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[发明专利]光辅助喷雾热解法制备M相VO2-CN202310696707.X在审
发明人：武传宝;王允威 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光辅助喷雾热解法制备M相VO2薄膜的方法及该方法制备的M相VO2薄膜，属于纳米材料领域。所述方法包括如下步骤：(1)配制二氧化钒喷涂液：将乙酰丙酮氧钒加入至无水甲醇中，搅拌并陈化，得到具有紫外感光特性的二氧化钒喷涂液；(2)制备二氧化钒薄膜：将步骤(1)的二氧化钒喷涂液引入雾化器，在紫外光辐照条件下喷涂到镀有锐钛矿相TiO2的衬底上，即得M相VO2薄膜。该方法通过搅拌使钒离子在溶胶中螯合，呈现紫外感光特性；通过引入二氧化钛过渡层提升了VO2(M)薄膜的纯度，再通过紫外光辐照改善了VO2(M)薄膜显微结构，进而提高了VO2(M)薄膜可视透过率和太阳光调节率。
辅助喷雾解法制备 vo base sub

[发明专利]以高钛炉渣为主要集料的透水砖及其制备方法-CN202310623672.7在审
发明人： 王允威;陈伟;武传宝;念红芬;刘静 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以高钛炉渣为主要集料的透水砖及其制备方法，属于高炉渣再利用技术领域。本发明为解决高钛炉渣难以大宗化利用的技术问题，提供了一种以高钛炉渣为主要集料的透水砖及其制备方法；透水砖包括底层和面层，底层集料由0.1‑10mm不同粒级的高钛炉渣组成，胶凝材料由水泥、高钛炉渣粉、添加剂组成；面层集料由0.5‑3mm高钛炉渣组成，胶凝材料由水泥、高钛炉渣粉、添加剂组成。本发明通过对高钛炉渣粒度进行合理级配、对组分用量进行优化以及添加外加剂，提高了透水砖性能，其透水性好、抗压强度好、耐磨性强，并显著提高了高钛炉渣用量占比，实现了其大宗化利用。
炉渣主要集料透水及其制备方法

[发明专利]钛酸锂负极材料的制备方法-CN202110539496.X有效
发明人：韩惠玲;武传宝;何莹英;艾星池;龚雪玲;王允威 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明属于锂离子二次电池技术领域，具体涉及钛酸锂负极材料的制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供钛酸锂负极材料的制备方法。该方法是：a、将锂盐加入至无水乙醇中，室温搅拌得到锂溶胶，将钛盐加入到含乙酰丙酮的无水乙醇中，得到钛溶胶，将锂溶胶和钛溶胶混合搅拌，得到钛酸锂溶胶；b、将钛酸锂溶胶进行减压蒸馏后磨细，得到钛酸锂前驱粉体或者将钛酸锂溶胶通过浸渍提拉法或旋涂法得到钛酸锂凝胶薄膜；c、将钛酸锂前驱粉体或钛酸锂凝胶薄膜置于紫外灯下辐照后，煅烧，得钛酸锂粉体或钛酸锂薄膜材料。本发明方法缩短了钛酸锂的制备周期，得到的钛酸锂粉体粒径的分布更加均匀。
钛酸锂负极材料制备方法

[发明专利]一种锡掺杂氧化铟纳米阵列及其制备方法-CN202111009384.X有效
发明人：任洋;刘萍;刘荣欣;王允威;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃下退火处理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。
一种掺杂氧化纳米阵列及其制备方法

[发明专利]钛酸锂负极材料的改性方法-CN202210811452.2在审
发明人：赵岚昕;武传宝;王允威;马光强;杨婷;陈孟俣;郑兴文 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锂负极材料的改性方法，属于锂离子二次电池技术领域。钛酸锂负极材料的改性方法，包括如下步骤：a、将钛盐与含冰乙酸的无水乙醇混合得到钛溶胶，将醋酸锂和碳源加入至钛溶胶中，搅拌至澄清，得到钛酸锂溶胶；b、将步骤a得到的钛酸锂溶胶在紫外灯辐照下进行减压蒸馏，得到钛酸锂前驱粉体；c、将步骤b得到的钛酸锂前驱粉体煅烧，得碳包覆的尖晶石结构钛酸锂负极材料。本发明的钛酸锂负极材料的改性方法缩短了凝胶化时间和整个制备钛酸锂的周期，改善了粉体的显微结构，提高了粉体的电化学性能，可有效解决现有碳复合改性钛酸锂的工艺较为复杂，且包覆均匀性较差的问题。
钛酸锂负极材料改性方法

[发明专利]紫外感光钙锰氧溶胶及其薄膜微细图形的制备方法-CN201910763531.9有效
发明人： 王允威;赵高扬;武传宝;段宗范 -专利权人：西安理工大学;攀枝花学院
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外感光钙锰氧溶胶及其薄膜微细图形的制备方法。本发明将Ca(NO3)2·4H2O、Mn(CH3COO)2·4H2O和2,2′‑联吡啶分别配制为甲醇溶液，再按比例混合，加入丙烯酸，定容、陈化后，得紫外感光CaMn7O12溶胶；再利用紫外感光CaMn7O12溶胶，通过浸渍提拉法在基板上制备凝胶薄膜，经干燥、曝光、溶洗、热处理，得CaMn7O12薄膜微细图形。本发明CaMn7O12是单相多铁材料，具有强的磁电耦合效应，其溶胶在298nm处有较强吸收峰，浸渍提拉法获得紫外感光CaMn7O12凝胶薄膜，薄膜厚度易控制，尺寸较大，轮廓清晰，结构规整，薄膜没有污染，性能稳定。
紫外感光钙锰氧溶胶及其薄膜微细图形制备方法

[发明专利]一种制备大面积高质量石墨烯的方法-CN201811508831.4有效
发明人：史永贵;桑昭君;王允威;杨淑;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：一种制备大面积高质量石墨烯的方法，采用遮光材料在生长腔的高温区营造出一片阴影区域，用于遮挡通过热辐射到达金属衬底表面的热量，从而在金属衬底上形成局部低温区，使活性碳原子在该低温区形成局部过饱和并形成石墨烯晶核，并在阴影区逐渐长大。随着石墨烯生长前沿的扩大，在单位时间内能够吸纳更多的活性碳原子进入石墨烯晶格中，因此，在石墨烯的持续生长过程中可以适当提高前驱体的浓度，从而实现石墨烯的快速制备。采用本发明所述方法，不仅可以获得大面积高质量的石墨烯，而且形核生长过程可控，生长速度快，更有利于实现大面积高质量石墨烯的工业化制备，从而促进石墨烯应用研究的发展。
一种制备大面积质量石墨方法

[发明专利]一种阻隔太阳辐射热的无镀膜玻璃及其制备方法-CN202111084768.8在审
发明人：任洋;刘荣欣;刘萍;王允威;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C03C3/16 文献下载
摘要：本发明公开一种阻隔太阳辐射热的无镀膜玻璃的制备方法，具体步骤如下：步骤1，制备磷酸钆钠玻璃；步骤2，固体电化学处理磷酸盐玻璃；步骤3，抛光电化学处理后的磷酸盐玻璃，得到表面光洁的磷酸盐质子玻璃。还公开了采用上述方法制备得到的阻隔太阳辐射热的无镀膜玻璃，该玻璃无镀膜、具有良好的抗太阳辐射热性能及较高的可见光透过率。
一种阻隔太阳辐射热镀膜玻璃及其制备方法

[发明专利]从钒酸铁中分离回收钒和铁的方法-CN201910640416.2有效
发明人：王俊;王允威;邓俊;朱学军;杨涛;王明月;刘双 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C22B34/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种从钒酸铁中分离回收钒和铁的方法，属于冶金技术领域。本发明为了解决现有技术中从钒酸铁中分离回收钒和铁工艺的不足，提供了一种从钒酸铁中分离回收钒和铁的方法，包括：将钒酸铁和还原剂打浆，调节浆料pH至0.8～3，进行还原反应，分离，得浸出液；将浸出液pH调节至3～4，进行铁沉淀反应，固液分离，得含钒滤液和氢氧化铁；将含钒滤液pH调节至5～7，进行钒沉淀反应，固液分离，得钒沉淀物；钒沉淀物经干燥和煅烧，得五氧化二钒。本发明采用还原剂还原‑酸性除杂‑碱性沉铁‑碱性沉钒的工艺路线，实现了钒酸铁中钒、铁分离，并充分回收了钒、铁。
钒酸铁中分离回收方法

[发明专利]高浓度钒液沉钒的方法-CN202110221227.9在审
发明人：王俊;魏昶;邓志敢;朱学军;闫蓓蕾;邓俊;杨涛;张毅;王允威;毛雪华;曾成华;刘双;王明月 -专利权人：昆明理工大学;攀枝花学院
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C22B34/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高浓度钒液沉钒的方法，属于钒冶金化工技术领域。本发明为了弥补现有高浓度钒液沉钒技术的不足，提供了一种高浓度钒液沉钒的方法，包括：将高浓度钒液调节至弱酸性，然后加热，并加入三聚氰胺，搅拌并调节至强酸性，保温反应后，经静置、固液分离，得钒沉淀物，钒沉淀物经过高温氧化煅烧制备得到五氧化二钒产品。本发明采用三聚氰胺作为沉钒剂与钒作用生成钒沉淀物，使绝大部分的钒进入沉淀中，实现了高浓度钒液的有效沉钒，并有效避免了Cr、S、Na杂质对钒产品质量的影响，得到了质量合格的钒产品，且沉钒剂三聚氰胺用量少，成本低，不会产生氨氮废水，对环境友好，为高浓度钒液的钒沉淀提供了一条新的工艺路线。
浓度钒液沉钒方法

[发明专利]从钒铬溶液中分离钒铬的方法-CN201911310023.1在审
发明人：王俊;孙浩;魏昶;邓志敢;朱学军;闫蓓蕾;邓俊;杨涛;张毅;王允威;毛雪华;曾成华;刘双;王明月 -专利权人：昆明理工大学;攀枝花学院
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C22B3/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种从钒铬溶液中分离钒铬的方法，属于钒冶金化工技术领域。本发明为了弥补现有技术中从钒铬溶液中分离钒铬的不足，提供了一种从钒铬溶液中分离钒铬的方法，包括：将钒铬溶液调节至弱酸性，然后加热，并加入三聚氰胺，搅拌并调节至强酸性，保温反应后，经静置、固液分离，得钒沉淀物和含铬液。本发明采用三聚氰胺为沉钒剂形成钒沉淀物，使绝大部分的钒进入沉淀中，绝大部分铬存在于沉钒上层液之中，实现了钒铬溶液中钒、铬的有效分离，且沉钒剂三聚氰胺用量很少，成本低，并且几乎不会产生氨氮废水，对环境友好，为钒铬溶液的钒铬分离提供了一条新途径。
溶液分离方法

[发明专利]微米厚度二氧化钒薄膜微细图形的制备方法-CN201910904963.7在审
发明人：武传宝;王允威;蒲林峰 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明属于微电子和材料技术领域，具体涉及微米厚度二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。本发明提供了一种工艺简单、成本低廉的微米厚度二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。该方法是：a、溶胶制备：将乙酰丙酮氧钒、聚乙烯吡咯烷酮和无水甲醇配制得二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌，静置，得感光二氧化钒前驱溶胶；b、凝胶膜制备：将感光二氧化钒前驱溶胶涂覆于基片上获得含钒凝胶膜；c、凝胶膜微细加工：将含钒凝胶膜进行烘制，覆盖掩膜板后在紫外灯下曝光，浸入无水甲醇和正丁醇的混合溶液溶洗，得含钒凝胶膜微细图形；d、将含钒凝胶膜微细图形进行热处理即得微米厚度二氧化钒薄膜微细图形。本发明方法具有潜在的应用前景。
凝胶膜微细图形二氧化钒薄膜二氧化钒前驱溶胶制备无水甲醇感光聚乙烯吡咯烷酮材料技术领域乙酰丙酮氧钒热处理混合溶液溶胶制备室温搅拌微细加工浸入潜在的掩膜板正丁醇紫外灯烘制涂覆微电子配制曝光覆盖应用

[发明专利]二氧化钒薄膜微细图形的制备方法-CN201910904961.8在审
发明人：武传宝;蒲林峰;王允威 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明属于微电子和薄膜材料技术领域，具体涉及二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。本发明提供了一种工艺简单、成本低廉的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。该方法是：a、溶胶制备：将乙酰丙酮氧钒加入至无水甲醇中，配制得二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌，静置，得感光二氧化钒前驱溶胶；b、将感光二氧化钒前驱溶胶涂覆于基片上获得含钒凝胶膜；c、凝胶膜微细加工：将含钒凝胶膜进行烘制，覆盖掩膜板后在紫外灯下曝光，浸入无水乙醇和正丁醇的混合溶液溶洗，得含钒凝胶膜微细图形；d、将含钒凝胶膜微细图形进行热处理即得二氧化钒薄膜微细图形。本发明方法工艺简单、成本低廉，具有潜在的应用前景。
微细图形凝胶膜二氧化钒薄膜二氧化钒前驱溶胶感光制备乙酰丙酮氧钒热处理浸入薄膜材料混合溶液溶胶制备室温搅拌微细加工无水甲醇无水乙醇潜在的掩膜板正丁醇紫外灯烘制涂覆微电子配制曝光覆盖应用

[发明专利]一种在介电材料衬底上制备石墨烯的方法-CN201811426716.2在审
发明人：史永贵;桑昭君;王允威;杨淑;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：一种在介电材料衬底上制备石墨烯的方法，1)在金属衬底上制备石墨烯薄膜；2)将金属衬底连同其上的石墨烯薄膜切割成小片；3)清洗介电材料衬底；4)将步骤2)小片上的石墨烯作为籽晶转移到介电衬底上，得到石墨烯籽晶/介电衬底；5)将石墨烯籽晶/介电衬底放入化学气相沉积系统中；6)打开真空泵，抽真空；7)通入惰性气体，将生长腔加热至1000℃～1300℃；8)通入氢气、碳氢化合物，促进石墨烯籽晶长大；9)待石墨烯生长完成后，关闭加热电源，关闭氢气和碳氢化合物流量计，使石墨烯/介电衬底冷却至室温；可直接在介电材料上制得了石墨烯样品，省去了金属衬底生长后转移的过程，工作量少，保护了石墨烯完整性和晶体质量，经济效益高。
石墨烯衬底介电材料介电籽晶金属衬制备石墨烯薄膜碳氢化合物氢气流量计化学气相沉积系统切割成小片惰性气体加热电源抽真空生长腔真空泵生长放入工作量加热冷却清洗

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