构的分辨率和灵敏度，灵敏度可提高2倍以上。
一种用于光学信息处理系统中的结构及其制备方法设备

[发明专利]一种3D增材制造电子与光电器件的方法-CN202310488674.X在审
发明人：林和;洪学天;牛崇实;王尧林 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B29C64/386 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D增材制造电子与光电器件的方法，搭建3D增材制造智能一体化平台；通过集成设计组、3D增材智能制造组、3D增材制造多功能检测组、多型一体封装组及本地云端数据共享组；通过集成设计组，进行半导体电子与光电器件的3D增材制造总体流程设计；通过3D增材智能制造组，生成3D增材制造详细工艺，进行半导体电子与光电器件的3D增材智能制造；通过3D增材制造多功能检测组，进行3D增材制造实时检测及3D增材制造最终检测测试；通过多型一体封装组进行半导体电子与光电器件的电连接及封装；通过本地云端数据共享组进行平台本地端与云端的数据共享存储及数据共享互通互备运算。
一种制造电子光电器件方法

[发明专利]半导体外延膜的制作方法及其工艺控制系统-CN202211095122.4在审
发明人：洪学天;王尧林;林和;赵大国;牛崇实;陈宏 -专利权人：晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域，提供了一种半导体外延膜的制作方法及其工艺控制系统，制作方法包括将硅衬底放置在超高真空室，控制超高真空室为设定真空度；将硅衬底加热到第一预定温度，去除硅衬底表面的天然氧化物层；降低温度至预设的第二预定温度，提供锶原子流，在硅衬底表面沉积生长设定厚度的二硅化锶膜。工艺控制系统包括主控模块、反射高能电子衍射仪、红外高温计和电离压力计；主控模块分别与反射高能电子衍射仪、红外高温计和电离压力计连接，用于在半导体外延膜的制作工艺中实现工艺条件和加工的协调控制。本发明工艺简单，外延膜稳定性与重复性好，不会导致形成多晶SrSi2膜、Sr层或Sr硅化物的其他相。
半导体外延制作方法及其工艺控制系统

[发明专利]一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法-CN202211191051.8在审
发明人：林和;洪学天;王尧林;牛崇实;陈宏 -专利权人：晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法，半导体器件包括：半导体衬底、半导体层、绝缘介质层、锗锑碲薄膜层、第一电极和第二电极。方法包括：电磁辐射波到达锗锑碲薄膜层的超表面结构；通过由凹槽、圆柱体和电磁辐射反射基体组成超表面结构的锗锑碲薄膜层实现肖特基二极管的抗电磁辐射的反射；横向孔和纵向孔内填充有锰锌铁氧体材料，当经过电磁辐射反射基体反射后的第一电磁辐射波到达锰锌铁氧体材料表面，形成第二电磁辐射波，第二电磁辐射波与第一电磁辐射波彼此反相，从而抵消第一电磁辐射波和第二电磁辐射波。本发明提高了电磁辐射的反射率，有助于减小电磁辐射的能量，减轻电磁辐射对肖特基二极管的性能影响。
一种电磁辐射半导体器件方法

[发明专利]一种提高UIS性能的SGT-MOSFET及其制造方法-CN202211092700.9在审
发明人：贾淑方;王芮;余健;洪学天;王尧林;赵大国;林和 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高UIS性能的SGT‑MOSFET及其制造方法，属于电子半导体技术领域。该提高UIS性能的SGT‑MOSFET在P型体区与N+源区之间设有抗穿通层。本发明的SGT‑MOSFET的制造方法，通过在体与源之间形成的抗穿通层，在体和源之间产生高掺杂浓度区域，实现陡峭的浓度分布，从而降低体电阻率，防止寄生双极晶体管开启，提高SGT‑MOSFET的UIS能力。本发明的SGT‑MOSFET的制造方法，在外延层上，以向衬底的方向逐渐减少注入剂量的方式进行第二导电类型掺杂剂的多次注入；在SGT‑MOSFET器件的体区与源区之间形成了抗穿通层，使体区和源区之间产生高掺杂浓度区域。同时，为保证器件工作时形成正常的导通沟道，通过光刻(或其他)的方式使得抗穿通层在接近沟槽的位置掺杂浓度较低。
一种提高 uis 性能 sgt mosfet 及其制造方法

[实用新型]用于晶圆加工的刻蚀设备-CN202222063236.2有效
发明人： 王尧林;朱焱均;燕强;刘康华;赵大国;李雨庭 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆加工设备技术领域，涉及一种用于晶圆加工的刻蚀设备。刻蚀设备包括喷涂装置、储液装置和控制装置；喷涂装置用于朝向晶圆喷涂或回收蚀刻液；储液件用于储存蚀刻液，并通过浓度传感器获取储液件内蚀刻液的浓度信号。使用本实施例的刻蚀设备时，通过设置的喷涂装置可以将蚀刻液喷涂至晶圆上，或将晶圆上的蚀刻液回收至储液装置中，通过设置在储液件内的浓度传感器对储液件内的蚀刻液的浓度进行实时监测，控制装置可以根据预设程序对刻蚀设备的刻蚀时间进行调整，以提高不同批次之间晶圆的刻蚀均匀度，从而提高加工质量。
用于加工刻蚀设备

[实用新型]一种防止半导体金属气相沉积粘片的装置-CN202222023609.3有效
发明人：刘康华;燕强;朱焱均;王尧林;赵大国 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防止半导体金属气相沉积粘片的装置，涉及半导体制造设备技术领域，所述防止半导体金属气相沉积粘片的装置包括盖环、晶圆和支撑平台，盖环设置在晶圆的上方，晶圆设置在支撑平台上；盖环的底侧设置有压头，晶圆能与压头相抵，盖环与晶圆之间设置有弹性件，弹性件的两端分别与盖环和晶圆相抵；本实用新型通过压头能够有效避免沉积过程中晶圆的金属层与盖环全面接触，通过弹性件能够对晶圆与盖环施加推力，在支撑平台下降时促使二者分离，压头和弹性件相互配合能够有效避免粘片现象的发生，避免晶圆损伤破片，防止机台宕机，提高设备工作的稳定性，提高产能，同时有效减少机台后期的保养和维护成本。
一种防止半导体金属沉积装置

[实用新型]一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置-CN202222023897.2有效
发明人：燕强;刘康华;王尧林;朱焱均;赵大国 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置，涉及半导体制造设备技术领域，所述能够提高刻蚀后均匀性的湿法刻蚀清洗装置包括外槽和设置于外槽内部的内槽，内槽内设置有进液管，内槽内位于进液管的上方水平设置有匀流板，匀流板上密布有多个匀流孔，内槽的槽壁设置有溢流口，内槽通过溢流口与外槽相连通；本实用新型通过匀流板使进液管进入的水流能够均匀流经晶圆，配合由下至上，流速逐减的水流方式，一方面能够有效去除晶圆下半部分的刻蚀液，另一方面匀流板匀流效果显著，能够有效提高水流对晶圆的清洗均匀性，从而改善晶圆刻蚀后的均匀性，同时流体不易发生扰流，能够有效减少晶圆表面沾染颗粒尘埃，洁净效果显著。
一种能够提高刻蚀均匀湿法清洗装置

[实用新型]薄片装载夹具-CN202221659156.7有效
发明人： 王尧林;朱焱均;燕强;刘康华;赵大国 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种薄片装载夹具，涉及半导体技术领域，解决了晶圆装载时边部易缺角或裂片的技术问题。该薄片装载夹具，包括承载环、盖板、压盖组件，承载环内壁为台阶结构，用于形成容纳晶圆的容纳槽；盖板上设置有分压部，当盖板压设在容纳槽内时，分压部搭设在承载环顶部；压盖组件压紧在盖板顶部，以防止盖板移动；分压部为自盖板边部垂直向外延伸形成的凸台结构。本实用新型通过在盖板上设置分压部，当盖板压设在容纳槽内以对晶圆进行装载限位时，分压部能够搭设在承载环顶部，从而将盖板受到的外部压力能通过分压部分担一部分到承载环上，实现了外部压力的有效分摊，减少晶圆wafer缺角及裂片，从而有效提高产品良率。
薄片装载夹具

[实用新型]单片式湿法蚀刻系统-CN202222130976.3有效
发明人：李雨庭;王尧林;朱焱均;赵大国;燕强;刘康华 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单片式湿法蚀刻系统，涉及晶圆蚀刻技术领域，解决了现有技术的湿法蚀刻系统中的蚀刻液不均匀的喷涂在晶圆上，引起晶圆各个位置的蚀刻均匀性不同，造成蚀刻损伤的技术问题。该装置包括晶圆承载部件、蚀刻液供应系统、控制器、压制件和提升机构，压制件位于晶圆承载部件的上方，提升机构与压制件相连接，提升机构与控制器相连接且控制器能控制提升机构推动压制件向靠近或远离晶圆承载部件的方向移动，蚀刻液供应系统与控制器相连接；压制件的中部设置有安装孔，蚀刻液供应系统上的喷嘴设置在安装孔内，压制件的表面上设置有向内凹陷的分液槽，分液槽与安装孔相连通，所有分液槽沿安装孔的周向方向分布。
单片湿法蚀刻系统

[实用新型]液体分配器及包含其的湿法化学处理槽-CN202221658221.4有效
发明人：朱焱均;王尧林;燕强;刘康华;赵大国;程江晏 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了液体分配器及湿法化学处理槽，涉及半导体制造技术领域，解决了处理槽不同位置的蚀刻剂溶液浓度不同，蚀刻速率存在很大不均匀性的技术问题。该液体分配器包括分配器本体，分配器本体内具有供流体流通的流体通道，分配器本体侧壁上开设有多个液体出口，所有的液体出口规格不同，且由一侧向另一侧依次增大；湿法化学处理槽，包括槽体，槽体内设置有液体分配器，槽体内还设置有与槽体外部和流体通道均连通的液体入口；靠近液体入口一侧的液体出口规格最小；槽体包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第二侧壁高度小于第一侧壁高度。本实用新型能在槽腔中获得更均匀混合的蚀刻剂溶液，从而在蚀刻槽中的多个晶片上产生更一致的蚀刻结果。
液体分配器包含湿法化学处理

[发明专利]一种散热性能良好的芯片封装结构-CN202211320446.3在审
发明人：崔煜;李星宇;李航;侯怀庆;余健;洪学天;王尧林;林和 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明的一种散热性能良好的芯片封装结构，包括：封装上板、芯片卡槽、封装下板、导热层，封装上板上设置有芯片卡槽，封装上板远离芯片卡槽一端与封装下板连接，封装下板上贯穿设置有导热层。封装下板靠近芯片卡槽的一侧设置有基板。封装上板上设置有凹槽，封装下板上设置有卡扣，卡扣卡装在凹槽内。封装上板和封装下板于卡扣处粘合连接。导热层采用氮化铝或金刚石等材料。导热层为网络状，网络状的截面为圆形或五角星形或斜线形或螺旋形。该结构通过封装下板中的氮化铝导热网络与基板直接接触，将芯片工作时产生的热量快速导出，以保证芯片工作在正常的温度下，确保芯片的工作效率。同时与氮化铝散热板相比氮化铝用料较少，成本更加低廉。
一种散热性能良好芯片封装结构

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